部件500，图19中所示的电子部件500被作为封装步骤的对象，因此形成封装516。此外，热接口结构102可被连接至作为冷却体的散热体 202。
[0101]如能够从图19和图20所获得的，外围连接结构508的形成以及封装516的形成对于每个电子部件500单独地被执行。然而，如能够从图21和图22所获得的，这些步骤中的一个或者两个也可以在批量水平上被执行。
[0102]如能够从图21所示的装置2100所获得的，有可能将组成各外围连接结构508的引线框的引脚连接至再分配结构1802，从而形成多个相互连接的外围连接结构2102(每个均由图21的最上部分的部分定义)。
[0103]如能够从图22所获得的，装置2200通过在图21中的装置2100的顶部上沉积封装材料516获得。如由图22中垂直虚线所表明，装置2200可然后被单个化以形成单个电子部件500。
[0104]应该注意的是，术语“包括(comprising)”并不排除其他元件或特征，并且术语“一(a或an)”并不排除复数。与不同实施例联系描述的元件也可被结合。还应当注意的是，附图标记不应当解释为限制权利要求的范围。此外，本申请的范围并不旨在限制于说明书中所描述的过程、机器、制造、物质组分、装置、方法和步骤的特别实施例。因此，所附权利要求旨在将这些过程、机器、制造、物质组分、装置、方法或步骤包括在其范围之内。
【主权项】
1.一种电子部件，所述电子部件包括 导电装配结构； 电子芯片，其在所述导电装配结构上； 导电再分配结构，其在所述电子芯片上； 外围连接结构，其被电耦接至所述再分配结构并且被配置为将所述电子部件连接至电子外围。
2.如权利要求1所述的电子部件， 其中，所述导电装配结构和所述导电再分配结构中的至少一个包括电绝缘基体中的导电插入件。
3.如权利要求1所述的电子部件， 其中，所述导电装配结构和所述导电再分配结构中的至少一个被成形为平面结构，所述平面结构完全覆盖所述电子芯片的相应主表面。
4.如权利要求1所述的电子部件， 其中，所述导电装配结构和所述导电再分配结构中的至少一个被配置为多层结构。
5.如权利要求2所述的电子部件， 其中，包括所述再分配结构和所述装配结构的组中的至少一个包括图案化的再分配层和被布置在所述电子芯片和所述再分配层之间的中间结构，其中所述中间结构包括所述电绝缘基体和所述基体中的所述导电插入件，其中所述导电插入件用于使所述电子芯片的至少一个接触焊盘与所述再分配层电耦接。
6.如权利要求2所述的电子部件， 其中，所述导电插入件中不同的插入件被电耦接至所述电子芯片的接触焊盘中不同的接触焊盘，其中所述基体使所述不同接触焊盘彼此电去耦。
7.如权利要求2所述的电子部件，其中所述电子部件包括: 另外的电子芯片，其中所述导电插入件中的至少一个插入件被电耦接至所述电子芯片，并且所述导电插入件中的至少另一个插入件被电耦接至所述另外的电子芯片。
8.如权利要求1所述的电子部件，其中所述电子部件进一步包括: 封装件，所述封装件至少封装所述电子芯片、所述再分配结构、所述装配结构和部分的所述外围连接结构。
9.如权利要求8所述的电子部件， 其中，所述外围连接结构的一部分、以及可选地电绝缘并且导热的热接口结构的一部分或导电载体结构的一部分延伸超出所述封装件，以保持被暴露于环境，其中，所述导电装配结构被装配在所述导电载体结构上接口。
10.如权利要求1所述的电子部件， 其中，所述电子部件进一步包括 导电载体结构，特别是引线框，所述导电装配结构被布置在所述导电载体结构上。
11.如权利要求1所述的电子部件， 其中，所述电子部件进一步包括 至少一个电绝缘并且导热的热接口结构。
12.如权利要求11所述的电子部件， 其中，所述电子部件进一步包括 散热体，其被附接至或将被附接至所述热接口结构，用于耗散在所述电子部件运行期间由所述电子芯片生成的热量。
13.如权利要求1所述的电子部件， 其中，所述电子芯片被配置为功率半导体芯片。
14.如权利要求1所述的电子部件， 其中，所述外围连接结构被配置为至少一个导电管脚，特别是多个导电管脚。
15.如权利要求14所述的电子部件， 其中，所述至少一个导电管脚中的每个腿具有第一连接部分和相对的第二连接部分，所述第一连接部件被电连接至所述再分配结构，并且所述第二连接部件被配置为用于被插入作为所述电子外围的基板的插入位置中。
16.如权利要求1所述的电子部件， 其中，所述电子部件被配置为由以下项组成的组中的一项:半桥、共源共栅电路、由彼此并联连接的场效应晶体管和双极型晶体管组成的电路，以及功率半导体电路。
17.如权利要求1所述的电子部件， 其中，所述电子部件进一步包括 另外的电子芯片，其在所述装配结构上，其中所述导电再分配结构被布置在所述另外的电子芯片上， 其中所述电子芯片被配置为半导体功率芯片，特别是场效应晶体管或者双极型晶体管，以及 其中所述另外的电子芯片被配置为控制芯片，特别是驱动器或者控制器。
18.如权利要求1所述的电子部件， 其中，所述电子部件进一步包括 另外的电子芯片，其在所述装配结构上，其中所述导电再分配结构被布置在所述另外的电子芯片上，以及 其中被配置为低边开关的所述电子芯片和被配置为高边开关的所述另外的电子芯片被环接为半桥电路。
19.如权利要求1所述的电子部件， 其中，所述电子部件进一步包括 另外的电子芯片，其在所述装配结构上，其中所述导电再分配结构被布置在所述另外的电子芯片上，以及 其中被配置为第一晶体管特别是场效应晶体管的所述电子芯片和被配置为第二晶体管特别是双极型晶体管的所述另外的电子芯片被环接为并联电路。
20.如权利要求1所述的电子部件， 所述电子部件被配置为由以下项组成的组中的一项:引线框连接功率模块、晶体管外形电子部件、方形扁平无引线封装电子元件、小外形电子部件、小外形晶体管电子部件以及薄型小尺寸封装电子元件。
21.如权利要求1所述的电子部件，进一步包括 以下项组成的组中的至少一项:散热元件以及被布置在所述再分配结构上的电子元件。
22.—种制造电子部件的方法，所述方法包括: 在导电装配结构上装配电子芯片； 在所述电子芯片上布置导电再分配结构； 将外围连接结构电耦接至所述再分配结构，并且将所述外围连接结构配置为将所述电子部件连接至电子外围； 将所述导电装配结构和所述导电再分配结构中的至少一个结构配置为具有在电绝缘基体中的导电插入件。
23.如权利要求22所述的方法， 其中所述方法进一步包括 将电绝缘并且导热的热接口结构连接至所述导电装配结构。
24.如权利要求22所述的方法， 其中所述方法进一步包括 形成封装件，所述封装件至少封装所述电子芯片、所述再分配结构、所述装配结构以及部分所述外围连接结构。
25.如权利要求22所述的方法， 其中所述方法包括通过以下项形成布置: 将多个相互连接的电绝缘并且导热的热接口结构连接至多个相互连接的导电装配结构； 装配多个电子芯片，其中的每个芯片均被装配在所述装配结构中指定的一个结构上；形成多个相互连接的导电再分配结构，其中的每个结构被装配在所述电子芯片中指定的一个芯片上。
26.如权利要求25所述的方法， 其中所述方法进一步包括 在所述形成的步骤以后，使所述布置单个化成所述电子部件和至少一个另外的电子部件。
27.如权利要求22所述的方法， 其中所述方法进一步包括 形成具有再分配层的所述再分配结构以及在所述电子芯片和所述再分配层之间的中间结构，所述中间结构具有所述电绝缘基体和用于使所述电子芯片的接触焊盘与所述再分配结构电耦接的、在所述基体中的所述导电插入件。
28.如权利要求22所述的方法， 其中所述方法进一步包括 将多个外围连接结构特别是多个相互连接的外围连接结构电耦接至所述相互连接的导电再分配结构，其中所述多个外围连接结构被配置为连接至电子外围。
29.一种装置，所述装置包括: 多个相互连接的导电装配结构； 多个电子芯片，其中的每个芯片被装配在所述装配结构中指定的一个结构上； 多个相互连接的导电再分配结构，其中的每个结构被装配在所述电子芯片中指定的一个芯片上； 其中所述导电装配结构和所述导电再分配结构中的至少一个包括在电绝缘基体中的导电插入件。
30.如权利要求29所述的装置， 其中所述装置进一步包括 多个相互连接的电绝缘并且导热的热接口结构，其中所述多个相互连接的导电装配结构被装配在所述多个相互连接的电绝缘并且导热的热接口结构上。
31.如权利要求30所述的装置， 其中所述装置进一步包括 封装件，所述封装件至少封装所述电子芯片、所述再分配结构和所述装配结构。
32.如权利要求29所述的装置， 其中所述装置进一步包括 多个外围连接结构，特别是多个相互连接的外围连接结构，其被电耦接至所述相互连接的导电再分配结构， 其中所述多个外围连接结构被配置为连接至电子外围。
【专利摘要】一种电子部件包括导电装配结构、装配结构上的电子芯片、电子芯片上的导电再分配结构，以及被电耦接至再分配结构并被配置为用于将电子部件连接至电子外围的外围连接结构，其中导电装配结构和导电再分配结构中的至少一个包括在电绝缘基体中的导电插入件。
【IPC分类】H01L23-498, H01L21-60
【公开号】CN104659012
【申请号】CN201410662767
【发明人】M·门格尔, E·富尔古特, R·奥特雷姆巴, J·赫格尔
【申请人】英飞凌科技奥地利有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2014年11月19日
【公告号】DE102014117086A1, US20150145111