1.一种半导体激光器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述sio2层的厚度为2-5μm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热氧化工艺的温度为800-1200℃，氧化时间为1-5h。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在激光器芯片的脊两边预留扩散区域，用以降低热氧化过程中的扩散对脊下方的腔面出光点的影响。
5.一种半导体激光器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述sio2层的厚度为100-1000nm。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在激光器芯片的脊两边预留扩散区域，用以降低离子注入过程中的扩散对脊下方的腔面出光点的影响。
8.一种半导体激光器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，通过所述激光照射改性技术获得的选区光学限制微结构包括以下三种：
10.根据权利要求1～9中任一项所述方法制造的半导体激光器。