没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
[0037]本文使用的例如“上”、“上方”、“下”、“下方”等表示空间相对位置的术语是出于便于说明的目的来描述如附图中所示的一个单元或特征相对于另一个单元或特征的关系。空间相对位置的术语可以旨在包括设备在使用或工作中除了图中所示方位以外的不同方位。例如，如果将图中的结构翻转，则被描述为位于其他单元或特征“下方”或“之下”的单元将位于其他单元或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”可以囊括上方和下方这两种方位。设备可以以其他方式被定向(旋转90度或其他朝向)，并相应地解释本文使用的与空间相关的描述语。
[0038]并且，应当理解的是尽管术语第一、第二等在本文中可以被用于描述各种元件或结构，但是这些被描述对象不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将这些描述对象彼此区分开。例如，第一基板可以被称为第二基板，并且类似地第二基板也可以被称为第一基板，这并不背离本申请的保护范围。
[0039]本发明公开了一种A1 (All In One)封装结构，包括:
第一封装结构，包括第一基板、安装于第一基板上的若干电子元器件、以及位于第一基板上方且塑封第一基板上若干电子元器件的第一塑封体；
第二封装结构，第二封装结构位于第一封装结构上方，第二封装结构与第一基板通过第一塑封体无缝塑封，第二封装结构包括第二基板、安装于第二基板上的若干电子元器件，第二基板与第一基板电性导通。
[0040]优选地，第二封装结构为堆叠式结构，由多个第二基板和多个第二塑封体相互堆叠形成，每个第二基板上分别安装有电子元器件，相邻第二基板通过第二塑封体无缝塑封。
[0041]本发明中的第二封装结构包括多个第二基板，当然，第二封装结构也可以采用其他术语进行描述，如第二封装结构中包括堆叠设置的第二基板、第三基板…，同时本发明中的第二塑封体也可以采用依次设置的第二塑封体、第三塑封体…的方式进行描述。
[0042]本发明还一种A1封装方法，包括:
提供第一基板，在第一基板上安装若干电子元器件；
提供第二基板，将第二基板和安装有若干电子元器件的第一基板进行无缝塑封，在第一基板上方和第二基板之间形成第一塑封体；
电性导通第二基板和第一基板；
在第二基板上安装若干电子元器件；
切割上述封装结构，得到若干A1封装结构。
[0043]以下结合具体实施例对本发明作进一步说明。此外，在不同的实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。
[0044]实施例一:
参图1所示，本发明实施例一中的A1封装结构包括:
第一封装结构10，其包括第一基板101、安装于第一基板101上的若干电子元器件103、以及封装于第一基板101上的第一塑封体102 ;
第二封装结构20，第二封装结构20为堆叠式封装结构，包括两个第二基板，分别为第二基板211和第二基板221，第二基板211和第二基板221上分别安装有若干电子元器件213和223，在第二基板211和第二基板221上分别塑封形成有第二塑封体212和222 ;
金属导电柱，第一封装结构10和第二封装结构20通过若干金属导电柱电性导通，具体地，本实施例中包括电性导通第二基板211和第一基板101的第一金属导电柱31、电性导通第二基板221和第二基板211的第二金属导电柱32、以及电性导通第二基板221和第一基板101的第三金属导电柱33。
[0045]本发明中的第二基板211和221均需与第一基板101电性导通，应当理解的是，本实施例中的电性导通为直接或间接电性导通，在其他实施例中也可以仅设置第一金属导电柱31和第二金属导电柱32、或第一金属导电柱31和第三金属导电柱33、或第二金属导电柱32和第三金属导电柱33，未设置金属导电柱的两个基板可以通过其他导电柱间接地电性导通，同样可以实现电性导通的目的。
[0046]第一塑封体102和第二塑封体212、222分别位于相邻两个基板之间，且塑封下方基板上的电子元器件，通过若干塑封体能够将安装有电子元器件的基板封装成一个整体，且封装结构稳定。
[0047]本发明中的电子元器件包括电容、电阻、电感、正装芯片、倒装芯片等，其可以采用正装封装或倒装封装的方式安装于基板上。如在本实施例中，电子元器件103和213通过正装封装的方式分别安装于第一基板101和第二基板211上，电子元器件103和213还分别设有与第一基板101和第二基板211电性连接的金线(未标号)；而电子元器件223通过正装封装的方式安装于第二基板221上，其不需要设置金线。在其他实施例中，也可以采用其他的安装方式进行安装。
[0048]以下结合附图详细说明本实施例中A1封装结构的封装方法。
[0049]参图2a、2b所示，首先准备第一基板101，并将基板进行烘烤、去湿等工艺；
将各类电子元器件103，如各类小型、超小型电容、电阻、电感、芯片等通过自动回流焊炉蘸助焊剂，回流焊在第一基板101上；
最后采用自动清洗机将助焊剂清洗掉。
[0050]参图2c、2d所示，对需要打线的电子元器件进行打线键合，该步骤针对的对象是正装封装的电子元器件，若为倒装封装的电子元器件，可以省略该步骤。
[0051]打线前对第一基板101表面进行等离子清洗，然后使用金线，如合金线或者铜线等进行打线键合，将电子元器件103通过金线电性连接到第一基板101上。
[0052]参图2e所示，提供第二基板211，将第一层贴装完所有电子元器件的第一基板101和第二基板211用塑封工艺压模成一体，得到图2f所示的封装体。
[0053]首先将安装有电子元器件103的第一基板101装入自动压模设备，自动压模设备将第一基板103倒反，吸附扣在上模上；
将第二基板211装入自动压模设备中，具体为:自动压模设备在下模上放上离型膜(未图示)，并用真空吸附固定，然后将第二基板211定位，放置在离型膜上；
在第二基板211上均匀地撒上颗粒状塑封料，待塑封料在模具高温下融化后，自动压模设别的上模和下模进行合模，在加压条件下完成塑封，在第一基板101和第二基板211上形成第一塑封体102。
[0054]开模后，去除离型膜，第一基板101带所有电子元器件已经和第二基板211通过第一塑封体102结合在一起。
[0055]参图2g所不，在第二基板211与第一基板101之间形成若干第一金属导电柱31，第一基板101和第二基板211可以通过第一金属导电柱31电性导通。
[0056]具体地，该工艺类似于基板工艺:打通孔、灌金属导电浆(如铜浆等)，连通第一基板101和第二基板211。
[0057]打通孔可以用各种方法，如机械打孔、激光打孔等，打通预留的第一基板101和第二基板211的孔位。如本实施例中先灌铜浆，再进行烘烤，导通第一基板101和第二基板211。
[0058]应当理解的是，在其他实施例中电性导通第一基板101和第二基板211还可以米用电镀金属层导通、金属溅射等方法实现。
[0059]参图2h、2i所示，然后在第二基板211上安装若干电子元器件213，该安装工艺与在第一基板101上安装电子元器件103的工艺完全相同，在此不再进行赘述。
[0060]参图2 j所示，提供另一第二基板221，将贴装完所有电子元器件的第二基板211和第二基板221用塑封工艺压模成一体，得到图2k所示的封装体，第二基板211和第二基板221之间形成有第二塑封体212。该塑封工艺与