(例如，氧化铟锡或氧化铟锌)。
[0075]请参照图2至4及图5D，其绘示出根据本发明各种实施例的晶片封装体的剖面示意图，其中相同于图1D中的部件使用相同的标号并省略其说明。第2及3图中的晶片封装体的结构类似于图1D中的晶片封装体的结构，且图2与图1D的晶片封装体之间的差异在于图2中的重布线层340仅延伸至粘着层140的阶梯状侧壁上，并通过设置于阶梯状侧壁上且延伸至电路板300上的焊线360，而电性连接至对应的导电垫320。再者，图3与图1D的晶片封装体之间的差异在于图3中的晶片封装体以焊线360取代图1D的重布线层340，来将第一基底100内的导电垫120电性连接至电路板300内对应的导电垫320。
[0076]图4中的晶片封装体的结构类似于图3中的晶片封装体的结构，且差异在于图4中的粘着层140具有平直的侧壁，而不具有阶梯状侧壁。再者，图中的晶片封装体的结构类似于图3中的晶片封装体的结构，且差异在于图中的第一基底100也具有阶梯状侧壁，且粘着层140的阶梯状侧壁突出于第一基底的阶梯状侧壁，使得第一基底100及粘着层140的侧壁构成一多阶梯状侧壁。
[0077]再者，请参照图7，其绘示出根据本发明其他实施例的晶片封装体的剖面示意图，其中相同于图1D、2至4及中的部件使用相同的标号并省略其说明。图7中的晶片封装体的结构类似于图2中的晶片封装体的结构，且图7与图2的晶片封装体之间的差异在于图2中的粘着层140具有阶梯状侧壁，而图7中的粘着层140与电路板300之间还设置有第二基底160且第二基底160具有阶梯状侧壁，因而重布线层340自第一基底100经由粘着层140而延伸至第二基底160的阶梯状侧壁上。
[0078]在图7的实施例中，第二基底160的阶梯状侧壁位于导电垫120的外侧，阶梯状侧壁的一第一部分与第一基底100的一侧壁共平面，且阶梯状侧壁的一第二部分突出于第一基底100的侧壁。再者，第二基底160上部的尺寸等于第一基底100及粘着层140的尺寸，而第二基底160下部的尺寸大于第一基底100及粘着层140的尺寸，使得晶片260具有T型的剖面形状。
[0079]在上述实施例中，由于粘着层140或第一基底100具有阶梯状侧壁，使得形成于第一基底100上的重布线层340可延伸至阶梯状侧壁上，且焊线360仅需从阶梯状侧壁延伸至电路板300上，因此可降低焊线360的整体高度，进而缩小晶片封装体的尺寸。
[0080]以上所述仅为本发明较佳实施例，然其并非用以限定本发明的范围，任何熟悉本项技术的人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可在此基础上做进一步的改进和变化，因此本发明的保护范围当以本申请的权利要求书所界定的范围为准。
【主权项】
1.一种晶片封装体的制造方法，其特征在于，包括: 提供一第一基底及一第二基底； 通过一粘着层将该第一基底贴附于该第二基底上；以及 形成多个第一开口，该多个第一开口穿过该第一基底及该粘着层，且将该第一基底及该粘着层分离为多个部分。2.根据权利要求1所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该粘着层包括胶带或粘晶层。3.根据权利要求1所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，形成该多个第一开口的步骤包括进行切割制程。4.根据权利要求1所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包括在形成该多个第一开口之后，将包括该第一基底及该粘着层的该多个部分与该第二基底分离。5.根据权利要求1所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包括在形成该多个第一开口之前或之后，形成对应该多个第一开口的多个第二开口，该多个第二开口穿过该第一基底，且该多个第二开口的底部位于该粘着层内。6.根据权利要求5所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该粘着层内的该多个第一开口与对应的该多个第二开口构成具有阶梯状侧壁的多个开口。7.根据权利要求5所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，形成该多个第二开口的步骤包括进行切割制程。8.根据权利要求5所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包括在形成该多个第一开口之前，在该第一基底内形成对应该多个第一开口的多个第三开口，其中该多个第三开口的底部位于该第一基底内。9.根据权利要求8所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该第一基底内的该多个第一开口与对应的该多个第三开口构成具有阶梯状侧壁的多个开口。10.根据权利要求8所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该多个第一开口与对应的该多个第二开口及该多个第三开口构成具有多阶梯状侧壁的多个开口。11.根据权利要求8所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，形成该多个第三开口的步骤包括进行蚀刻制程。12.根据权利要求1所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包括在形成该多个第一开口之前，在该第二基底内形成多个缺口，其中该多个第一开口对准于该多个缺口。13.根据权利要求12所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该多个第一开口与该多个缺口间隔一距离，而未与该多个缺口连通。14.根据权利要求12所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包括在形成该多个第一开口之后，形成多个第二开口，以将该第二基底分离，其中该多个第二开口沿着该多个第一开口自该第一基底穿过该粘着层，并延伸至该第二基底内。15.根据权利要求14所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该多个第二开口与该多个缺口连通。16.根据权利要求14所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该第二基底具有阶梯状侧壁。17.—种晶片封装体，其特征在于，包括: 一第一基底，该第一基底内具有一导电垫；以及 一粘着层，位于该第一基底上，其中一阶梯状侧壁位于该导电垫外侧，且该阶梯状侧壁的一第一部分与该第一基底的一侧壁共平面。18.根据权利要求17所述的晶片封装体，其特征在于，该粘着层包括胶带或粘晶层。19.根据权利要求17所述的晶片封装体，其特征在于，该阶梯状侧壁的一第二部分突出于该第一基底的该侧壁。20.根据权利要求19所述的晶片封装体，其特征在于，该第一基底的该侧壁为阶梯状。21.根据权利要求17所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一电路板，该电路板通过该粘着层贴附至该第一基底上。22.根据权利要求21所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一重布线层，该重布线层设置于该第一基底上，且与该导电垫电性连接，其中该重布线层延伸至该阶梯状侧壁上。23.根据权利要求22所述的晶片封装体，其特征在于，该重布线层进一步延伸至该电路板上。24.根据权利要求22所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一焊线，该焊线设置于该阶梯状侧壁上的该重布线层上，且延伸至该电路板上。25.根据权利要求17所述的晶片封装体，其特征在于，该粘着层具有该阶梯状侧壁。26.根据权利要求17所述的晶片封装体，其特征在于，还包括第二基底，其中该粘着层设置于该第二基底与该第一基底之间，且该第二基底具有该阶梯状侧壁。
【专利摘要】本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体的制造方法包括：提供一第一基底及一第二基底；通过一粘着层将第一基底贴附于第二基底上；以及形成多个第一开口，该多个第一开口穿过第一基底及粘着层，且将第一基底及粘着层分离为多个部分。本发明可避免晶片的边缘侧壁形成突出部而造成破裂，因此可提升晶片封装体的可靠度。
【IPC分类】H01L21/56, H01L23/31
【公开号】CN104952812
【申请号】CN201510139996
【发明人】沈佳伦, 张义民, 刘沧宇, 何彦仕
【申请人】精材科技股份有限公司
【公开日】2015年9月30日
【申请日】2015年3月27日
【公告号】US20150279808