1.一种高性能znsno薄膜晶体管，所述的薄膜晶体管包括在基板上依次制备形成的栅极、栅介质、有源层和源漏电极，其特征在于：所述的有源层是通过磁控溅射方法制备zto有源层材料，通过控制溅射气氛的氧含量控制氧空位缺陷在有源层中的分布，先沉积富含氧缺陷的zto薄膜，再沉积氧缺陷较少的zto薄膜，使两者的能带结构有所差异，从而形成同质结薄膜；然后通过光刻和刻蚀的工艺进行图形化。
2.一种高性能znsno薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述的制备方法包括以下步骤：
3.根据权利要求2所述的一种高性能znsno薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述s2中采用磁控溅射方法沉积50nm～150nm厚的mo电极，沉积完成后通过光刻和湿法刻蚀工艺对栅介质层进行图形化。
4.根据权利要求2或3所述的一种高性能znsno薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：s2中沉积条件为本地真空10-4pa～10-3pa,直流溅射功率80w～160w,溅射气氛纯ar,工作气压0.3pa～0.5pa。
5.根据权利要求2所述的一种高性能znsno薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述s3中通过pecvd在250℃～350℃条件下沉积一层150～250nm厚的sio2栅介质层进行全局覆盖。
6.根据权利要求2所述的一种高性能znsno薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述s4中通过控制溅射气氛的氧含量控制氧空位缺陷在有源层中的分布。
7.根据权利要求2或3所述的一种高性能znsno薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：s4中基本溅射条件为：本地真空10-4pa～10-3pa,交流溅射功率100w～160w,工作气压0.3pa～0.5pa。
8.根据权利要求1或2或6所述的一种高性能znsno薄膜晶体管，其特征在于：所述的溅射气氛，先用(20～50)sccm/0sccm的溅射气氛沉积10～30nm厚的富含氧缺陷的zto薄膜，再用(20～50)sccm/(1～10)sccm的溅射气氛沉积10～30nm厚氧缺陷较少的zto薄膜，从而形成同质结薄膜；紧接着在250℃～400℃真空条件下退火0.5～2个小时，然后通过光刻和湿法刻蚀的工艺进行图形化。
9.根据权利要求2所述的一种高性能znsno薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述的s5中，通过光刻和剥离工艺沉积图形化mo源漏电极。
10.根据权利要求2所述的一种高性能znsno薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述s6中，将全局覆盖的sio2栅介质进行定位开孔以暴露底栅电极。
11.根据权利要求10所述的一种高性能znsno薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述sio2栅介质开孔采用光刻图形化和反应离子刻蚀的方法。