电子部件、电子装置以及用于制造电子部件的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种用于安装电子设备的技术。
【背景技术】
[0002]随着近年来电子设备例如摄像设备的功能的增多，电子设备的发热量也在增加。因此，在具有容纳电子设备的容器(封装)的电子部件中，要求所述容器具有高散热性能。公开号为JP2008-245244的日本专利文献提出了一种由具有良好散热性质的材料制成的摄像元件封装。公开号为JP2011-176224的日本专利文献提出了一种具有树脂封装和金属或陶瓷基板的固态摄像装置，但是并未讨论散热性。
[0003]在容器是通过组合通常具有高热导率的构件例如金属或陶瓷构件与通常具有低热导率的构件例如树脂构件而形成时，如果具有低热导率的构件被定位在散热路径中，那么容器的散热性能就会下降。
[0004]本发明提供了一种能够高效地散发由电子设备产生的热量的电子部件。
【发明内容】
[0005]本发明的第一方面提供了一种电子部件，所述电子部件包括电子设备和被构造用于容纳所述电子设备的容器。所述容器包括:基体，所述基体具有第一区域和在所述第一区域周围的第二区域，所述电子设备固定至所述第一区域；面向所述电子设备的盖；以及固定至所述第二区域以在所述盖和所述第一区域之间围出一空间的框架。所述框架包括第一构件和第二构件，所述第二构件具有比所述第一构件和所述基体更低的热导率。所述第一构件具有第一部分和第二部分，所述第一部分与所述基体的外缘相比位于所述框架的内缘侦牝所述第二部分与所述基体的外缘相比位于所述框架的外缘侧。所述第二部分的长度在从所述框架的内缘到所述框架的外缘的方向上比所述第一部分的长度更长。所述第二构件位于所述盖和所述第一构件之间。所述第一构件和所述基体之间的最短距离小于所述第一构件和所述盖之间的最短距离。
[0006]本发明的更多特征将根据以下参照附图对示范性实施例的说明变得显而易见。
【附图说明】
[0007]图1A和IB是根据本发明第一实施例的电子部件的示意性平面图。
[0008]图2A和2B是根据第一实施例的电子部件的示意性剖面图。
[0009]图3A和3B是根据本发明第二实施例的电子部件的示意性剖面图。
[0010]图4A至4C是根据本发明第三至第五实施例的电子部件的示意性剖面图。
[0011]图5A至是示出了根据本发明第六实施例的电子部件制造方法的示意性剖面图。
[0012]图6E至6H是示出了根据第六实施例的电子部件制造方法的示意性剖面图。
[0013]图7A至7C是示出了根据本发明第七实施例的电子部件制造方法的示意性剖面图。
【具体实施方式】
[0014]将参照附图介绍本发明的实施例。在以下的说明内容和附图中，用相同的附图标记表示若干附图之间共同的部件。这些共同的部件可以通过参照多张附图来进行说明。用相同的附图标记表示的部件的说明内容可以省略。
[0015]作为本发明的第一实施例，将介绍电子部件100的一个示例。图1A是电子部件100从正面看的示意性平面图，图1B是电子部件100从背面看的示意性平面图。图2A和2B是电子部件100的示意性剖面图。图2A是沿图1A和图1B中的IIA-1IA线截取的电子部件100的剖面图，图2B是沿图1A和图1B中的IIB-1IB线截取的电子部件100的剖面图。在以下的说明内容中，相同的部件用相同的附图标记表示，并且通过参照多张附图来进行说明。要注意的是附图中的X、Y和Z分别表示X方向、Y方向和Z方向。
[0016]电子部件100包括电子设备10和容纳电子设备10的容器70。容器70主要包括基体20、盖30和框架60。尽管将在下文中描述细节，不过框架60包括高热导率构件40 (第一构件)和所具有的热导率低于高热导率构件40的低热导率构件50 (第二构件)。
[0017]在容器70中，基体20和框架60可以用作用于初次安装电子部件100的安装构件。盖30可以用作光学构件。电子设备10固定至基体20。盖30固定至基体20,框架60介于两者之间。盖30隔着内部空间80面向电子设备10。框架60在盖30和电子设备10之间围出内部空间80。
[0018]X方向和Y方向是平行于电子设备10的面向盖30的正面101、电子设备10的与正面101相对且固定至基体20的背面102、盖30的外表面301以及盖30的内表面302的方向。Z方向是垂直于正面101、背面102、外表面301和内表面302的方向。通常，电子设备10和电子部件100在X方向和Y方向上为矩形。电子设备10和电子部件100在Z方向上的尺寸小于在X方向和Y方向上的尺寸，并且具有平板状的形状。为了方便起见，在下文中将在Z方向上的尺寸称作厚度或高度。
[0019]在X方向和Y方向上，电子部件100的外缘由基体20的外缘205、框架60的外缘605和盖30的外缘305限定。框架60具有内缘603以及外缘605。
[0020]电子设备10并不局限于任何特定的类型，但通常是光学设备。本实施例中的电子设备10具有主区域I和副区域2。通常，主区域I位于电子设备10的中央，而副区域2位于主区域I周围。如果电子设备10是摄像设备例如电荷耦合器件(CCD)型图像传感器或互补金属氧化物半导体(CMOS)型图像传感器，那么主区域I就是摄像区域。如果电子设备10是显示设备例如液晶显示屏或场致发光(EL)显示屏，那么主区域I就是显示区域。如果电子设备10是摄像设备，那么正面101即电子设备10的面向盖30的表面用作光入射面。光入射面可以由具有受光面的半导体基板上的多层膜中的最表层形成。多层膜包括:具有光学功能的层例如滤色层、微透镜层、防反射层或遮光层；具有机械功能的层例如平坦化层；以及具有化学功能的层例如钝化层。副区域2设置有用于驱动主区域I的驱动电路以及用于处理来自主区域I的信号(或用于主区域I的信号)的信号处理电路。如果电子设备10是半导体设备，那么易于整体地形成这些电路。副区域2还设置有用于与外部交互信号通信的电极3 (电极片)。
[0021]基体20具有平板状的形状。基体20可以通过例如金属模制、切削或层叠多块板材而形成。基体20可以是导体例如金属板，但是优选地是绝缘体以确保内部端子5和外部端子7之间的绝缘(如下所述)。基体20可以是柔性基板例如聚酰亚胺基板，但是优选地是刚性基板例如环氧玻璃基板、复合基板、复合玻璃基板、电木基板或陶瓷基板。特别优选的是基体20是陶瓷基板并且将陶瓷层压体用作基体20。陶瓷材料可以是碳化硅、氮化硅、蓝宝石、氧化铝、氮化硅、金属陶瓷、氧化钇、莫来石、镁橄榄石、堇青石、氧化锆或滑石。由陶瓷层压体形成的基体20可以具有高热导率。基体20的热导率优选地在1.0ff/m.K以上，并且更优选地在10W/m.K以上。
[0022]基体20具有中央区域210 (第一区域)和在中央区域210周围的周边区域220 (第二区域)，电子设备10固定至中央区域210。中央区域210和周边区域220之间的区域被称作中间区域。中央区域210是电子设备10的正投影区域，并且沿Z方向在基体20上与电子设备10重叠。周边区域220是框架60的正投影区域，并且沿Z方向在基体20上与框架60重叠。如图2A和2B所示，电子设备10固定至基体20的中央区域210，接合构件72介于中央区域210和电子设备10的背面102之间。接合构件72可以是导体或绝缘体。接合构件72可以具有高热导率，并且可以包含金属颗粒。接合构件72的热导率可以在0.1ff/m.K以上。
[0023]容器70具有面向容器70内侧(内部空间80)的内部端子5和面向容器70外侧的外部端子7。内部端子5和外部端子7经由埋设在基体20中作为内部接线的埋设部6彼此电连接。内部端子5和外部端子7设置在基体20的表面上并且固定至基体20。
[0024]多个内部端子5设置为形成内部端子组。在本实施例中，两个内部端子组沿Y方向设置为两行，每一个内部端子组由沿X方向设置为一行的七个内部端子5形成。多个外部端子7设置为形成外部端子组。在本实施例中，外部端子组在基体20的背侧沿X方向和Y方向设置成多行和多列。内部端子5和外部端子7不是必须以这种方式设置，而是可以设置成任意的构造。如图2A和2B所示，设置了内部端子5的表面被定义为基准面202。在本实施例中，电子设备10和框架60固定至设置了内部端子5的基准面202。内部端子5设置在基体20的中央区域210和周边区域220之间的中间区域上。
[0025]在电子部件100中，电子设备10上的电极3经由相应的连接导体4电连接至容器70中相应的内部端子。在本实施例中，电极3和内部端子5通过引线接合而连接，并且连接导体4是金属线(接线)。可选地，电极3和内部端子5可以是彼此连接的覆晶封装(flip-chip)。在此情况下，电极3设置在电子设备10的背面102上，内部