1.一种低膨胀硅碳负极材料的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的低膨胀硅碳负极材料的制备方法，其特征在于，步骤(s1)中，包含以下特征(1)～(6)中的至少一项：
3.根据权利要求2所述的低膨胀硅碳负极材料的制备方法，其特征在于，步骤(s1)中，环六甲基四胺、氧化铝与醛类单体的摩尔比为(0.005～0.15)：(0.005～0.04)：2。
4.根据权利要求1所述的低膨胀硅碳负极材料的制备方法，其特征在于，步骤(s1)中，原料中还包括氮源；
5.根据权利要求1所述的低膨胀硅碳负极材料的制备方法，其特征在于，步骤(s2)中，所述物理活化包含以下特征(a)～(d)中的至少一项：
6.根据权利要求1所述的低膨胀硅碳负极材料的制备方法，其特征在于，步骤(s3)中，所述硅沉积包含以下特征(1)～(4)中的至少一项：
7.根据权利要求1所述的低膨胀硅碳负极材料的制备方法，其特征在于，步骤(s3)中，所述碳包覆包含以下特征(1)～(6)中的至少一项：
8.一种根据权利要求1～7任一项所述的方法制备的低膨胀硅碳负极材料。
9.一种负极极片，其特征在于，包括如权利要求8所述的低膨胀硅碳负极材料。
10.一种二次电池，其特征在于，包括如权利要求9所述的负极极片。