1.一种叉指式背接触电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤s7中，采用溅射的方式在硅基体的背面依次沉积透明导电氧化物薄膜、金属导电层、非晶硅掩膜；所述透明导电氧化物薄膜包括氧化锡铟薄膜、氧化锌铝薄膜和掺钨氧化铟薄膜中的至少一种；所述透明导电氧化物薄膜的厚度为30nm～300nm；所述金属导电层为铜导电层、银导电层中的至少一种；所述金属导电层的厚度为50nm～500nm；所述非晶硅掩膜的厚度为2nm～50nm。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤s9中，采用链式湿法对硅基体背面的开窗区域进行酸洗，去除硅基体背面位于p型掺杂层与n型掺杂层之间所在表面区域的透明导电氧化物薄膜和金属导电层，直至露出p型掺杂层和n型掺杂层；所述酸洗过程中采用的酸性溶液为氢氟酸与盐酸的混合溶液、盐酸溶液、硝酸与盐酸的混合溶液中的至少一种；
4.根据权利要求1～3中任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤s1中，采用碱性溶液对硅基体进行双面制绒，直至在表面形成0.5μm～2μm的金字塔；所述制绒完成后，还包括：利用臭氧和氢氟酸溶液对硅基体表面进行圆化金字塔处理；所述硅基体为n型硅片；所述硅基体的电阻率为0.5ω·cm～7ω·cm；
5.一种叉指式背接触电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤(7)中，采用溅射的方式在硅基体的背面依次沉积透明导电氧化物薄膜、金属导电层、非晶硅掩膜；所述透明导电氧化物薄膜包括氧化锡铟薄膜、氧化锌铝薄膜和掺钨氧化铟薄膜中的至少一种；所述透明导电氧化物薄膜的厚度为30nm～300nm；所述金属导电层为铜导电层、银导电层中的至少一种；所述金属导电层的厚度为50nm～500nm；所述非晶硅掩膜的厚度为2nm～50nm。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(9)中，采用链式湿法对硅基体背面的开窗区域进行酸洗，去除硅基体背面位于p型掺杂层与n型掺杂层之间所在表面区域的透明导电氧化物薄膜和金属导电层，直至露出p型掺杂层和n型掺杂层；所述酸洗过程中采用的酸性溶液为氢氟酸与盐酸的混合溶液、盐酸溶液、硝酸与盐酸的混合溶液中的至少一种；
8.根据权利要求5～7中任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，采用碱性溶液对硅基体进行双面制绒，直至在表面形成0.5μm～2μm的金字塔；所述制绒完成后，还包括：利用臭氧和氢氟酸溶液对硅基体表面进行圆化金字塔处理；所述硅基体为n型硅片；所述硅基体的电阻率为0.5ω·cm～7ω·cm；
9.一种叉指式背接触电池，其特征在于，所述叉指式背接触电池由权利要求1～4中任一项所述的制备方法制得。
10.一种叉指式背接触电池，其特征在于，所述叉指式背接触电池由权利要求5～8中任一项所述的制备方法制得。