阿尔法粒子的屏蔽方法、装置、计算机设备和存储介质与流程

本技术涉及电子器件可靠性，特别是涉及一种阿尔法粒子的屏蔽方法、装置、计算机设备和存储介质。

背景技术：

1、集成电路中的软错误率是由电离辐射，诸如穿过集成电路的半导体材料的阿尔法粒子引起的。逻辑电路和存储器电路两者都可能被影响到。错误被称为“软”是因为它们通常只持续到集成电路功能的下一个周期。当阿尔法粒子穿过半导体材料时，其路径附近产生空穴-电子对的“云”。集成电路中存在的电场能引起空穴和电子以相反方向迁移，从而引起额外的电荷到达特定电路节点并扰乱(upset)集成电路的功能。

2、目前，随着集成电路器件体积的不断缩小，电路密度不断增大，单元的尺寸和工作电压不断降低，进而引起集成电路遭遇软错误的概率增大。因此，亟需一种能够降低集成电路中出现软错误的方案。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种阿尔法粒子的屏蔽方法、装置、计算机设备和存储介质，能够更加准确、有效的降低集成电路中出现软错误的概率。

2、第一方面，本技术提供了一种阿尔法粒子的屏蔽方法，包括：

3、根据电子器件的材料类型和制作工艺，确定屏蔽层的目标材料；

4、根据电子器件中阿尔法粒子的来源材料、电子器件的有源区，以及目标材料，确定屏蔽层的目标尺寸参数，以及屏蔽层在来源材料和有源区之间的目标位置；

5、控制器件运维端根据目标尺寸参数和目标材料，制作屏蔽层，并将屏蔽层放置于目标位置处，以对来源材料向有源区发射的阿尔法粒子进行屏蔽。

6、在其中一个实施例中，根据电子器件的材料类型和制作工艺，确定屏蔽层的目标材料，包括：

7、根据电子器件的材料类型和制作工艺，确定屏蔽层的候选材料；

8、将各候选材料中对阿尔法粒子阻挡能力最强的候选材料，作为屏蔽层的目标材料。

9、在其中一个实施例中，根据电子器件中阿尔法粒子的来源材料、电子器件的有源区，以及目标材料，确定屏蔽层的目标尺寸参数，以及屏蔽层在来源材料和有源区之间的目标位置，包括：

10、确定电子器件中阿尔法粒子的来源材料；

11、根据来源材料在电子器件中的位置，以及电子器件的有源区的位置，确定屏蔽层在来源材料和有源区之间的目标位置；

12、根据来源材料的第一尺寸参数和阿尔法粒子发射能谱，有源区的第二尺寸参数，以及目标材料，确定屏蔽层的目标尺寸参数。

13、在其中一个实施例中，根据来源材料在电子器件中的位置，以及电子器件的有源区的位置，确定屏蔽层在来源材料和有源区之间的目标位置，包括：

14、根据来源材料的位置和电子器件的有源区的位置，确定来源材料和有源区之间的已有材料；

15、根据已有材料的属性数据、来源材料的位置和有源区的位置，确定屏蔽层在来源材料和有源区之间的目标位置。

16、在其中一个实施例中，第一尺寸参数包括第一长度和第一宽度，第二尺寸参数包括第二长度和第二宽度，目标尺寸参数包括目标长度、目标宽度和目标厚度；

17、根据来源材料的第一尺寸参数和阿尔法粒子发射能谱，有源区的第二尺寸参数，以及目标材料，确定屏蔽层的尺寸参数，包括：

18、根据来源材料的第一长度和第一宽度，以及有源区的第二长度和第二宽度，确定屏蔽层的目标长度和目标宽度；

19、根据目标材料和来源材料的阿尔法粒子发射能谱，确定屏蔽层的目标厚度。

20、在其中一个实施例中，根据来源材料的第一长度和第一宽度，以及有源区的第二长度和第二宽度，确定屏蔽层的目标长度和目标宽度，包括：

21、将第一长度和第二长度中最大的长度，作为屏蔽层的目标长度；

22、将第一宽度和第二宽度中最大的宽度，作为屏蔽层的目标宽度。

23、在其中一个实施例中，根据目标材料和来源材料的阿尔法粒子发射能谱，确定屏蔽层的目标厚度，包括：

24、根据来源材料的阿尔法粒子发射能谱，确定来源材料中阿尔法粒子的最大能量值；

25、根据最大能量值和目标材料，确定屏蔽层的目标厚度。

26、第二方面，本技术还提供了一种阿尔法粒子的屏蔽装置，包括：

27、材料确定模块，用于根据电子器件的材料类型和制作工艺，确定屏蔽层的目标材料；

28、参数确定模块，用于根据电子器件中阿尔法粒子的来源材料、电子器件的有源区，以及目标材料，确定屏蔽层的目标尺寸参数，以及屏蔽层在来源材料和有源区之间的目标位置；

29、粒子屏蔽模块，用于控制器件运维端根据目标尺寸参数和目标材料，制作屏蔽层，并将屏蔽层放置于目标位置处，以对来源材料向有源区发射的阿尔法粒子进行屏蔽。

30、第三方面，本技术还提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现以下步骤：

31、根据电子器件的材料类型和制作工艺，确定屏蔽层的目标材料；

32、根据电子器件中阿尔法粒子的来源材料、电子器件的有源区，以及目标材料，确定屏蔽层的目标尺寸参数，以及屏蔽层在来源材料和有源区之间的目标位置；

33、控制器件运维端根据目标尺寸参数和目标材料，制作屏蔽层，并将屏蔽层放置于目标位置处，以对来源材料向有源区发射的阿尔法粒子进行屏蔽。

34、第四方面，本技术还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：

35、根据电子器件的材料类型和制作工艺，确定屏蔽层的目标材料；

36、根据电子器件中阿尔法粒子的来源材料、电子器件的有源区，以及目标材料，确定屏蔽层的目标尺寸参数，以及屏蔽层在来源材料和有源区之间的目标位置；

37、控制器件运维端根据目标尺寸参数和目标材料，制作屏蔽层，并将屏蔽层放置于目标位置处，以对来源材料向有源区发射的阿尔法粒子进行屏蔽。

38、第五方面，本技术还提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：

39、根据电子器件的材料类型和制作工艺，确定屏蔽层的目标材料；

40、根据电子器件中阿尔法粒子的来源材料、电子器件的有源区，以及目标材料，确定屏蔽层的目标尺寸参数，以及屏蔽层在来源材料和有源区之间的目标位置；

41、控制器件运维端根据目标尺寸参数和目标材料，制作屏蔽层，并将屏蔽层放置于目标位置处，以对来源材料向有源区发射的阿尔法粒子进行屏蔽。

42、上述阿尔法粒子的屏蔽方法、装置、计算机设备和存储介质，通过根据电子器件的材料类型和制作工艺，以及电子器件中的有源区和阿尔法粒子的来源材料，能够更加准确的对屏蔽层的目标材料、目标尺寸参数和屏蔽层在来源材料和有源区之间的目标位置进行确定；进一步的，通过控制器件运维端根据确定的屏蔽层的目标尺寸参数和目标材料，能够更加准确的制作屏蔽层，进而将屏蔽层放置于目标位置处，能够更加有效的对来源材料向有源区发射的阿尔法粒子进行屏蔽，进而实现降低集成电路中出现软错误的概率的效果。