结构5、绝缘层71、反射层72的说明内容可知，本发明芯片级封装的发光二极管结构1能达 成以下功效：
[0142] (1)通过基板2的材质选用，增进发光二极管结构1的亮度表现及散热效果。
[0143] (2)通过在基板2的顶面21设置突起部或形成凹沟212,能避免环境水气穿透至 覆晶式发光二极管晶粒3处，而增进发光二极管结构1的信赖性表现。
[0144] (3)通过让基板2与覆晶式发光二极管晶粒3的面积匹配，实现发光二极管结构1 的体积微型化设计。
[0145] (4)通过将覆晶式发光二极管晶粒3配置为具有相同电极方向，能简化发光二极 管结构1的制程步骤。
[0146] (5)通过限制覆晶式发光二极管晶粒3之间的最小间距，能确保发光二极管结构1 的亮度表现。
[0147] (6)通过覆晶式发光二极管晶粒3及导电结构4的上焊垫411、下焊垫42及内连 线43之间的数量匹配关系，实现在有限面积的基板2中对覆晶式发光二极管晶粒3的串接 电性连结，而有助于发光二极管结构1的微型化发展。
[0148] (7)通过上焊垫411、下焊垫42及内连线43的形状、设置位置及连接关系的配置， 实现发光二极管结构1的微型化结构设计，并有助于制程良率的提升。
[0149] (8)通过不同尺寸的覆晶式发光二极管晶粒3的选用，以及相对应的透镜结构5的 基底层51的厚度T、透镜主体52的H/R比值以及纵切面521的夹角Θ的结构设计，让发光 二极管结构1具有较佳的出光效率表现，并呈现出适当的可视角特性。
[0150] (9)通过辨识记号结构的设置，有助于生产制造过程的进行。
[0151] (10)通过绝缘层71的设置，能避免线路之间发生短路问题，而增进发光二极管结 构1的信赖性表现。
[0152] (11)通过反射层72的设置，能提升发光二极管结构1的亮度表现。
[0153] 因此，综合上述内容，本发明发光二极管结构1所提出的芯片级封装技术，确实能 达成本发明的目的。然而，要特别说明的是，上述四个实施例虽然详列出本发明的各种技术 特征，但于实施时，发光二极管结构1不必然需要同时具备所有结构特征，而能以多种略有 不同的实施态样呈现。
[0154] 惟以上所述者，仅为本发明的较佳实施例而已，当不能以此限定本发明实施的范 围，即大凡依本发明权利要求书及专利说明书内容所作的简单的等效变化与修饰，皆仍属 本发明专利涵盖的范围内。
【主权项】
1. 一种芯片级封装的发光二极管结构，其特征在于，该芯片级封装的发光二极管结构 包含： 一基板，具有位于相反侧的一顶面及一底面，并形成多个贯穿至该顶面与该底面的穿 孔； 多个覆晶式发光二极管晶粒，数量为N个且各该覆晶式发光二极管晶粒具有一正电极 与一负电极，所述覆晶式发光二极管晶粒设置于该基板的该顶面，且所述覆晶式发光二极 管晶粒的面积总和相对于该基板的面积的比值介于22. 7%至76. 2%之间； 一导电结构，包括 多个上焊垫组合，数量为N个且各该上焊垫组合具有两个上焊垫，所述上焊垫组合彼 此间隔地设置于该基板的该顶面并分别供所述覆晶式发光二极管晶粒设置其上，各该上焊 垫组合的该两个上焊垫分别与各该覆晶式发光二极管晶粒的该正电极及该负电极形成电 连接， 多个下焊垫，数量为N+1个，且所述下焊垫彼此间隔地设置于该基板的该底面，及 多个内连线，数量为2N个，且所述内连线分别设置于所述穿孔之中，且所述内连线的 两端分别连接于所述上焊垫与所述下焊垫；及 一透镜结构，设置于该基板的该顶面，并将所述覆晶式发光二极管晶粒包覆于内。2. 如权利要求1所述的芯片级封装的发光二极管结构，其特征在于：所述覆晶式发光 二极管晶粒的数量为两个且包含一第一覆晶式发光二极管晶粒和一第二覆晶式发光二极 管晶粒，所述上焊垫的数量为四个，所述内连线的数量为四个并分别为两个第一内连线及 两个第二内连线，所述下焊垫的数量为三个且分别为一个第一下焊垫及两个第二下焊垫； 所述上焊垫分别与所述内连线的顶端连接；所述第一内连线的顶端各与该第一覆晶式发光 二极管晶粒的该正电极及该第二覆晶式发光二极管晶粒的该负电极形成电连接，且该两个 第一内连线的底端分别连接于该一个第一下焊垫；该两个第二内连线的底端分别连接于该 两个第二下焊垫。3. 如权利要求2所述的芯片级封装的发光二极管结构，其特征在于：该基板为正方形 板状结构，所述上焊垫为矩形层状结构并形成阵列排列，该一个第一下焊垫与该两个第二 下焊垫各为矩形层状结构并形成单列式阵列。4. 如权利要求2所述的芯片级封装的发光二极管结构，其特征在于：该基板为正方形 板状结构，所述上焊垫为矩形层状结构并形成阵列排列，该一个第一下焊垫为矩形层状结 构并具有位于对角线的两缺角，该两个第二下焊垫各为矩形层状结构并设于对应所述缺角 处。5. 如权利要求2所述的芯片级封装的发光二极管结构，其特征在于：该基板为正方形 板状结构，所述上焊垫为矩形层状结构并形成阵列排列，该一个第一下焊垫为矩形层状结 构，该两个第二下焊垫各为L形层状结构且相互配合而将该一个第一下焊垫围绕于内。6. 如权利要求2所述的芯片级封装的发光二极管结构，其特征在于：该基板为正方形 板状结构，所述上焊垫为矩形层状结构并形成阵列排列，该一个第一下焊垫为L形层状结 构，该两个第二下焊垫各为矩形层状结构且彼此并排地被该一个第一下焊垫围绕。7. 如权利要求1所述的芯片级封装的发光二极管结构，其特征在于：该透镜结构包括 一设置于该基板的顶面的基底层及一设置于该基底层之上的透镜主体，该透镜主体具有圆 弧外型并于该透镜主体的外表面形成多个纵切面。8. 如权利要求7所述的芯片级封装的发光二极管结构，其特征在于：该透镜结构还包 括一荧光体，该荧光体覆盖所述覆晶式发光二极管晶粒，且被该基底层围绕于内。9. 如权利要求7所述的芯片级封装的发光二极管结构，其特征在于：该芯片级封装的 发光二极管结构还包含至少一个设置于该基板的辨识记号结构，该基底层覆盖该辨识记号 结构且该透镜主体往基板的正投影并未涵盖该辨识记号结构。10. 如权利要求7所述的芯片级封装的发光二极管结构，其特征在于：定义一垂直于该 基板的顶面的垂直面，该透镜主体的纵切面与该垂直面之间的夹角介于0度至10度之间。11. 如权利要求7所述的芯片级封装的发光二极管结构，其特征在于：定义该透镜主体 的高度为H，并定义该透镜主体投影于该基板的顶面的圆弧半径为R，该高度H对该圆弧半 径R的比值介于0. 8至1. 3之间。12. 如权利要求7所述的芯片级封装的发光二极管结构，其特征在于：该基底层的厚度 介于0. 1毫米至0.7毫米之间。13. 如权利要求1所述的芯片级封装的发光二极管结构，其特征在于：该芯片级封装的 发光二极管结构还包含一绝缘层，该绝缘层设置于该基板的顶面且位于各该上焊垫之间， 使得该绝缘层和各该上焊垫为共平面设置。14. 如权利要求13所述的芯片级封装的发光二极管结构，其特征在于：该芯片级封装 的发光二极管结构还包含一反射层，该反射层设置于该绝缘层或所述上焊垫之上，该反射 层具有至少一开口，该开口供所述覆晶式发光二极管晶粒容置其中。15. 如权利要求1所述的芯片级封装的发光二极管结构，其特征在于：所述覆晶式发光 二极管晶粒之间的间距不小于0. 19毫米。16. -种芯片级封装的发光二极管结构，其特征在于，该芯片级封装的发光二极管结构 包含： 一基板，具有位于相反侧的一顶面及一底面，并形成多个贯穿至该顶面与该底面的穿 孔； 一导电结构，包括 两个上焊垫，具有一第一图案且间隔地设置于该基板的该顶面， 两个下焊垫，彼此间隔地设置于该基板的该底面，及 两个内连线，分别设置于所述穿孔之中，且该两个内连线的两端分别连接于所述上焊 垫与所述下焊垫； 一绝缘层，具有一第二图案且设置于该基板的顶面，该第一图案和该第二图案互补且 该两个上焊垫与该绝缘层共平面； 一覆晶式发光二极管晶粒，设置于该基板的该顶面，并电连接于所述上焊垫，该覆晶式 发光二极管晶粒的面积总和相对于该基板的面积的比值介于22. 7%至76. 2%之间；及 一透镜结构，设置于该基板的该顶面，并将该覆晶式发光二极管晶粒包覆于内。17. 如权利要求16所述的芯片级封装的发光二极管结构，其特征在于：该透镜结构包 括一设置于该基板的顶面的基底层及一设置于该基底层之上的透镜主体，该透镜主体具有 圆弧外型并于该透镜主体的外表面形成多个纵切面。18. 如权利要求17所述的芯片级封装的发光二极管结构，其特征在于：该芯片级封装 的发光二极管结构还包含至少一个设置于该基板上的辨识记号结构，该基底层覆盖该辨识 记号结构且该透镜主体对基板的正投影并未涵盖该辨识记号结构。19. 如权利要求17所述的芯片级封装的发光二极管结构，其特征在于：定义一垂直于 该基板的顶面的垂直面，该透镜主体的纵切面与该垂直面之间的夹角介于〇度至10度之 间。20. 如权利要求17所述的芯片级封装的发光二极管结构，其特征在于：定义该透镜主 体的高度为H，并定义该透镜主体投影于该基板的顶面的圆弧半径为R，该高度H对该圆弧 半径R的比值介于0. 8至1. 3之间。21. 如权利要求17所述的芯片级封装的发光二极管结构，其特征在于：该基底层的厚 度介于0.1毫米至0.7毫米之间。22. 如权利要求16所述的芯片级封装的发光二极管结构，其特征在于：该芯片级封装 的发光二极管结构还包含一反射层，该反射层设置于该绝缘层或所述上焊垫之上，该反射 层具有至少一个开口，该开口供该覆晶式发光二极管晶粒容置其中。
【专利摘要】一种发光二极管结构，包含：一基板、多个覆晶式发光二极管晶粒、一导电结构及一透镜结构。基板具有一顶面及一底面，并形成多个穿孔。覆晶式发光二极管晶粒的数量为N个，且其面积总和相对于基板的面积的比值介于22.7％至76.2％之间。导电结构包括多个上焊垫组合、多个下焊垫及多个内连线。上焊垫组合的数量为N个，其各具有两个上焊垫，供与覆晶式发光二极管晶粒形成电连接。下焊垫的数量为N+1个，且彼此间隔地设置于基板的底面。内连线的数量为2N个，分别设置于穿孔之中，且两端分别连接于上焊垫与下焊垫。透镜结构设置于基板的顶面，并将覆晶式发光二极管晶粒包覆于内。
【IPC分类】H01L33/58, H01L33/62, H01L33/48
【公开号】CN105047805
【申请号】CN201410725064
【发明人】翁明堃, 邱国铭, 颜世强, 周孟松, 林贞秀
【申请人】光宝科技股份有限公司, 光宝光电(常州)有限公司
【公开日】2015年11月11日
【申请日】2014年12月3日