1.一种硼扩工艺，其特征在于，所述硼扩工艺包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的硼扩工艺，其特征在于，所述硅基材包括硅片；
3.根据权利要求1所述的硼扩工艺，其特征在于，所述硼源气体包括三氯化硼；
4.根据权利要求1所述的硼扩工艺，其特征在于，所述第一温度为820℃至870℃；
5.根据权利要求1所述的硼扩工艺，其特征在于，所述第二温度为900℃至1050℃；
6.根据权利要求1所述的硼扩工艺，其特征在于，所述第三温度为1000℃至1100℃；
7.根据权利要求1所述的硼扩工艺，其特征在于，所述降低炉管内的温度和压力的具体步骤包括：
8.根据权利要求7所述的硼扩工艺，其特征在于，所述第四温度为700℃至850℃。
9.根据权利要求1-8任一项所述的硼扩工艺，其特征在于，所述硼扩工艺包括以下步骤：
10.一种光伏电池，其特征在于，所述光伏电池采用如权利要求1-9任一项所述的硼扩工艺制备得到。