基板处理装置的制造方法
【技术领域】
[0001]这里公开的本发明涉及一种基板处理装置，更具体地涉及这样一种基板处理装置，在该基板处理装置中，容易冷却安装在用于执行与基板有关的处理的处理腔室内的加热器以及处理腔室的内部温度。
【背景技术】
[0002]用于制造半导体、平板显示器、光伏电池等的基板处理装置可以是执行基本热处理过程的装置，用于使在诸如硅片或玻璃基板的基板上沉积的预定薄膜结晶以及转变相位。
[0003]—般来说，在制造液晶显示器或薄膜结晶硅光伏电池的情况下，有硅结晶装置用于将玻璃基板上沉积的非晶硅结晶成多晶硅。为了执行结晶处理，必须加热其上形成有预定薄膜的基板。例如，将非晶硅结晶的处理温度必须是约550°C至约600°C。
[0004]这种基板处理装置可分为在一个基板上执行基板处理过程的单晶片型基板处理装置和在多个基板上执行基板处理过程的批量型基板处理装置。单晶片型基板处理装置的优点在于其结构简单。但是，单晶片型基板处理装置的生产率会下降。由此，批量型基板处理装置就受到重视。
【发明内容】
[0005]技术问题
[0006]本发明提供了一种基板处理装置，在该基板处理装置中容易冷却用于加热基板的加热器以及处理腔室的内部温度。
[0007]参阅如下的详细说明以及附图将可了解本发明的进一步其它目的。
[0008]技术方案
[0009]本发明的实施方式提供了基板处理装置，该基板处理装置包括：具有内部空间的处理腔室，在所述内部空间中容纳有从外部传送来的基板并且执行与所述基板相关的处理；电热线加热器，所述电热线加热器布置在所述处理腔室的侧壁中，所述电热线加热器环绕所述内部空间进行布置以对所述基板进行加热；以及冷却管，从外部供应的制冷剂在所述冷却管中流动，所述冷却管沿着所述处理腔室的所述侧壁布置在所述电热线加热器之间。
[0010]在一些实施方式中，所述处理腔室可以包括布置在所述处理腔室的一侧上的入口端口，所述冷却管被放入所述入口端口中，并且所述基板处理装置可以进一步包括供应管线，该供应管线连接至布置在所述入口端口上的所述冷却管以供应制冷剂。
[0011 ] 在其它实施方式中，所述基板处理装置可以进一步包括布置在所述内部空间中的内部反应管，以将所述内部空间分隔成内侧与外侧，所述内部反应管具有处理空间，在所述处理空间中执行与所述基板相关的处理，并且所述冷却管具有多个喷射孔，用于朝向所述内部反应管的外侧喷射制冷剂。
[0012]在又一些实施方式中，所述基板处理装置可以进一步包括排气端口，所述排气端口与限定在所述处理腔室的上部中的排气孔连通，以排放通过所述喷射孔喷射至所述外侧的制冷剂。
[0013]在再一些实施方式中，所述喷射孔可以向上倾斜地布置。
[0014]有益效果
[0015]根据本发明的实施方式，可以容易地冷却升高至预设温度的处理腔室的温度。
【附图说明】
[0016]图1是根据本发明的实施方式的基板处理装置的示意图；
[0017]图2是其中基板保持件被切换至图1中的处理位置的图；
[0018]图3是图1的处理腔室的放大图；
[0019]图4的(a)、(b)和(C)是示出了图3的喷射孔的布置的图；以及
[0020]图5是根据本发明的另一实施方式的基板处理装置的图。
【具体实施方式】
[0021]下面将参照图1至图4的(a)、(b)和(C)详细地描述本发明的示例性实施方式。但是，本发明可以以不同的形式被实施而不应被理解为限于这里所提出的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本公开全面且完整，并且向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。在附图中，为了清楚起见放大了层和区域的厚度。本领域技术人员明了的是，除了当前实施方式所述的基板W以外，本发明的实施方式也适用于要处理的各种物体。
[0022]典型地，基板处理装置可以分为在一个基板上执行基板处理过程的单晶片型基板处理装置和在多个基板上执行基板处理过程的批量型基板处理装置。单晶片型基板处理装置的优点在于其结构简单。但是，单晶片型基板处理装置的生产率会下降。由此，批量型基板处理装置就受到重视。
[0023]而且，为了执行结晶处理，基板处理装置包括加热器，该加热器用于加热其上形成有预定薄膜的基板，例如，使非晶硅结晶的处理温度，即腔室的内部温度可以为约550°C至约600°C。这里，处理所需的处理温度可以彼此不同。而且，可通过在基板，例如硅片，上重复执行沉积、摄影(图案形成)、蚀刻以及清洁处理而制造半导体器件。
[0024]为了执行上述处理，基板处理装置的腔室内部可被加热至高温，然后通过关闭安装在该腔室内的加热器而使其自然冷却，从而准备下一个处理。也就是说，要花很长时间使腔室内部冷却至下一处理所需的温度。结果，在对基板执行处理中，可用率会降低而减损生产率。由此，下面将对其中处理腔室的内部温度能被容易地冷却的基板处理装置进行描述。
[0025]本发明并不限制要处理的基板的类型。由此，基板由在整个半导体制造过程中通常使用的各种材料形成，例如玻璃、塑料、聚合物、硅片、不锈钢、蓝宝石材料等等。而且，基板的处理可以理解为预定或形成在基板上的图案的处理以及基板本身的处理。
[0026]而且，本发明并不限制基板处理装置的使用。由此，整个半导体处理，例如沉积处理、蚀刻处理、表面处理过程等都可使用根据本发明的基板处理装置来执行。此外，下面将只描述本发明的主要构件。而且明显的是，根据用途，本发明的基板处理装置可以额外设置各种构件。
[0027]图1是根据本发明的实施方式的基板处理装置的示意图，图2是其中基板保持件被切换至图1中的处理位置的图。参照图1和图2，基板处理装置100可包括具有敞开的上部的下腔室70。下腔室70具有供基板穿过的通道。基板可通过该通道被加载到下腔室70中。在该通道之外可以布置有闸阀(未示出)，并且可通过该闸阀来打开或关闭该通道。
[0028]基板处理装置100包括堆叠有多个基板的基板保持件(也称为“晶舟(boat) ”)60。这里，基板被竖直堆叠在基板保持件60上。如图1所示，在基板保持件60被布置在设于下腔室内的堆叠空间72中时，基板可堆叠在基板保持件60内。基板保持件60连接至旋转轴77，并且该旋转轴穿过下腔室70并连接至升降马达80和旋转马达75。旋转马达75可布置在马达外壳76上。旋转马达75可在执行与基板相关的处理的同时进行操作，以使基板保持件60与旋转轴77 —起旋转。
[0029]马达外壳76固定至托架78，并且托架78连接至与下腔室70的下部相连的下引导件84，由此沿着升降杆82升降。托架78螺纹联接至升降杆82，并且升降杆82通过升降马达80而旋转。也就是说，升降杆82可以随着升降马达80的旋转而旋转。由此，托架78和马达外壳76可以彼此一起升降。
[0030]由此，旋转轴77和基板保持件60可以彼此一起升降，并且基板保持件60可通过升降马达80而切换至堆叠位置和处理位置。波纹管(未示出)可布置在下腔室70与马达外壳76之间，以维持下腔室70内部的密封性。
[0031]处理腔室20具有内部空间22，在该内部空间中执行与基板相关的处理。在内部空间22内布置有内部反应管25。内部反应管25提供处理空间27，在该处理空间中执行与基板相关的处理。内部反应管25将处理腔室20的内部分隔成内部空间22和处理空间27。如图2所示，当容纳有多个基板的基板保持件60可上升进入处理空间27并且被切换至处理位置时，基板与处理气体之间的空间可以被最小化以执行处理。
[0032]基板处理装置100可以包括多个用于向处理空间27中供应反应气体的供应喷嘴63以及排放喷嘴67。供应喷嘴63的供应孔(未示出)可以被限定在彼此不同的高度处。供应喷嘴63和供应孔可布置在处理空间27中以将反应气体供应到堆叠的基板上。而且，各排放喷嘴67可布置在各供应喷嘴63的相对侧上，以将在处理期间产生的未反应气体和反应副产物排放到外部。
[0033]排放喷嘴67连接至第一输出管线90。通过排放喷嘴67抽吸的未反应气体和反应副产物通过第一输出管线90被排出。在第一输出管线90中可布置有输出阀(未不出)，以打开或关闭第一输出管线90。而且，在第一输出管线90上可布置有涡轮栗(未示出)，以强制排出未反应气体和反应副产物。下腔室70还可以包括第二输出管线95，并且通过第二输出管线95可排空堆叠空间72。而且，第二输出管线95可与第一输出管线90连通。
[0034]而且，在基板保持件60的下方可以布置有基座61，并且该基座与基板保持件60 —起随着旋转轴77升降而升降。基座61可以封闭内部反应管25的敞开的下部，以防止内部反应管25内的热传递至下腔室70内的堆叠空间72中。
[0035]也就是说，当基板保持件60上升并且基板被堆叠在基板保持件60的沟槽上时，基板保持件60可上升预设距离，从而基板连续地堆叠在基板保持件60的下一个沟槽上。当基板堆叠在基板保持件60上时，基板保持件60可上升至处理腔室20中并且布置在处理空间27内，以执行与基板相关的处理。
[0036]也就是说，处理