源极103/漏极104 ；
[0045]在所述第一薄膜晶体管20上方依次形成第一绝缘层105、树脂层106、导电层111和第二绝缘层112 ；
[0046]在第二绝缘层112上形成有机发光二极管40，其中，形成有机发光二极管40包括在形成有导电层111和第二绝缘层112的基底基板10上依次形成阳极107、像素定义层108、有机发光层109和阴极层110。这里，有机发光层109例如可包括空穴传输层(HTL)、发射层(EL)与电子传输层(ETL)等。
[0047]其中，有机发光二极管40的阳极107穿过第二绝缘层112、树脂层106以及第一绝缘层105而电连接到第一薄膜晶体管20的漏极104 ;导电层111穿过树脂层106、第一绝缘层105和栅极绝缘层101而电连接到第一薄膜晶体管20的第一栅极100。有机发光二极管40的阳极107、绝缘层112和导电层111构成一电容器。
[0048]在一个示例中，导电层111覆盖第一薄膜晶体管20以及数据线12的至少一部分。
[0049]在一个示例中，树脂层106形成有一开口，第一薄膜晶体管20的第一栅极100在基底基板10上的垂直投影位于该开口在基底基板10上的垂直投影之内，且导电层111的至少一部分填充于该开口中。
[0050]由该制作方法制造的有机发光显示装置的阵列基板能够有效提高像素单元的存储电容值和减小漏电流，进而改善有机发光显示装置的显示品质。
[0051]第四实施例
[0052]本发明第四实施例提供一种有机发光显示装置，包括上述任一种阵列基板。该有机发光显示装置还可包括与该阵列基板对置的封装基板、以及填充在该封装基板与该阵列基板之间的填充胶膜。该有机发光显示装置可以为:OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。由于该显示装置包括上述任一种阵列基板，能够有效提高像素单元的存储电容值进而减小漏电流，因此具有优良的显示质量。
[0053]虽然上文中已经用一般性说明及【具体实施方式】，对本发明作了详尽的描述，但在本发明实施例基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本发明精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本发明要求保护的范围。
【主权项】
1.一种有机发光显示装置的阵列基板，包括多个按阵列排列的像素单元，其中，至少一个所述像素单元包括: 形成在基底基板上的有机发光二极管和用于控制所述有机发光二极管的第一薄膜晶体管，其中，所述有机发光二极管包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和第二电极之间的发光层，所述有机发光二极管的第一电极电连接到所述第一薄膜晶体管的漏极；以及 形成在所述第一薄膜晶体管与所述有机发光二极管之间的导电层和绝缘层，其中，所述有机发光二极管的第一电极、所述绝缘层和所述导电层构成一电容器，且所述导电层电连接到所述第一薄膜晶体管的第一栅极。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述有机发光显示装置为顶发射有机发光显示装置。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述导电层覆盖所述第一薄膜晶体管以及所述数据线的至少一部分。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述有机发光二极管形成在所述第一薄膜晶体管上方。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述导电层在所述基底基板上的垂直投影的外缘不超过所述有机发光二极管的第一电极在所述基底基板上的垂直投影的外缘。
6.根据权利要求4所述的阵列基板，还包括形成在所述第一薄膜晶体管与所述导电层之间的平坦层。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其中所述平坦层为一树脂层，且具有I?2微米的厚度。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述有机发光二极管的第一电极、所述绝缘层和所述导电层构成一光学共振微腔，该光学共振微腔构造为对所述有机发光二极管发出的波长为λ的光产生共振增强并将其反射出所述像素单元。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其中，所述导电层由金属或合金制成，所述绝缘层的折射率nl在1.4至1.5的范围，所述有机发光二极管的第一电极由折射率范围在1.6至2.1的透明导电氧化物材料制成，且所述绝缘层的厚度L满足公式L = η1/2λ。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其中，所述导电层的材料为银或铝钕合金，所述绝缘层的材料为二氧化硅，所述有机发光二极管的第一电极的材料为铟锡氧化物或铟锌氧化物。
11.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述有机发光二极管的第一电极包括金属反射层和金属氧化物导电层，且所述金属氧化物导电层形成在所述金属反射层的与所述绝缘层相反的一侧。
12.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一薄膜晶体管具有双栅结构，且所述导电层构造为所述第一栅极晶体管的不同于第一栅极的第二栅极。
13.根据权利要求12所述的阵列基板，还包括形成在所述第一薄膜晶体管与所述导电层之间的平坦层，其中，所述平坦层包括一开口，所述第一薄膜晶体管的第一栅极在所述基底基板上的垂直投影位于所述开口在所述基底基板上的垂直投影之内，所述导电层的至少一部分填充于所述开口中。
14.根据权利要求1至13所述的阵列基板，其中，所述有机发光二极管的第一电极和第二电极分别为阳极和阴极。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的阵列基板，其中，所述第一薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管或背沟道蚀刻构型薄膜晶体管。
16.根据权利要求15所述的阵列基板，其中，所述第一薄膜晶体管的有源层为氧化物有源层。
17.一种有机发光显示装置，包括如权利要求1至16中任一项所述的阵列基板。
18.一种有机发光显示装置的阵列基板的制造方法，包括: 在基底基板上的一像素区域中形成第一薄膜晶体管和有机发光二极管，所述像素区域由栅线和数据线定义；以及 形成位于所述第一薄膜晶体管和所述有机发光二极管之间的导电层和绝缘层；其中，所述有机发光二极管包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和第二电极之间的发光层，所述有机发光二极管的第一电极电连接到所述第一薄膜晶体管的漏极；所述有机发光二极管的第一电极、所述绝缘层和所述导电层构成一电容器，且所述导电层电连接到所述第一薄膜晶体管的第一栅极。
19.根据权利要求18所述的阵列基板的制造方法，其中，所述导电层覆盖所述第一薄膜晶体管以及所述数据线的至少一部分。
20.根据权利要求18或19所述的阵列基板的制造方法，其中，还包括形成位于所述导电层与所述有机发光二极管之间的平坦层。
21.根据权利要求20所述的阵列基板的制造方法，其中，所述平坦层形成有一开口，所述第一薄膜晶体管的第一栅极在所述基底基板上的垂直投影位于所述开口在所述基底基板上的垂直投影之内，且所述导电层的至少一部分填充于所述开口中。
【专利摘要】本发明的实施例公开了一种有机发光显示装置的阵列基板、其制造方法以及有机发光显示装置。该阵列基板包括多个按阵列排列的像素单元，其中，至少一个所述像素单元包括：形成在基底基板上的有机发光二极管和用于控制所述有机发光二极管的第一薄膜晶体管，其中，所述有机发光二极管包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和第二电极之间的发光层，所述有机发光二极管的第一电极电连接到所述第一薄膜晶体管的漏极；以及形成在所述第一薄膜晶体管与所述有机发光二极管之间的导电层和绝缘层，其中，所述有机发光二极管的第一电极、所述绝缘层和所述导电层构成一电容器，且所述导电层电连接到所述第一薄膜晶体管的第一栅极。
【IPC分类】H01L27-32
【公开号】CN104867961
【申请号】CN201510201226
【发明人】李永谦, 王龙彦, 盖翠丽
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年8月26日
【申请日】2015年4月24日