40]距离Dl具体地是结合部分410和基体20的周边区域220之间的距离。距离Dl可以等于低热导率构件50的在高热导率构件40和基体20之间的厚度T2与接合构件71的在高热导率构件40和基体20之间的厚度之和，但是在高热导率构件40和基体20之间，低热导率构件50和接合构件71中的一方可以不存在。
[0041]距离D2具体地是结合部分410和盖30的与框架60重叠的部分之间的距离。距离D2可以等于低热导率构件50的在高热导率构件40和盖30之间的厚度T3与接合构件73的在高热导率构件40和盖30之间的厚度之和，但是在高热导率构件40和盖30之间，低热导率构件50和接合构件73中的一方可以不存在。
[0042]距离D3具体地是电子设备10和基体20的中央区域210之间的距离。距离D3可以是接合构件72在电子设备10和基体20之间的厚度，但是接合构件72可以不存在。
[0043]为了有效地实现高热导率构件40的散热效果和低热导率构件50的隔热效果，框架60设置成使得满足关系式D1〈D2。也就是说，与Dl 3D2的情况相比，通过使高热导率构件40和基体20之间的距离Dl更小以使高热导率构件40更接近基体20，就可以使从基体20到高热导率构件40的热传导性更高。另一方面，与Dl > D2的情况相比，通过使高热导率构件40和盖30之间的距离D2更大以使高热导率构件40远离盖30，就可以使高热导率构件40和盖30之间的隔热水平更高。
[0044]还可以满足关系式D3〈D1。与D3 > Dl的情况相比，通过使电子设备10和基体20之间的距离D3更小以使电子设备10更接近基体20，就可以使从电子设备10到基体20的热传导性更高。为了满足D3〈D1，低热导率构件50可以不在电子设备10和基体20的中央区域210之间延伸。
[0045]图2A和2B示出了厚度Tl，该厚度Tl是高热导率构件40的结合部分410在Z方向上的长度。图2A和2B还示出了厚度T2和厚度T3，厚度T2是低热导率构件50在高热导率构件40和基体20之间的沿Z方向的长度，厚度T3是低热导率构件50在高热导率构件40和盖30之间的长度。可以满足T1>T2、T1>T3和T2〈T3中的至少一项。满足Τ2〈Τ3在满足关系式D1〈D2时有效。
[0046]厚度Tl可以在0.2mm到2mm的范围内。如果高热导率构件40的厚度Tl在0.2mm以上，那么不仅可以确保固定至例如电子装置的壳体所必须的刚性，而且可以确保充分的散热性能。但是，如果高热导率构件40的厚度Tl超过2_，那么容器70就变得过大。框架60的扩张部分420沿Z方向的长度(厚度)可以大于结合部分410的厚度Tl。但是，扩张部分420的厚度不能超过从基体20的背面到盖30的外表面301的长度。也就是说，扩张部分420的厚度不能超过容器70的厚度。
[0047]低热导率构件50在高热导率构件40和基体20之间的厚度T2优选地200 μ m以下，并且更优选地在70 μ m以下。如果低热导率构件50的厚度T2在70 μ m以下，那么就可以减少对从基体20到高热导率构件40的热传导的干扰。
[0048]低热导率构件50在高热导率构件40和盖30之间的厚度T3可以在70 μ m到2mm的范围内。如果低热导率构件50的厚度T3在70 μ m以上，那么低热导率构件50完全可以用作应对应力的缓冲器，所述应力通过由温度变化导致的热膨胀或热收缩而产生，所述温度变化与制造期间的热处理或使用期间的环境变化相关联。因此，可以降低接合面上的应力负荷并实现高接合可靠性。低热导率构件50的用作缓冲器的功能随着厚度T3的增大而增强。但是，为了避免容器70尺寸的过度增大，厚度T3可以设定在200 μ m以下。低热导率构件50的厚度T3可以大于接合构件73的厚度。也就是说，可以满足T3>D2-T3。
[0049]与距离D3相对应的接合构件72的厚度优选地在50 μ m以下，并且更优选地在20 μ m以下。如果接合构件72的热导率在0.1ff/m.K以上且接合构件72的厚度在50 μ m以下，那就可以确保从电子设备10到基体20的非常良好的热传导。接合构件71的热导率可以在0.lW/m*K以上。接合构件71的厚度可以在20μπι到200μπι的范围内。接合构件73的厚度可以在ΙΟμπι到100 μ m的范围内，并且优选地在50 μ m以下。由于低热导率构件50的存在提供了隔热和附着性方面的优点，因此接合构件73的厚度可以制造得比接合构件71的厚度更小。通过使接合构件73的厚度更小，可以改善气密性。
[0050]在由低热导率构件50形成内缘603的至少一部分时，可以减少从高热导率构件40到内部空间80的散热并提高经由扩张部分420的散热效率。而且，还可以抑制内部空间80中的温度上升。更优选的是由低热导率构件50形成内缘603的整个周边。
[0051]在高热导率构件40由金属制成时，如果金属向内缘603露出，那么内缘603上的光反射就会影响到摄像或显示图像的画质。因此，内缘603可以由吸收可见光的黑色或灰色材料制成。在内缘603由黑色或灰色的低热导率构件50形成时，能够减少框架60的内缘603上的光反射。由于能够减少从框架60的内缘603反射到电子设备10中的入射光，因此可以提闻画质。
[0052]作为本发明的第二实施例，将介绍电子部件100的另一个示例。第二实施例与第一实施例的区别主要是基体20的形状。其他的与第一实施例中相同的内容将不再介绍。图3A和3B示出了电子部件100的一种变型，并且是与图2A和2B所示相对应的部分的剖面图。
[0053]图3A和3B示出的变形与图2A和2B示出的第一实施例中的电子部件100的区别在于基体20具有凹部。具体地，图3A和3B示出的基体20的中央区域210和周边区域220之间的中间区域具有台阶部和阶差部。台阶部是沿X方向和Y方向延伸的部分，而阶差部是位于不同高度的两个台阶部之间的、并且沿Z方向延伸的部分。因此，在第二实施例中，图2A和2B中的基准面202可以称作基准台阶部202。如图3A和3B所示，上台阶部204位于沿Y方向比内部端子组更加靠近容器70的外缘(也就是更加靠近基体20的外缘205)的位置。上台阶部204从基准台阶部202升高。也就是说，在Z方向上，上台阶部204比基准台阶部202更靠近盖30。阶差部203位于基准台阶部202和上台阶部204之间。阶差部203隔着一部分内部空间80面向连接导体4。
[0054]在图3A和3B示出的示例中，基体20具有下台阶部200以及基准台阶部202和上台阶部204。下台阶部200比内部端子组更加远离基体20的外缘205。也就是说，下台阶部200位于基体20的内部端子组的内侧。下台阶部200从基准台阶部202经由阶差部201而下降。也就是说，在Z方向上，下台阶部200的位置比内部端子组更加远离盖30，其中阶差部201位于下台阶部200和内部端子组之间。阶差部201隔着一部分内部空间80面向电子设备10的侧面105。基准台阶部202位于上台阶部204和下台阶部200之间。因此，基准台阶部202可以被称作中间台阶部。如图3B所示，在X方向上的没有内部端子5的地方，在下台阶部200和上台阶部204之间不设置基准台阶部202，并且阶差部203位于上台阶部204和下台阶部200之间。与在Y方向上相同，在X方向上，中间台阶部可以设置在上台阶部204和下台阶部200之间。但是，在没有内部端子5的地方可以不设置这样的中间台阶部，原因是容器70已经比所需要的更大。
[0055]为了制造具有凹部的陶瓷层压体，与在第一实施例中形成用于基体20的板件一样，堆叠用框架模具冲压的多块半成品片材(green sheet)以形成陶瓷框架坯件。上述的陶瓷层压体可以通过压制和烧制板件和框架构件而制成。如图3A和3B所示，陶瓷层压体具有凹部，所述凹部具有阶差部203和阶差部201。阶差部203连接基准台阶部202和上台阶部204，阶差部201连接基准台阶部202和下台阶部200。内部端子5设置在基准台阶部202上。与第一实施例中的构造相比，通过本构造能够提供具有高散热性能的电子部件。
[0056]在第二实施例中，如图3A所示，在扩张部分420的宽度W2(参见图3B)小于结合部分410的宽度Wl (参见图3B)的一侧，框架60的外缘605由低热导率构件50形成。如图3B所示，在扩张部分420的宽度W2大于结合部分410的宽度Wl的一侧，框架60的外缘605由高热导率构件40形成。在容器70的四个侧部当中，仅有扩张部分420的宽度W2大于结合部分410的宽度Wl的侧部是扩张部分420向外部空间露出的侧部。在宽度W2小于宽度Wl的侧部上，主要是需要向在宽度W2大于宽度Wl的侧部上的扩张部分420传导热量而不是向外部传导热量。因此，在宽度W2小于宽度Wl的侧部上，外缘605通过低热导率构件50与外部空间隔热。这就提高了在