一种局部粗化的引线框架及其粗化工艺的制作方法

文档序号:37302367发布日期:2024-03-13 20:50阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种局部粗化的引线框架,包括引线框架本体(103),其特征在于,引线框架本体(103)正面与反面上分布有若干组功能区(104)。

2.一种如权利要求1所述的局部粗化的引线框架的粗化工艺,其特征在于,包括如下步骤:

3.根据权利要求2所述的一种局部粗化的引线框架的粗化工艺,其特征在于,所述粗化设备包括粗化池(1),粗化池(1)中布设用于储存粗化液的储存槽(101),储存槽(1)中布设用于承载引线框架的下模板(5),粗化池(1)上布设定位板(2),定位板(2)朝向粗化池(1)方向布设与下模板(5)配合的上模板(9);

4.根据权利要求3所述的一种局部粗化的引线框架的粗化工艺,其特征在于,所述转运机构包括可滑动布设于粗化池(1)上的u型架(6),u型架(6)朝向储存槽(101)方向布设定位板(601),定位板(601)底部固定布设限位板(602),各组限位板(602)朝向内侧端方向可转动布设托板(603),位于限位板(602)底部固定布设用于限制托板(603)转动的限位座(605)。

5.根据权利要求4所述的一种局部粗化的引线框架的粗化工艺,其特征在于,所述u型架(6)上还布设驱动气缸(107),驱动气缸(107)与定位板(601)固定连接;

6.根据权利要求3所述的一种局部粗化的引线框架的粗化工艺,其特征在于,所述压紧机构包括可转动布设于粗化池(1)中的第一螺杆(303),第一螺杆(303)与驱动电机(302)输出端固定连接,第一螺杆(303)上螺旋套设有与下模板(5)固定的第一螺母。

7.根据权利要求5所述的一种局部粗化的引线框架的粗化工艺,其特征在于,所述调节机构包括转动布设于粗化池(1)中的第二螺杆(7),第二螺杆(7)上螺旋套设有与u型架(6)固定的第二螺母(701),第二螺杆(7)端部设有第一齿轮(702),下模板(5)一侧固定布设有与第一齿轮(702)啮合的第一齿条(703)。

8.根据权利要求6所述的一种局部粗化的引线框架的粗化工艺,其特征在于,所述喷淋机构包括布设于定位板(2)中的喷淋箱体(3),喷淋箱体(3)朝向粗化池(1)方向布设若干组喷头(304);

9.根据权利要求8所述的一种局部粗化的引线框架的粗化工艺,其特征在于,所述推动机构包括转动布设于上模板(9)一侧的第二齿轮(401),定位板(2)一侧布设有与第二齿轮(401)啮合的第二齿条(4),第二齿轮(401)固定连接转盘(402),转盘(402)表面边缘一侧布设销轴(405),销轴(405)滑动嵌设于推板(403)开设的通槽(404)中,推板(403)通过推杆(406)与活塞固定。

10.根据权利要求5所述的一种局部粗化的引线框架的粗化工艺,其特征在于,所述下模板(5)底部还设有密封框体(808),密封框体(808)中可滑动布设封闭板(814),封闭板(814)与密封框体(808)围合形成储液槽,储液槽通过第三通孔(807)与下模板(5)的凹槽(805)连通;


技术总结
本发明公开了一种局部粗化的引线框架及其粗化工艺,工艺包括如下步骤:清洗:将待处理引线框架除油后清洗吹干;一次贴膜:在引线框架的上下表面各贴附一层干膜并压紧处理;一次曝光和显影:通过曝光和显影去除引线框架表面的部分干膜;电镀:将表面预处理过得引线框架进行电镀处理,而后取出清洗后吹干;褪膜清洗:去除引线框架表面剩余的干膜,经清洗后烘干;二次贴膜:在引线框架的上下表面再次贴附一层干膜并压紧处理;二次曝光和显影:再次通过曝光和显影去除引线框架表面的部分干膜;蚀刻:将引线框架依次经过二次压膜、二次曝光与显影后,对其进行蚀刻处理;超粗化:采用粗化液通过粗化设备对引线框架双面进行局部粗化处理。

技术研发人员:高小平
受保护的技术使用者:安徽立德半导体材料有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/3/12
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