1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第m金属互连层嵌于一第一介质层，一第二介质层覆盖所述第一介质层和所述第m金属互连层，至少一沟槽从所述第二介质层顶表面延伸至所述第一介质层内，所述沟槽型mim电容包括由上极板、介电层以及下极板构成的电容叠层，所述电容叠层嵌入所述第一介质层，并连续保形覆盖所述沟槽的内表面以及所述沟槽外的所述第二介质层的部分顶表面。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，还包括下极板插塞，其中，所述下极板插塞设置于所述第三介质层内，以将位于所述第三介质层下方的所述沟槽型mim电容中的所述下极板的连接从所述沟槽型mim电容远离所述前端器件结构的一侧引出。
7.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述沟槽型mim电容中，所述下极板和所述介电层的端部相对于同一方向的所述上极板的端部更远离所述沟槽。
8.如权利要求1至7任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第m金属互连层的底表面与嵌入所述第m金属互连层平面的所述沟槽型mim电容的底表面位于同一高度。
9.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
10.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述第m金属互连层嵌于所述前端器件结构上的一第一介质层，在形成第m金属互连层之后，所述形成方法还包括：
11.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，形成所述沟槽型mim电容包括：
12.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，对所述第一填充材料层、所述上极板材料层、所述介电材料层以及所述下极板材料层进行图形化时，利用所述上极板材料层、所述介电材料层以及所述下极板材料层的叠层在所述沟槽处所围成的保形沟槽作为对准标记。
13.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，对所述第一填充材料层、所述上极板材料层、所述介电材料层以及所述下极板材料层进行图形化包括：
14.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，形成所述沟槽型mim电容之后，所述形成方法还包括：
15.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，在所述第一介质层表面形成所述第m金属互连层之前，所述形成方法包括：
16.如权利要求15所述的形成方法，其特征在于，形成所述第m金属互连层以及所述下极板插塞包括：
17.一种图像传感器，其特征在于，包括：