布线基板及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及包括多个连接端子部的布线基板及其制造方法，该多个连接端子部供半导体芯片以倒装芯片的方式安装。
【背景技术】
[0002]近年来，用作计算机的微处理器等的半导体集成电路元件(半导体芯片)越发高速化、高功能化，伴随于此，具有这样的倾向:端子数量增多，端子之间的间距也变窄。通常，在半导体芯片的底面配置有许多连接端子，半导体芯片的各连接端子以倒装芯片的方式连接于形成在布线基板上的多个连接端子部。
[0003]更详细而言，布线基板的连接端子部由以铜为主体构成的导体层形成，半导体芯片侧的连接端子借助软钎料凸点(日文:^ > I )等与布线基板的连接端子部连接。对于该布线基板，若相邻的连接端子部之间的间隔变窄，则在连接半导体芯片时，可能会出现这样的问题:软钎料流出至相邻的端子部、布线，端子间发生短路等。为了避免出现这样的问题，提出了一种具有将布线与端子部分割开的抗蚀图案的布线基板(例如，参照专利文献I)。专利文献I的布线基板包括:第I阻焊剂层，其具有供软钎料凸点的一部分埋入的第I开口部；以及第2阻焊剂层，其设在该第I阻焊剂层之上，并且该第2阻焊剂层具有供软钎料凸点穿过的第2开口部。在布线基板中，第2阻焊剂层以包围交错配置的连接端子部之上的软钎料凸点的方式形成为格子状。通过设置第2阻焊剂层，能够防止在连接半导体芯片时软钎料的流出。即，第2阻焊剂层发挥用于防止软钎料流出的堤坝的作用。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:日本特开2008 - 147458号公报
【发明内容】
_7] 发明要解决的问题
[0008]然而，对于专利文献I所公开的布线基板，在缩小连接端子部之间的间距来谋求高密度化时，需要谋求使第2阻焊剂层的图案微细化。另外，第I阻焊剂层和第2阻焊剂层彼此独立地形成，随着抗蚀图案的微细化，第2阻焊剂层与第I阻焊剂层之间的连接面积减小。因此，可能存在这样的问题:第I阻焊剂层与第2阻焊剂层之间的界面强度不充分，第2阻焊剂层的图案发生剥离。
[0009]本发明是鉴于所述问题而做成的，其目的在于提供一种与半导体芯片之间的连接可靠性优异的布线基板。并且，本发明的另一目的在于提供一种能够制造与半导体芯片之间的连接可靠性优异的布线基板的布线基板的制造方法。
[0010]用于解决问题的方案
[0011]并且，作为用于解决所述问题的技术方案(技术方案I)，是一种布线基板，该布线基板具有将一层以上的绝缘层和一层以上的导体层层叠起来而成的层叠体，所述层叠体的最外层的所述导体层包括设在半导体芯片的搭载区域的连接端子部，以供所述半导体芯片以倒装芯片的方式安装，设置阻焊剂层作为所述层叠体的最外层的所述绝缘层，所述连接端子部的表面经形成于该阻焊剂层的开口部暴露出来，该布线基板的特征在于，所述连接端子部具有:连接区域，其是供所述半导体芯片的连接端子借助软钎料连接的区域；以及布线区域，其自所述连接区域沿平面方向延伸设置，所述阻焊剂层具有:侧面覆盖部，其用于覆盖所述连接端子部的侧面；以及凸状壁部，其与所述侧面覆盖部一体地形成，以与所述连接端子部的所述连接区域相交叉的方式突出设置。
[0012]根据技术方案I所述的发明，在阻焊剂层中，与用于覆盖连接端子部侧面的侧面覆盖部一体地形成有凸状壁部，该凸状壁部以与连接端子部的连接区域相交叉的方式突出设置。在此，在谋求布线基板高密度化的情况下，随着布线基板的高密度化而需要缩小阻焊剂层的凸状壁部的宽度。即使在该情况下，由于凸状壁部与侧面覆盖部一体地形成，因此能够确保足够的强度。因而，能够避免出现凸状壁部发生剥离这样的问题。另外，在安装半导体芯片时，凸状壁部作为软钎料堤坝发挥作用，从而能够防止连接区域内的软钎料向布线区域流出，能够可靠地保持连接区域内的软钎料。因此，能够提高布线基板与半导体芯片之间的连接可靠性。
[0013]其中，对于布线基板的连接端子部而言，既可以自连接区域的两侧沿平面方向延伸设置有布线区域，也可以仅自连接区域的一侧沿平面方向延伸设置有布线区域。
[0014]另外，也可以是，在半导体芯片的搭载区域内沿该区域的外周排列有多个连接端子部，多个连接端子部通过阻焊剂层的开口部暴露出来，凸状壁部以与多个布线区域相交叉的方式延伸设置。即使像这样形成凸状壁部，也能够确保足够的强度，因此能够使凸状壁部作为软钎料堤坝发挥作用。因此，通过设置凸状壁部，能够可靠地保持各连接区域内的软钎料，能够提高布线基板与半导体芯片之间的连接可靠性。
[0015]也可以是，凸状壁部与阻焊剂层的用于形成开口部的内壁面一体地形成。如此一来，凸状壁部的强度增大，因此能够可靠地避免出现凸状壁部发生剥离这样的问题。
[0016]也可以是，凸状壁部的宽度为5 μ m以上且50 μ m以下。即使在像这样谋求使阻焊剂层的凸状壁部微细化的情况下，由于凸状壁部与侧面覆盖部一体地形成，因此也能够确保足够的强度。
[0017]在谋求布线基板高密度化的情况下，形成于该布线基板的多个连接端子部之间的端子间距可以为80μπι以下，在谋求进一步高密度化的情况下，多个连接端子部之间的端子间距也可以为40 μ m以下。在像这样缩小端子间距来谋求布线基板高密度化的情况下，连接区域的面积减小，软钎料的使用量减少。在该情况下，像本发明那样形成凸状壁部，能够将软钎料可靠地保持在连接区域内，因此能够充分确保布线基板与半导体芯片之间的连接可靠性。
[0018]此外，对于布线基板，也可以是，多个连接端子部以布线区域的延伸设置方向相互平行的方式排列。在该情况下，对于在排列方向上相邻的连接端子部，也可以是，连接区域设于在与连接端子部的排列方向正交的方向(布线区域的延伸设置方向)上错开的位置，以使连接区域的位置在该排列方向上不重叠。如此一来，能够缩小多个连接端子部之间的端子间距，能够谋求布线基板高密度化。
[0019]作为技术方案I的布线基板，能够列举出将陶瓷绝缘层用作绝缘层的陶瓷布线基板、将树脂绝缘层用作绝缘层的有机布线基板。特别是，若布线基板为有机布线基板，则能够谋求布线的高密度化，因此这一形式的布线基板在采用本发明的结构这一方面是优选的。
[0020]树脂绝缘层也可以利用以热固化性树脂为主体的积层材料形成。作为树脂绝缘层的形成材料的具体例，能够列举出环氧树脂、酚醛树脂、聚氨酯树脂、硅树脂、聚酰亚胺树脂等热固化性树脂。除此之外，也可以使用这些树脂与玻璃纤维(玻璃织布、玻璃无纺布)、聚酰胺纤维等有机纤维的合成材料，或者使用使环氧树脂等热固化性树脂含浸于连续多孔质PTFE等三维网络状氟基树脂基材而成的树脂一树脂合成材料等。
[0021]有机布线基板的导体层以铜为主体构成。在该情况下，通过减成法、半添加法、全添加法等这样的公知的方法形成。具体而言，例如，能够应用铜箔的蚀刻、化学镀铜或电解镀铜等方法。另外，也能够在通过溅射、CVD等方法形成薄膜之后进行蚀刻来形成导体层、或者也能够通过印刷导电性糊剂等来形成导体层。
[0022]作为半导体芯片，能够列举出用作计算机的微处理器的IC芯片、用作DRAM(Dynamic Random Access Memory)的 IC 芯片、用作 SRAM(Static Random AccessMemory)的IC芯片等。
[0023]另外，作为用于解决所述问题的另一技术方案(技术方案2)，是一种布线基板的制造方法，该布线基板具有将一层以上的绝缘层和一层以上的导体层层叠起来而成的层叠体，所述层叠体的最外层的所述导体层包括设在半导体芯片的搭载区域的连接端子部，以供所述半导体芯片以倒装芯片的方式安装，设置阻焊剂层作为所述层叠体的最外层的所述绝缘层，所述连接端子部的表面经形成于该阻焊剂层的开口部暴露出来，该布线基板的制造方法的特征在于，该布线基板的制造方法包括如下工序:导体层形成工序，其是用于形成所述层叠体的最外层的导体层的工序，该导体层形成工序用于形成所述连接端子部，所述连接端子部具有:连接区域，其是供所述半导体芯片的连接端子借助软钎料连接的区域；以及布线区域，其自所述连接区域沿平面方向延伸设置；以及阻焊剂层形成工序，在该阻焊剂层形成工序中，以覆盖所述连接端子部的侧