Outline Transistor)的电子部件以及薄型小尺寸封装(TSOP, ThinSmall Outline Package)的电子元件。因此，根据示例性实施例的电子部件与标准封装完全兼容(特别是与标准TO封装概念完全兼容)，并且外部呈现为对用户非常便利的常规电子部件。
[0039]在实施例中，电子部件进一步包括由散热元件和被布置在再分配结构上的电子元件组成的组中的至少一个。这种一个或多个散热元件可由导热材料(比如，铝或铜)制成，并且可充当热转移结构。该一个或多个电子元件可以是比如至少一个电容、至少一个欧姆电阻器、至少一个电感/线圈的元件。例如，此种电子元件可以是调谐电容。此种散热元件和/或电子元件还可被埋置于封装中，并且可被装配在再分配结构上(例如，在其图案化的重新分布层上)。
[0040]在实施例中，方法包括通过将多个相互连接的电绝缘并且导热的热接口结构连接至在热接口结构上的多个相互连接的导电装配结构形成装置，装配多个电子芯片，其中的每个芯片被装配在装配结构中指定的一个结构上，以及形成多个相互连接的导电再分配结构，其中的每个结构装配在电子芯片中指定的一个芯片上。因此，所描述的制造架构的方法与批量处理高度兼容，从而允许高效地并行地制造许多电子设备，而不是执行连续的步骤。[0041 ] 在实施例中，方法进一步包括在形成封装之后，使该装置单个化成为电子部件和至少一个另外的电子部件。因此，封装也可在批量的水平上高效地执行。对于封装，可使用塑料材料或者陶瓷材料。单个化或者可在形成封装之前执行。其可通过锯切、激光处理、蚀刻等来执行。
[0042]在实施例中，该方法进一步包括将多个外围连接结构(特别是多个相互连接的外围连接结构)电耦接至相互连接的导电再分配结构，其中多个外围连接结构被配置为用于连接电子外围。因此，形成外围连接结构或者连接外围连接结构的步骤也可以在批量的水平上(也就是，同时用于多个电子部件)形成一个相同布置的部分来执行。
[0043]在一个实施例中，电子芯片可被用作微机电系统(mems, microelectromechanicalsystem)中的传感器或者致动器(例如，作为压力传感器和加速度传感器)。在另一个实施例中，电子芯片可被用作用于功率应用(例如，在汽车领域中)的半导体芯片，并且例如可具有至少一个集成的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和/或只是一个集成的二极管。
[0044]由于衬底或晶片形成电子芯片的基础，可使用半导体衬底(优选为硅衬底)。或者，可提供氧化硅衬底或者另一种绝缘衬底。也有可能实施锗衬底或II1-V族半导体材料。例如，示例性实施例可以以GaN技术或者SiC技术实施。
[0045]此外，示例性实施例可使用标准半导体材料技术(比如，适当的蚀刻技术(包括各向同性蚀刻技术和各向异性蚀刻技术，特别是等离子蚀刻、干蚀刻、湿蚀刻))、图案化技术(其可涉及光刻掩模)、沉积技术(比如，化学气相沉积(CVD, chemical vapordeposit1n)、等离子增强化学气相沉积(PECVD, plasma enhanced chemical vapordeposit1n)原子层沉积(ALD, atomic layer deposit1n)，派身寸(sputtering))。
[0046]通过下面【具体实施方式】和所附权利要求，并结合附图，上述的对象、特征和优点和其他对象、特征和优点将是显而易见的，其中相似的部分或元件用相似的标号表示。
【附图说明】
[0047]【附图说明】了示例性实施例，其被包括在说明书中以提供对示例性实施例的进一步理解并构成说明书的一部分。
[0048]附图中:
[0049]图1至图4示出了在根据示例性实施例制造电子部件的方法实施期间所获得的不同结构；
[0050]图5示出了一种依照示例性实施例制造的电子部件的爆炸图，该示例性实施例实施了参考图1至图4说明的程序；
[0051]图6至图8示出了封装之前和封装之后，根据图1至图5制造电子部件的方法实施期间所获得结构的三维视图；
[0052]图9示出了一种半桥电路；
[0053]图10示出了一种根据示例性实施例的电子部件的剖视图，该示例性实施例提供了根据图9的半桥功能；
[0054]图11示出了图10的电子部件的平面图；
[0055]图12示出了根据另一个示例性实施例的电子部件的剖视图，该示例性实施例实现了 MOSFET和IGBT的并联电路；
[0056]图13示出了图12的电子部件的平面图；
[0057]图14至图18示出了根据示例性实施例的步骤的不同剖视图，该示例性实施例是在批量过程(batch process)中制造多个电子部件的方法实施期间获得；
[0058]图19示出了一种根据示例性实施例的电子部件，该电子部件由单个化图18中的装置获得；
[0059]图20示出了封装后的图19的电子部件；
[0060]图21和图22示出了根据另一个示例性实施例的装置的剖视图，在该示例性实施例中在批量过程中执行了外围连接结构和封装的形成。
【具体实施方式】
[0061 ] 附图中的图示是示意性地并且并不按比例。
[0062]根据一个实施例，提供了具有高电压击穿强度和高效热转移性能的基于基板(submount-based)的TO封装(或者任何基于引线框的封装，其可以双侧被暴露以用于双侧冷却的)。
[0063]在TO部件运行期间，电子芯片可由于损耗被加热至高达150°C并且更高的高温(“T结”)。该热量必须被移除至壳体之外，以防止局部过热和导致电子部件故障。此外，此电子器件，特别是当被用于高功率应用时，要求可靠的高电压击穿强度(例如，高达1kV)。对于该要求，需要适当的权衡。
[0064]常规上，可使用由电绝缘并且导热的材料制成的热接口结构，该结构可以以特别适合的填充材料以优化所期望的性能。在装配期间难以将此种热接口材料(TIM, thermalinterface material)(例如，特定配置的陶瓷)親接至铜载体之上，因为这种连接形成导热屏障。
[0065]另一种传统解决方案被称为FuIIPAK壳体，然而其在通过热传递将热移除至组件外部的冷却体方面的有关性能上具有一些限制。在这种FuIIPAK壳体中，热传递基本通过具有受限的热传导性的封装来执行。
[0066]为了克服传统限制，示例性实施例提供了导热并且电绝缘的热接口结构，该热接口结构能够在将电子芯片装配至装配结构(比如，铜载体)上之前，在实际装配步骤之外高容量地被附接。因此，能够增加为热接口结构特定选择功能材料的自由度，例如，在更高填充百分比方面。此外，通过适当材料选择，能够在铜载体处提升导热材料粘合性。例如，有可能在热接口结构上层压装配结构或者电流上使装配结构生长。这种用于为电子部件制造基板的过程能够在批量水平(即，并行地制造大量的电子部件)上执行。或者，也有可能将直接铜键合(DCB)衬底实施为提供热接口结构和装配结构的结合的芯片载体。
[0067]此概念也可允许省略传统的用于将引线框的引脚接触至电子芯片的上表面的导线键合。因此，芯片埋置技术可被实施，其中在制造效率方面的面板规模能被提升。
[0068]由于提升的热传导性同时增加了电压击穿强度，此种架构具有增加了 TO(ThinOutline)壳体的性能的优点。由于电子芯片的整个表面的耦接(通过再分配结构)而不是仅具有薄的导线连接，还有可能通过电子部件的上侧提升冷却。此外，涉及的电感能被降低。电子部件的电性能的可靠性可通过设计中所增加的爬电距离(creeping distance)而被增加。因此，爬电电流从电子部件的外部向装配结构和电子芯片的传播长度可通过热接口结构的适当配置而被增加。设计的自由度独立于于布线技术的要求而被增加，并且小型化的可能进一步被提高。后面的优点可通过子模块的收缩来完成。这保持独立于外部壳体的几何形状。同时，没有必要改编壳体的尺寸，这增加了用户便利性。由于适当的电性能，可能的应用范围(特别是电流值/电压值)被延伸。还有可能以合理的成本来制造电子设备。不需要发展特定的制造装置，因为可协同地结合公知的芯片埋置技术的步骤。电子部件内部的电隔离可被提升，并且通过自由地选择用于该热接口结构的材料的机会来提升芯片的稳定鲁棒性。此外，通过在该热接口结构的位置处通过锯切来单个化。在向上的方向上的冷却可以通过连接到引线框(双规引线框(dual gage Ieadframe))的散热体得到提升。这可以通过具有特定的引线框设计的夹或焊接连接来完成。通过这种对应的引线框设计，电流峰能被抑制(例如，当接通该电子部件时)。此外，有可能使用所描述的架构以集成另外的有源部件和/或无源部件(比如，电感、电容、传感器等)。
[0069]因此，示例性实施例允许提升电子部件的性能和可靠性。这能够通过提升向散热体或冷却体的散热来完成，并且可降低电子部件的电感。
[0070]根据所描述的方面，子模块可使用层压技术和埋置技术被提供。有可能使用具有适当热传导性和适当电绝缘性能并且常规不容易在模制步骤中实施的材料。此外，有可能依照常规的引线框壳体(比如，TO 220.T0247等)配置对应的电子部件。
[0071]根据另一个方面，以其主表面被平坦的装配结构和平坦的再分配结构完全覆盖而夹在中间的上述的一个或多个芯片的子模块可(与热接口结构一起或不与热接口结构一起)被用于形成多芯片电路。装配结构和/再分配结构可在此被配置为具有在其中埋置有多个导电插入件的绝缘基体。这允许在半导体功率壳体中提升可靠性和多芯片装配中设计的自由度。
[0072]图1示出了用作基础的结构100的三维视图，该基础用于实施图5中所示的电子部件500的制造方法。
[0073]结构100包括电绝缘并且导热的热接口结构102。例如，热接口结构102可包括陶瓷材料或者由陶瓷材料组成，并且可具有填料粒子，以促进导热同时抑制导电。导电层被形成在热接口结构10