沟槽的壁上形成热氧化物层。形成P掺杂区可包括:向衬底中注入P掺杂原子；以及实施扩散过程以扩散被注入的P掺杂原子。此外，形成P掺杂区可包括:在η掺杂区上外延地生长P掺杂区。实施阳极氧化可包括:以碱性液体填充该至少一个沟槽；在碱性液体和衬底之间施加电压。在各种实施例中，该方法可进一步包括在ρ掺杂区的至少一部分之上形成另外的P掺杂区，该另外的P掺杂区相比P掺杂区具有更大的P传导性。在阳极氧化期间，该另外的区的至少一部分可被暴露以形成用于该阳极氧化的电接触。此外，在阳极氧化期间，P掺杂区的至少一部分可被暴露以形成用于该阳极氧化的电接触。在各种实施例中，该半导体结构可包括晶体管；其中η掺杂区包括该晶体管的第一源/漏区；其中P掺杂区包括该晶体管的体区；其中另外的η掺杂区包括该晶体管的第二源/漏区；以及其中另外的导电材料包括该晶体管的栅极区。该晶体管可以是功率半导体晶体管。
[0138]在各种实施例中，一种半导体结构被提供。该半导体结构可包括:衬底；在该衬底中的η掺杂区；在衬底中形成与η掺杂区相邻的ρ掺杂区；覆盖该衬底的表面的氧化物层，其中该氧化物层沿η掺杂区延伸的第一部分相比在沿ρ掺杂区延伸的第二部分中的该氧化物层具有更大的厚度，其中氧化物层的第一部分在远离衬底的方向上比氧化物层的第二部分具有更大的长度，氧化物层的第一部分比氧化物层的第二部分具有更大的进入所述η掺杂区中的长度。。
[0139]该半导体结构可进一步包括:在衬底中的至少一个沟槽，该沟槽穿过P掺杂区延伸至η掺杂区之中；以及被形成在该至少一个沟槽中的导电材料，其中氧化物层覆盖该至少一个沟槽的侧壁和底部，并且其中该氧化物远离衬底的长度方向是进入该至少一个沟槽之内的方向。
[0140]此外，该半导体结构可包括在该至少一个沟槽之内的导电材料之上的介电层；在该介电层之上的另外的导电材料；其中该另外的导电材料与导电材料通过该介电层被电隔离。在各种实施例中，该导电材料可形成在该至少一个沟槽之内的场板。而且，该半导体结构可进一步包括在该至少一个沟槽的壁上的热氧化物层。该半导体结构可进一步包括在P掺杂区的至少一个部分之上的第二 P掺杂区。此外，该半导体结构可进一步包括晶体管；其中η掺杂区可包括该晶体管的第一源/漏区；其中P掺杂区可包括该晶体管的体区；其中另外的η掺杂区可包括该晶体管的第二源/漏区；以及其中另外的导电材料可包括该晶体管的栅极区。在各种实施例中，该晶体管可以是功率半导体晶体管。
[0141]在各种实施例中，一种制造半导体结构的方法被提供。该方法可包括:在衬底中形成与η掺杂区相邻的P掺杂区；在衬底中形成至少一个沟槽，该沟槽穿过P掺杂区延伸至η掺杂区之中；实施阳极氧化以在该至少一个沟槽的侧壁上形成氧化物层；以及在该至少一个沟槽中形成导电材料。
[0142]在各种实施例中，该方法可进一步包括在该至少一个沟槽之内在导电材料之上形成介电层；以及在该介电层之上形成另外的导电材料，其中该另外的导电材料与导电材料通过介电层被电隔离。形成P掺杂区可包括:在η掺杂区上外延地生长ρ掺杂区。此外，实施阳极氧化可包括:以碱性液体填充该至少一个沟槽；在该碱性液体和衬底之间施加电压。在各种实施例中，该方法可进一步包括在P掺杂区的至少一部分之上形成另外的P掺杂区，该另外的P掺杂区相比P掺杂区具有更大的P传导性。在各种实施例中，在阳极氧化期间，该另外的P掺杂区的至少一部分可被暴露以形成用于该阳极氧化的电接触。此外，在阳极氧化期间，P掺杂区的至少一部分可选择性地被暴露以形成用于该阳极氧化的电接触。在各种实施例中，该半导体结够可包括功率半导体晶体管。
[0143]虽然本发明已参考特定的实施例特别地进行说明和描述，但应当理解的是，不脱离由本发明所附权利要求所定义的精神和范围，本领域的技术人员将能在形式和细节上的作出各种变化。因此，本发明的范围由所附权利要求表明，并且因此在权利要求的等同物的意义和范围之内的所有变化都旨在被涵盖。
【主权项】
1.一种制造半导体结构的方法，所述方法包括: 在衬底中形成与η掺杂区相邻的P掺杂区；以及 实施阳极氧化以在所述衬底的表面上形成氧化物层，其中沿所述η掺杂区延伸的所述表面的第一部分中的所述氧化物层相比沿所述P掺杂区延伸的所述表面的第二部分中的所述氧化物层具有更大的厚度。
2.如权利要求1所述的方法，进一步包括: 在所述衬底中形成至少一个沟槽，所述沟槽穿过所述P掺杂区延伸至所述η掺杂区之中；以及 在所述至少一个沟槽中形成导电材料， 其中所述阳极氧化在所述至少一个沟槽的壁上形成所述氧化物层。
3.如权利要求2所述的方法，进一步包括: 在所述至少一个沟槽之内的所述导电材料之上形成介电层；以及在所述介电层之上形成另外的导电材料，其中所述另外的导电材料与所述导电材料通过所述介电层被电隔离。
4.如权利要求3所述的方法， 其中所述导电材料形成在所述至少一个沟槽之内的场板。
5.如权利要求2所述的方法，进一步包括: 在实施所述阳极氧化之前，实施热氧化以在所述至少一个沟槽的所述壁上形成热氧化物层。
6.如权利要求2所述的方法， 其中形成所述P掺杂区包括: 向所述衬底中注入P掺杂原子；以及 实施扩散过程以扩散所述被注入的P掺杂原子。
7.如权利要求1所述的方法， 其中形成所述P掺杂区包括: 在所述η掺杂区上外延地生长所述P掺杂区。
8.如权利要求2所述的方法， 其中实施所述阳极氧化包括: 以碱性液体填充所述至少一个沟槽； 在所述碱性液体和所述衬底之间施加电压。
9.如权利要求1所述的方法，进一步包括: 在所述P掺杂区的至少一部分之上形成另外的P掺杂区，所述另外的P掺杂区相比所述P掺杂区具有更大的P传导性。
10.如权利要求9所述的方法， 其中在所述阳极氧化期间，所述另外的区的至少一部分被暴露以形成用于所述阳极氧化的电接触。
11.如权利要求1所述的方法， 其中在所述阳极氧化期间，所述P掺杂区的至少一部分被暴露以形成用于所述阳极氧化的电接触。
12.如权利要求1所述的方法， 其中所述半导体结构包括晶体管； 其中所述η掺杂区包括所述晶体管的第一源/漏区； 其中所述P掺杂区包括所述晶体管的体区； 其中另外的η掺杂区包括所述晶体管的第二源/漏区；以及 其中所述另外的导电材料包括所述晶体管的栅极区。
13.—种半导体结构，包括: 衬底； η掺杂区，其在所述衬底中； P掺杂区，其在所述衬底中与所述η掺杂区相邻； 氧化物层，其覆盖所述衬底的表面，其中沿所述η掺杂区延伸的所述氧化物层的第一部分相比在沿所述P掺杂区延伸的第二部分中的所述氧化物层具有更大的厚度，其中，所述氧化物层的所述第一部分在远离所述衬底的方向上比所述氧化物层的所述第二部分具有更大的长度，所述氧化物层的所述第一部分比所述氧化物层的所述第二部分具有更大的进入所述η掺杂区中的长度。
14.如权利要求13所述的半导体结构，进一步包括: 至少一个沟槽，其在所述衬底中，所述沟槽穿过所述P掺杂区延伸至所述η掺杂区之中；以及 导电材料，其被形成在所述至少一个沟槽中， 其中所述氧化物层覆盖所述至少一个沟槽的侧壁和底部，并且其中所述氧化物层的远离所述衬底的所述长度的方向是进入所述至少一个沟槽之内的方向。
15.如权利要求14所述的半导体结构，进一步包括: 介电层，其在所述至少一个沟槽之内的所述导电材料之上；以及 另外的导电材料，其在所述介电层之上； 其中所述另外的导电材料与所述导电材料通过所述介电层被电隔离。
16.如权利要求14所述的半导体结构， 其中所述导电材料形成在所述至少一个沟槽之内的场板。
17.如权利要求14所述的半导体结构，进一步包括: 热氧化物层，其在所述至少一个沟槽的壁上。
18.如权利要求13所述的半导体结构，进一步包括: 第二 P掺杂区，其在所述P掺杂区的至少一个部分之上。
19.如权利要求13所述的半导体结构， 其中所述半导体结构包括晶体管； 其中所述η掺杂区包括所述晶体管的第一源/漏区； 其中所述P掺杂区包括所述晶体管的体区； 其中另外的η掺杂区包括所述晶体管的第二源/漏区；以及 其中所述另外的导电材料包括所述晶体管的栅极区。
20.一种制造半导体结构的方法，所述方法包括: 在衬底中在η惨杂区之上形成P惨杂区； 在所述衬底中形成至少一个沟槽，所述沟槽穿过所述P掺杂区延伸至所述η掺杂区之中； 实施阳极氧化以在所述至少一个沟槽的壁上形成氧化物层；以及 在所述至少一个沟槽中形成导电材料。
21.如权利要求20所述的方法，进一步包括: 在所述至少一个沟槽之内的所述导电材料之上形成介电层；以及 在所述介电层之上形成另外的导电材料， 其中所述另外的导电材料与所述导电材料通过所述介电层被电隔离。
22.如权利要求20所述的方法， 其中形成所述P掺杂区包括: 在所述η掺杂区上外延地生长所述P掺杂区。
23.如权利要求20所述的方法， 其中实施所述阳极氧化包括: 以碱性液体填充所述至少一个沟槽； 在所述碱性液体和所述衬底之间施加电压。
24.如权利要求20所述的方法， 其中在所述阳极氧化期间，所述P掺杂区的至少一部分被暴露以形成用于所述阳极氧化的电接触。
【专利摘要】提供一种制造半导体结构的方法，其可包括：在衬底中形成与n掺杂区相邻的p掺杂区；实施阳极氧化以在衬底表面上形成氧化物层，其中在表面沿n掺杂区延伸的第一部分中的氧化物层比在表面沿p掺杂区延伸的第二部分中的氧化物层具有更大的厚度。
【IPC分类】H01L29-40, H01L29-78, H01L21-316
【公开号】CN104701160
【申请号】CN201410742729
【发明人】H-J·舒尔策, M·聪德尔, A·毛德, A·梅瑟, F·希尔勒, H·韦伯
【申请人】英飞凌科技股份有限公司
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2014年12月5日
【公告号】DE102014118227A1, US20150162411