阵列基板、其制造方法及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明实施例涉及一种有机发光显示装置的阵列基板、其制造方法及有机发光显示装置。
【背景技术】
[0002]有机发光显示装置(Organic Light Emitting Display，OLED)具有自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性衬底上等优点，因此正成为新型显示器的主要发展方向。
[0003]对于高分辨率的OLED产品，由于PPI (Pixels Per Inch)过高及像素需要多个TFT做补偿电路导致像素没有足够的存储电容。例如，以8.5英寸WUXGA(2560*1600)分辨率评估像素，通用阵列工艺下像素存储电容只有50fF。然而为保持像素电压稳定性，需要I X e_13到lXe—14安培的漏电流才能维持一帧时间内保持一个灰阶的电压变化，因此，增加存储电容就显得非常重要。
【发明内容】
[0004]本发明的实施例提供了一种有机发光显示装置的阵列基板，包括多个按阵列排列的像素单元，其中，至少一个所述像素单元包括:形成在基底基板上的有机发光二极管和用于控制所述有机发光二极管的第一薄膜晶体管，其中，所述有机发光二极管包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和第二电极之间的发光层，所述有机发光二极管的第一电极电连接到所述第一薄膜晶体管的漏极；以及形成在所述第一薄膜晶体管与所述有机发光二极管之间的导电层和绝缘层，其中，所述有机发光二极管的第一电极、所述绝缘层和所述导电层构成一电容器，且所述导电层电连接到所述第一薄膜晶体管的第一栅极。
[0005]本发明的实施例还提供了一种有机发光显示装置，包括上述阵列基板。
[0006]本发明的实施例进一步提供了一种有机发光显示装置的阵列基板的制造方法，包括:在基底基板上的一像素区域中形成第一薄膜晶体管和有机发光二极管，所述像素区域由栅线和数据线定义；以及形成位于所述第一薄膜晶体管和所述有机发光二极管之间的导电层和绝缘层；其中，所述有机发光二极管包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和第二电极之间的发光层，所述有机发光二极管的第一电极电连接到所述第一薄膜晶体管的漏极；所述有机发光二极管的第一电极、所述绝缘层和所述导电层构成一电容器，且所述导电层电连接到所述第一薄膜晶体管的第一栅极。
【附图说明】
[0007]为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，并非对本发明的限制。
[0008]图1是相关技术中的有机发光显示装置的阵列基板的局部截面结构示意图；
[0009]图2是本发明第一实施例提供的有机发光显示装置的阵列基板的局部平面结构示意图；
[0010]图3是图2所示阵列基板中的一个像素单元的像素电路图；
[0011]图4是本发明第一实施例提供的有机发光显示装置的阵列基板的局部截面结构不意图；以及
[0012]图5是本发明第二实施例提供的有机发光显示装置的阵列基板的局部截面结构示意图。
【具体实施方式】
[0013]下面将结合附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0014]参考在附图中示出并在以下描述中详述的非限制性示例实施例，更加全面地说明本发明的示例实施例和它们的多种特征及有利细节。应注意的是，图中示出的特征不是必须按照比例绘制。省略已知材料、组件和工艺技术的描述，从而不使本发明的示例实施例模糊。示例仅旨在有利于理解本发明示例实施例的实施，以及进一步使本领域技术人员能够实施示例实施例。因而，示例不应被理解为对本发明示例实施例的范围的限制。
[0015]在相关技术中，有机发光显示装置的阵列基板包括多个按阵列排列的像素单元，图1示出了其中一个像素单元的局部截面结构。如图1所示，所述像素单元每个包括形成在基底基板10上的有机发光二极管和用于控制所述有机发光二极管的第一薄膜晶体管。所述第一薄膜晶体管包括依次层叠在基底基板90上的栅极900、栅极绝缘层901、有源层902以及源极903/漏极904 ;所述有机发光二极管形成在所述第一薄膜晶体管上方，包括阳极907、有机发光层909和阴极910。第一绝缘层905、平坦层906形成在有机发光二极管与第一薄膜晶体管之间，且有机发光二极管的阳极907穿过第一绝缘层905、平坦层906而电连接到第一薄膜晶体管的漏极904。
[0016]发明人发现，在上述相关技术的有机发光显示装置的阵列基板中，存储电容由栅极900、栅极绝缘层901、源极903/漏极904构成的电容器提供。由于空间限制，通过改变第一薄膜晶体管的长宽比难以有效地将存储电容提高到希望的数值。此外，虽然以IGZO为代表的氧化物薄膜晶体管在蚀刻阻挡层(etching stop layer, ESL)架构中具有较低的漏电流，但是高PPI应用中由于空间限制必须使用背沟道蚀刻(back channel etching,BCE)架构TFT，而BCE架构的氧化物TFT —般存在较大的漏电流(I X e_n到I X e _1(1)，不能满足显示要求。
[0017]对此，本发明实施例提供有机发光显示装置的阵列基板、有机发光显示装置和有机发光显示装置的阵列基板的制作方法，能够有效提高像素单元的存储电容值进而减小漏电流。
[0018]第一实施例
[0019]图2是本发明第一实施例提供的有机发光显示装置的阵列基板的局部平面结构示意图；图3是图2所示阵列基板中的一个像素单元的像素电路图；图4是本发明第一实施例提供的有机发光显示装置的阵列基板的局部截面结构示意图。该有机发光显示装置为有源矩阵有机发光显示装置。
[0020]参见图2至图4，本发明第一实施例提供的一种有机发光显示装置的阵列基板，包括:由横纵交叉的栅线11、电源线13和数据线12在基板10上限定出的多个像素单元。基板10可以为玻璃基板或柔性基板；基板10可以为透光基板或不透光基板。为了使描述清楚和明确，图2和图4中仅示出该阵列基板的一个像素单元的相关平面结构和截面结构，其他的像素单元可以类似的形成。例如，每个像素单元可包括形成在电源线13与数据线12交叉处的用于控制有机发光显示器的第一薄膜晶体管20 (也称驱动薄膜晶体管)、形成在栅线11与数据线12交叉处的作为寻址元件的第二薄膜晶体管30 (也称开关薄膜晶体管)，以及形成在第一薄膜晶体管20和第二薄膜晶体管30上方的有机发光二极管40。
[0021]第一薄膜晶体管20包括依次层叠在基底基板10上的第一栅极100、栅极绝缘层101、有源层102以及源极103/漏极104 ;有机发光二极管40包括依次层叠的第一电极(阳极)107、有机发光层109和第二电极(阴极)110。在图2中，第一薄膜晶体管20以其包含的有源层102的范围示出；第二薄膜晶体管30以其包含的有源层的范围示出；有机发光二极管40以其包含的阳极107的范围示出。
[0022]第二薄膜晶体管30的栅极电连接到栅线11，第二薄膜晶体管30的源极电连接到数据线12，第二薄膜晶体管30的漏极电连接到第一薄膜晶体管20的第一栅极100，第一薄膜晶体管20的源极103电连接到电源线13。在本实施例中，第一薄膜晶体管20例如为η
型薄膜晶体管。
[0023]该像素单元还可包括形成在第一薄膜晶体管20与有机发光二极管40之间的有第一绝缘层105、平坦层106、导电层111和第二绝缘层112。在本实施例中，平坦层106例如为一树脂层，且具有I?2微米的厚度。这里，导电层111的材料可以是金属、金属合金或透明导电氧化物。第二绝缘层可以是SiNx或Al2O3等高介电常数材料。第二绝缘层112可以为单层或多层结构