1.一种背接触电池，其特征在于，包括：硅基底、以及交替间隔分布在硅基底背光面一侧的第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层；其中，
2.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，在所述间隔区域的表面中每10000平方微米范围内的粗糙度小于等于30μm；和/或，
3.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述第二区域的表面为平面；和/或，
4.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述第一掺杂半导体层和所述第二掺杂半导体层靠近所述间隔区域的侧面均呈类波浪形；其中，所述第二掺杂半导体层靠近所述间隔区域的侧面对应的波动幅度大于所述第一掺杂半导体层靠近所述间隔区域的侧面对应的波动幅度，和/或，所述第二掺杂半导体层靠近所述间隔区域的侧面对应的波动频率小于所述第一掺杂半导体层靠近所述间隔区域的侧面对应的波动频率；
5.根据权利要求1~4任一项所述的背接触电池，其特征在于，所述背接触电池还包括覆盖在所述第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层和所述间隔区域上的表面钝化层；和/或，
6.根据权利要求5所述的背接触电池，其特征在于，在所述背接触电池包括所述第一钝化层、且所述第一钝化层为隧穿钝化层的情况下，所述第一掺杂半导体层为掺杂多晶硅层；和/或，
7.一种背接触电池的制造方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的背接触电池的制造方法，其特征在于，所述提供一硅基底后，所述在所述第二区域上形成第二掺杂半导体层前，所述背接触电池的制造方法包括：
9.根据权利要求8所述的背接触电池的制造方法，其特征在于，所述第一掺杂半导体层的材料包括硅；
10.根据权利要求8所述的背接触电池的制造方法，其特征在于，采用湿化学工艺，在所述第一掩膜层的掩膜作用下，选择性去除所述第一掺杂半导体层位于所述间隔区域和所述第二区域上的部分；并使所述间隔区域和第二区域的表面均相对于所述第一区域的表面向所述硅基底内凹入；其中，
11.根据权利要求7所述的背接触电池的制造方法，其特征在于，所述使所述间隔区域和第二区域的表面均相对于所述第一区域的表面向所述硅基底内凹入后，所述背接触电池的制造方法包括：
12.根据权利要求11所述的背接触电池的制造方法，其特征在于，所述第二掺杂半导体层的材料包括硅；
13.根据权利要求11所述的背接触电池的制造方法，其特征在于，采用湿化学工艺，并在所述第二掩膜层的掩膜作用下，选择性去除所述第二掺杂半导体层对应所述第一区域和所述间隔区域上的部分，并使所述间隔区域的表面相对于所述第二区域的表面向所述硅基底内凹入；其中，
14.根据权利要求7~13任一项所述的背接触电池的制造方法，其特征在于，所述提供一硅基底后，所述在所述第一区域上形成第一掺杂半导体层前，所述背接触电池的制造方法还包括：在所述第一区域上形成第一钝化层；和/或，