沟槽1d的深度的总和小于基体基板10的厚度的大约80%至大约90%时，在总蚀刻基体基板10的另一表面1b期间，蚀刻相当大量的基体基板10的另一表面1b以暴露树脂20。如果相当大量的基体基板10的另一表面1b被蚀刻，则制造时间增长而且也会损坏已经图案化的基体基板10的第一凹槽或沟槽1c和/或第二凹槽或沟槽10d。因此，第一凹槽或沟槽1c的深度与第二凹槽或沟槽1d的深度的总和不可小于基体基板10的厚度的大约80%至大约 90%。
[0058]在用树脂填充第一凹槽或沟槽1c之前，在形成第一凹槽或沟槽1c与第二凹槽或沟槽1d的步骤中，第一凹槽或沟槽1c的宽度Wl可大于第二凹槽或沟槽1d的宽度w2o因此，如图11中所示，通过用树脂20来填充基体基板10中的大的空的空间，当完成半导体封装基板时，减小了半导体封装基板中的空的空间的比例，从而可提高半导体封装基板的机械强度或耐久性。
[0059]必要时还可提供附加工艺。例如，通过使用Au或Pd来镀覆基体基板10的保留部分的至少一部分，或者可以对基体基板10的保留部分的至少一部分执行OSP涂覆。这是为了增大基体基板10的保留部分的焊接粘合强度。
[0060]在如上制造的半导体封装基板中，如图11中所示，保留在基体基板10的一个表面1a上的邻近树脂20之间的部分的布线图案12与保留在基体基板10的另一表面1b上的邻近树脂20之间的部分的布线图案14可彼此对应。然而，本发明不限于此。例如，如作为示意性地示出根据本发明的另一实施例的制造半导体封装基板的方法的工艺的剖视图的图12和图13所示，保留在基体基板10的一个表面1a上的邻近的树脂20之间的部分的布线图案12的至少一部分与保留在基体基板10的另一表面1b上的邻近的树脂20之间的部分的布线图案14的至少一部分可彼此不对应。
[0061]换言之，如图12中所示，在基体基板10的一个表面1a上的第一凹槽或沟槽1c的至少一部分与基体板10的另一表面1b上的第二凹槽或沟槽1d的至少一部分形成为彼此不对应之后，用树脂20填充基体基板10的第一凹槽或沟槽1c并且蚀刻基体基板10的另一表面10b，使得如图13中所示地暴露树脂20。在这一点上，保留在基体基板10的一个表面1a上的邻近的树脂20之间的部分的布线图案12的至少一部分与保留在基体基板10的另一表面1b上的邻近的树脂20之间的部分的布线图案14的至少一部分可彼此不对应。按照根据本实施例的制造半导体封装基板的方法，可简化制造工艺并且可以以各种方式来制作上图案和下图案的形状。
[0062]图14是示意性地示出根据本发明的另一实施例的通过制造半导体封装基板的方法制造的半导体封装基板的一部分的剖视图。如图14中所示，在基体基板10的一个表面中，基体基板10的所述一个表面的保留部分(即，球占据表面)可比树脂20的外表面更突出。因此，当随后将焊球附着到基体基板10的所述一个表面的保留部分时，焊球与基体基板10的所述一个表面的保留部分可彼此稳固地附着。
[0063]为此，可使用硫酸基蚀刻剂。换句话说，当通过使用硫酸基蚀刻剂来去除树脂20的外表面的一部分时，基体基板10的所述一个表面的保留部分可在基体基板10的所述一个表面上的树脂20的外表面上方突出。如此，可在蚀刻基体基板10的另一表面1b之前执行通过使用硫酸基蚀刻剂来去除树脂20的外表面的一部分的步骤。在上述工艺中，当在蚀刻基体基板10的另一表面1b以暴露填充第一凹槽或沟槽1c的树脂20之后去除树脂20的外表面的在基体基板10的一个表面1a上的部分时，会损坏基体基板10的另一表面1b的图案化或者会去除树脂20的在另一表面1b上的外表面。
[0064]尽管上面描述了制造半导体封装基板的方法，但本发明不限于此。例如，通过使用上述方法制造的半导体封装基板可属于本发明的范围。
[0065]如上所述，根据本发明的一个或更多个的上述实施例，可实现简化了工艺且解决了上图案和下图案对准问题的制造半导体封装基板的方法，以及通过使用该方法制造的半导体封装基板。然而，所述效果不限制本发明的范围。
[0066]应该理解的是，在这里描述的示例性实施例应该仅以描述性的意义来考虑，而不是出于限制的目的。对每个实施例中的特征或方面的描述通常应该被认为可用于在其他实施例中的其他相似特征或方面。
[0067]虽然已经参照附图描述了本发明的一个或更多个实施例，但本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下，可在这里做出形式和细节上的各种改变。
【主权项】
1.一种制造半导体封装基板的方法，所述方法包括下述步骤: 在导电材料的基体基板的一个表面中形成第一凹槽； 用树脂填充第一凹槽；以及 蚀刻基体基板的另一表面以暴露填充第一凹槽的树脂。
2.如权利要求1所述的方法，其中，在蚀刻基体基板的另一表面的步骤中，蚀刻基体基板的所述另一表面的整个表面。
3.如权利要求2所述的方法，其中，在蚀刻基体基板的另一表面的步骤中，蚀刻基体基板的所述另一表面使得基体基板的保留在基体基板的所述一个表面中的部分的图案与基体基板的在基体基板的所述另一表面中的部分的图案对应。
4.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括在基体基板的所述另一表面中形成第二凹槽。
5.如权利要求4所述的方法，其中，在形成第一凹槽和形成第二凹槽的步骤中，第一凹槽的宽度和第二凹槽的宽度形成为彼此不同。
6.如权利要求5所述的方法，其中，在形成第一凹槽和形成第二凹槽的步骤中，形成第一凹槽和第二凹槽使得第一凹槽的宽度大于第二凹槽的宽度。
7.如权利要求5所述的方法，其中，在形成第一凹槽和形成第二凹槽的步骤中，第一凹槽和第二凹槽形成为彼此对应。
8.如权利要求4所述的方法，其中，在蚀刻基体基板的另一表面的步骤中，蚀刻基体基板的所述另一表面的整个表面。
9.如权利要求8所述的方法，其中，在蚀刻基体基板的另一表面的步骤中，蚀刻基体基板的所述另一表面使得基体基板的保留在基体基板的所述一个表面中的部分的图案与基体基板的保留在基体基板的所述另一表面中的部分的图案对应。
10.一种半导体封装基板，所述半导体封装基板通过如权利要求1所述的方法来制造。
【专利摘要】提供了一种制造半导体封装基板的方法及用其制造的半导体封装基板，所述方法具有简化的工艺并解决了上图案和下图案对准问题。半导体封装基板通过所述方法来制造。制造半导体封装基板的方法包括如下步骤：在导电材料的基体基板的一个表面中形成第一凹槽；用树脂填充第一凹槽；以及蚀刻基体基板的另一表面以暴露填充第一凹槽的树脂。
【IPC分类】H01L23-12, H01L21-48
【公开号】CN104766832
【申请号】CN201510002256
【发明人】姜圣日, 裴仁燮, 秦敏硕
【申请人】海成帝爱斯株式会社
【公开日】2015年7月8日
【申请日】2015年1月4日
【公告号】US20150194323