1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一沟槽部第三方向的宽度大于所述第二沟槽部第三方向的宽度。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一沟槽部第三方向的宽度为d1，所述第二沟槽部第三方向的宽度为d2，d1和d2满足关系式：d2＜d1＜2.5d2。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一沟槽部第一方向的厚度小于所述第二沟槽部第一方向的厚度。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括过渡区域，所述过渡区域周向环绕设置于所述快恢复二极管区域的外侧，所述过渡区域位于所述快恢复二极管区域和所述绝缘栅双极晶体管区域之间，所述过渡区域也设置有多个所述第一沟槽。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括连接沟槽，所述连接沟槽厚度方向上从所述第一主面将所述基极层贯穿而到达所述漂移层，所述连接沟槽的长度方向在所述半导体装置的第三方向上延伸，所述连接沟槽位于多个所述第一沟槽第二方向的端部且与多个所述第一沟槽第二方向的端部均相互连通，所述多晶硅设置于所述连接沟槽内，所述连接沟槽中的所述多晶硅与所述第一沟槽中的所述多晶硅相接触，所述发射极金属层至少部分地穿设所述介质层且与所述连接沟槽中的所述多晶硅相接触。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述连接沟槽包括第三沟槽部和第四沟槽部，所述第三沟槽部位于所述第四沟槽部更加靠近所述第一主面的一侧，所述第四沟槽部的内壁设置有所述氧化层，所述第四沟槽部内壁的所述氧化层将所述第四沟槽部中的所述多晶硅与所述基极层隔开，所述第三沟槽部中的所述多晶硅与所述基极层相接触。
8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述连接沟槽为两个，两个所述连接沟槽分别位于多个所述第一沟槽第二方向的两端，两个所述连接沟槽分别将多个所述第一沟槽第二方向的两端相互连通。
9.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述介质层对应相邻两个所述第一沟槽之间的部分设置有第一穿孔，所述发射极金属层上设置有第一连接凸起，所述第一连接凸起穿设所述第一穿孔且与所述基极层接触连接；
10.一种半导体装置的制造方法，适用于权利要求1-9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，包括以下步骤：
11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，沉积第一导电类型的多晶硅，并对所述多晶硅进行刻蚀的步骤之后，还可以包括：