功率子模组及具有其的功率模块的制作方法

文档序号:40396330发布日期:2024-12-20 12:19阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种功率子模组,其特征在于,所述功率子模组包括:

2.根据权利要求1所述的功率子模组,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的功率子模组,其特征在于,所述上漏极功率端子(16)、所述第一下输出功率端子(28)、所述第二下输出功率端子(47)以及所述下功率源极功率端子(48)均为低螺纹功率端子。

4.根据权利要求2所述的功率子模组,其特征在于,

5.根据权利要求2所述的功率子模组,其特征在于,所述第二上漏极导电层(18)包括相垂直的第四段(181)和第五段(182),所述第五段(182)的一端与所述第四段(181)的中部连接,多个所述上二极管芯片(13)沿所述第四段(181)的长度方向间隔设置在所述第四段(181)上,所述上漏极功率端子(16)设置在所述第五段(182)上。

6.根据权利要求4所述的功率子模组,其特征在于,所述第一段(451)通过第一桥臂连接键合线(53)与其中一个所述上功率源极导电层(15)连接,所述第三段(453)通过第二桥臂连接键合线(54)与另一个所述上功率源极导电层(15)连接。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的功率子模组,其特征在于,

8.根据权利要求7所述的功率子模组,其特征在于,

9.根据权利要求7所述的功率子模组,其特征在于,

10.根据权利要求7所述的功率子模组,其特征在于,

11.根据权利要求1至6中任一项所述的功率子模组,其特征在于,

12.根据权利要求1至6中任一项所述的功率子模组,其特征在于,所述上基板(21)和所述下基板(46)均为陶瓷基板。

13.一种功率模块,其特征在于,所述功率模块包括:

14.根据权利要求13所述的功率模块,其特征在于,所述功率模块包括多个所述功率子模组。

15.根据权利要求14所述的功率模块,其特征在于,多个所述功率子模组在所述基板(5)的长度方向上间隔排布,每个所述功率子模组的上半桥单元(7)和下半桥单元(6)在所述基板(5)的宽度方向上间隔排布。

16.根据权利要求15所述的功率模块,其特征在于,相邻两个所述功率子模组的电流流向相反。

17.根据权利要求13所述的功率模块,其特征在于,所述功率子模组的上基板(21)的下表面与所述基板(5)通过焊料烧结连接,所述功率子模组的下基板(46)的下表面与所述基板(5)通过焊料烧结连接。


技术总结
本发明提供了一种功率子模组及具有其的功率模块,该功率子模组包括:上半桥单元,包括上基板、多个并联的上MOSFET芯片、上串联二极管以及多个并联的上二极管芯片,上MOSFET芯片的数量为偶数,且两个上MOSFET芯片为一个上MOSFET芯片组,两个上MOSFET芯片组之间设置有一个上串联二极管;下半桥单元,包括下基板、多个并联的下MOSFET芯片、下串联二极管以及多个并联的下二极管芯片,下MOSFET芯片的数量为偶数,且两个下MOSFET芯片为一个下MOSFET芯片组,两个下MOSFET芯片组之间设置有一个下串联二极管。通过本申请提供的技术方案,能够解决相关技术中的功率模块的寄生电感较大,限制了碳化硅器件在高压领域的应用的问题。

技术研发人员:李学宝,赵志斌,孙鹏,崔翔,李浩,赵波,赵斌
受保护的技术使用者:北京怀柔实验室
技术研发日:
技术公布日:2024/12/19
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