线共形的表面。第一储存组成物是被部署于第一组沟槽中的导电条带的侧表面以及第一组传导线中的传导线之间。第二导电材料的第一层中的待移除的导电材料，与在接口区域外部以及在第一组个沟槽中的第一储存层的待移除的储存材料是被移除。
[0124]此移除造成在第一组沟槽中的孔洞(例如930)，孔洞位在朝X方向的叠层(例如652,660)之间、位在传导线(例如921、922)之间以及位在朝一 Y方向的第一储存组成物(例如911、912)之间。在Z方向，孔洞是与第一组沟槽中的沟槽一样深。因此，第一组传导线中的邻近的传导线(例如921、922)及邻近的第一储存组成物(例如911、912)是被第一组沟槽中的孔洞(例如930)隔开。
[0125]图10显示在图9所显示的结构上面的第四可移除硬性掩模(例如1090)。第四可移除硬性掩模具有多个掩模区域及隔开的开放刻蚀区域。掩模区域对应于第二组叠层的导电条带的叠层、第一组沟槽以及在待被界定在第二组沟槽中的第二组沟槽中的第二组传导线。空间隔开开放刻蚀区域对应于第二导电材料的第二层待被移除的部分，以及待被移除第二储存层中的储存材料。
[0126]图11显示第四刻蚀阶段，用于界定在第二组沟槽中的多条传导线。多条传导线可作为供储存装置用的字线。第四刻蚀阶段可利用第四可移除硬性掩模(例如1090，图10)，以刻蚀在传导线之间的高深宽比沟槽。多晶硅可通过使用一种对氧化硅或氮化硅上面的多晶硅而言是高度选择性的刻蚀工艺而被刻蚀。在界定第二组沟槽中的多条传导线之后，可移除硬性掩模(例如1090)是例如通过使用02/H2等离子体灰化机而被移除，以停止于一在可移除硬性掩模下方的绝缘层。
[0127]在多条传导线(例如921,922,图9)被界定在第一组沟槽(例如315,325)中之后、第二导电材料的第二层(例如720)被刻蚀以界定在第二组沟槽(例如641、651、661)中的第二组传导线(例如1121，1122)，第二组传导线是正交地配置在第二组叠层的导电条带上面，并具有与第二储存层(例如710)共形的表面，以界定在位于第二组叠层中的导电条带的侧表面与第二组沟槽中的第二组传导线之间的交点的接口区域的存储单元。
[0128]在一个实施例中，于第二导电材料的第二层被刻蚀以界定第二组传导线的同时，第二储存层是被刻蚀以界定在第二组沟槽中的一第二储存组成物(例如1111、1112)。第二储存组成物包括如关于储存装置所说明的储存材料，例如电荷储存结构。第二储存组成物是正交地配置在第二组叠层中的导电条带上面，并具有与第二组传导线中的传导线共形的表面。第二储存组成物是被部署于第二组沟槽中的导电条带的侧表面以及第二组传导线中的传导线之间。第二导电材料的第二层中的非必要的导电材料与在接口区域外部以及在第二组沟槽中的第二储存层的非必要的储存材料是被移除。
[0129]此移除造成在第二组沟槽中的孔洞(例如1130)，孔洞位在朝一 X方向的叠层(例如660、662)之间、位在传导线(例如1121、1122)之间以及位在朝一 Y方向的第二储存组成物(例如1111、1112)之间。朝一 Z方向，孔洞是与第二组沟槽中的沟槽一样深。因此，第二组传导线中的邻近的传导线(例如1121、1122)及邻近的第二储存组成物(例如1111、1112)是被第二组沟槽中的孔洞(例如1130)隔开。
[0130]在一替代实施例中，可利用如图9所显示的第三刻蚀阶段以界定第一组沟槽中的多条传导线，且可利用如图11所显示的第四刻蚀阶段以界定第二组沟槽中的多条传导线。在另一个实施例中，在如与图7相关所说明的第二填补阶段之后，亦可利用单一硬性掩模以界定在第一组沟槽及第二组沟槽中的多条传导线。
[0131]图12显示水平传导线(例如1210、1220)，水平传导线连接作为字线的第一组沟槽(例如315、325)中的多条传导线(例如921、922，图9)以及第二组沟槽(例如641、651、661)中的多条传导线(例如1121、1122，图11)。水平传导线可以是多晶硅或金属线，透过停止在图11所显示的结构的叠层的顶端上的一刻蚀工艺而形成。水平传导线可将字线连接至储存装置中的一列译码器(例如1440，图14)。
[0132]在与图2-图9相关所说明的实施例中，界定第一组叠层的导电条带，于此第一组叠层中的每个叠层具有大于目标宽度的两倍或7 2F'的宽度。在一替代实施例中，第一组叠层中的每个叠层可具有实质上等于目标宽度的七倍或^ 7F'的宽度。
[0133]在替代实施例中，第一储存层接着可形成于第一组沟槽中的沟槽中，且可作为字线的传导线是被界定在第一储存层上面。然后，刻蚀第一组叠层的导电条带，以将第一组叠层中的每个叠层分成在第二组沟槽之间的导电条带的第二组叠层中的两个叠层，于此第二组叠层中的每个叠层具有大于目标宽度的两倍或^ 2F'的宽度。接着形成一第二储存层于第二组沟槽中，且在第二储存层上面界定可作为字线的传导线。
[0134]最后，刻蚀第二组叠层的导电条带，以将第二组叠层中的每个叠层分成在第三组沟槽之间的导电条带的第三组叠层中的两个叠层，于此第三组叠层中的每个叠层具有实质上等于目标宽度或，IF'的宽度。接着形成一第三储存层于第三多个沟槽中，且在第三储存层上面界定可作为字线的传导线。
[0135]图13A至图13B显示用于制造一储存装置的方法的一实施例的简化流程图。一与绝缘层交错的第一导电材料的数层是形成于一集成电路基板上(1310)。第一导电材料的数层是譬如通过使用一第一可移除硬性掩模及反应性离子刻蚀(RIE)而被刻蚀，用于界定在第一组沟槽之间的第一组叠层的导电条带，于此第一组叠层中的一叠层具有一大于目标宽度的两倍或，2F'的宽度(1320)。在界定第一组叠层之后，一第一储存层是形成于第一组沟槽的第一组叠层中的导电条带的侧表面上(1330)，然后使一第二导电材料的一第一层形成在第一储存层上面，并具有一与第一储存层共形的表面(1340)。
[0136]在第一储存层与第二导电材料的第一层形成于第一组沟槽中之后，譬如使用一第二可移除硬性掩模及反应性离子刻蚀(RIE)来刻蚀第一组叠层，以界定在第二组沟槽之间的第二组叠层的导电条带(1350)。第一组叠层中的每个叠层被分为在第二组叠层的导电条带中的两个叠层。第二组叠层中的每个叠层，是被界定在第一组沟槽中的一第一沟槽与第二组沟槽中的一第二沟槽之间。第二组叠层中的一叠层具有一实质上等于目标宽度或'IP的宽度。
[0137]在第二组叠层被界定在第二组沟槽之间之后，一第二储存层是形成于第二组沟槽的第二组叠层中的导电条带的侧表面上(1360)，然后使一第二导电材料的第二层形成在第二储存层上面，并具有一与第二储存层共形的表面(1370)。
[0138]在使第二储存层形成于第二组沟槽的第二组叠层中的导电条带的侧表面上，以及使第二导电材料的第二层形成在第二储存层上面并具有一与第二储存层共形的表面之后，譬如通过使用一第三可移除硬性掩模及反应性离子刻蚀(RIE)来刻蚀第二导电材料的第一层，用于界定第一组沟槽中的第一组传导线(1380)。第一组沟槽的多条传导线中的传导线是被正交地配置在第一组叠层中的导电条带上面，并具有与第一储存层共形的表面，以界定在位于在第一组叠层中的导电条带的侧表面与第一组沟槽中的第一组传导线之间的交点的接口区域的存储单元。
[0139]在一个实施例中，于刻蚀第二导电材料的第一层以界定第一组传导线的同时，刻蚀第一储存层是以界定第一组沟槽中的一第一储存组成物。第一储存组成物是被正交地配置在第一组叠层中的导电条带上面，并具有与第一组传导线中的传导线共形的表面。第二导电材料的第一层中的非必要的导电材料，与在接口区域外部以及在第一组沟槽中的第一储存层中的非必要的储存材料是被移除。
[0140]在多条传导线被界定在第一组沟槽中之后，譬如通过使用一第四可移除硬性掩模及反应性离子刻蚀(RIE)来刻蚀第二导电材料的第二层，用于界定第二组沟槽中的第二组传导线(1390)。第二组沟槽的多条传导线中的传导线是被正交地配置在第二储存层上面，并具有与第二储存层共形的表面，以界定在位于在第二组叠层中的导电条带的侧表面与第二组沟槽中的第二组传导线之间的交点的接口区域的存储单元。
[0141]在一个实施例中，于刻蚀第二导电材料的第二层以界定第二组传导线的同时，刻蚀第二储存层以界定在第二组沟槽中的一第二储存组成物。第二储存组成物是正交地被配置在第二组叠层中的导电条带上面，并具有与第二组传导线中的传