一种显示基板及其制作方法和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制作方法和显示装置。
【背景技术】
[0002]随着薄膜晶体管液晶显不(ThinFilm Transistor Liquid CrystalDisplay, TFT-1XD)技术的发展和工业技术的进步，液晶显示器件生产成本降低、制造工艺的日益完善，液晶显示技术已经取代了阴极射线管技术显示成为日常显示领域的主流技术；由于其本身所具有的优点，在市场和消费者心中成为理想的显示器件。目前市场上立体显示技术日益兴起，故而解决立体显示技术上的技术缺点，改善成像质量(如减小色偏，降低立体串扰，画面闪烁，增大可视角度等)也日益重要。
[0003]高级超维场转换(Advanced Super Dimens1n Switch，缩写为ADSDS)液晶显不技术具有高透过率，可视角度大，容易降低成本等优点，目前已成为高精尖显示领域的主流技术。该技术被广泛应用于高端手机屏幕，移动应用产品，电视等领域。ADS型和超高级超维场(HADS，High Advanced Super Dimens1nSwitch)型液晶面板的公共电极通常由整面连接的条状ITO公共电极或板状ITO公共电极组成，且所述公共电极与像素电极至少部分重叠，参见图1和图2 ;在液晶显示面板为显示模式时，对公共电极施加恒定的电压信号，薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)导通，通过数据线对像素电极提供不同电压信号，这样，公共电极和像素电极之间产生电场进而驱动液晶分子发生旋转，以实现图像显示。随着液晶显示面板尺寸的增大，液晶显示面板的像素尺寸也变大，公共电极与像素电极之间的存储电容Cst也变大；但当存储电容Cst变大时，其充电率难以得到保证。现有技术中为了提高存储电容Cst的充电率，通常是通过增大薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)的尺寸来实现。但是，增大TFT尺寸后不仅会降低像素的开口率，而且当TFT尺寸增大后，相应的薄膜晶体管中的栅极与源极、以及栅极与漏极之间的耦合电容也会变大，从而影响薄膜晶体管的性能，进而降低显示面板的画面质量。
【发明内容】
[0004]本发明实施例提供了一种显示基板及其制作方法和显示装置，用以解决现有技术中大尺寸显示面板中充电率较低的问题。
[0005]本发明实施例一种显示基板，包括衬底基板、在所述衬底基板上交叉布置的栅线、数据线以及由所述栅线和所述数据线划分出的呈矩阵排列的像素单元，所述像素单元内设置有薄膜晶体管、像素电极和公共电极；其中，所述像素电极和所述公共电极同层绝缘设置，所述像素电极包括多条条状的子像素电极，所述公共电极包括多条条状的子公共电极，所述多条条状的子像素电极与所述多条条状的子公共电极交替分布，每一条所述子像素电极和与之相邻的子公共电极之间的间隔宽度为1-5 μπι。
[0006]本发明实施例中，所述显示基板包括衬底基板、在所述衬底基板上交叉布置的栅线、数据线以及由所述栅线和所述数据线划分出的呈矩阵排列的像素单元，所述像素单元内设置有薄膜晶体管、像素电极、公共电极；其中，所述像素电极和所述公共电极同层绝缘设置，所述像素电极包括多条条状的子像素电极，所述公共电极包括多条条状的子公共电极，所述多条条状的子像素电极与所述多条条状的子公共电极交替分布，每一条所述子像素电极和与之相邻的子公共电极之间的间隔宽度为1-5 ym。本发明实施中通过将所述像素电极和所述公共电极同层绝缘设置，可以减小大尺寸液晶显示面板中存储电容Cst，从而在不增大薄膜晶体管尺寸的前提下保证存储电容Cst的充电率；由于不需要增大薄膜晶体管的尺寸，因此不但可以提高像素的开口率，还可以保证薄膜晶体管具有良好的性能，从而提高显示面板的显示质量。此外，当所述像素电极包括多条条状的子像素电极，所述公共电极包括多条条状的子公共电极，所述多条条状的子像素电极与所述多条条状的子公共电极交替分布，每一条所述子像素电极和与之相邻的子公共电极之间的间隔宽度为1-5 μπι时，可以产生均匀的驱动电场，从而驱动液晶分子发生偏转以实现图像实现，进一步提高液晶显示面板的显示品质。
[0007]较佳的，所述子像素电极和所述子公共电极之间的间隔宽度为1-2 μπι。
[0008]将所述子像素电极和所述子公共电极之间的间隔宽度设置为1-2 μπι，可进一步提高驱动电场的均匀性，避免因间距过大而造成驱动电场内电场强度分布不均所导致的显示不良，进一步提尚液晶显不面板的显不品质。
[0009]较佳的，所述公共电极还包括用于将所述多条条状的子公共电极电连接的第一连接区，所述第一连接区与所述多条条状的子公共电极形成闭合区域，环绕所述像素电极分布。
[0010]所述公共电极环绕所述像素电极分布，使得所述公共电极和像素电极均可以分别通过一个过孔接收外部所施加的驱动电压，有利于简化制作工艺，提高生产效率。
[0011]较佳的，所述子像素电极和所述子公共电极的宽度均为2-10 μπι。
[0012]本发明实施例中所述子像素电极和所述子公共电极的宽度均为2-10 μπι，该宽度范围利用现有制作工艺可以制作，所述子像素电极和所述子公共电极之间可以形成均匀的驱动电场，且可以避免因所述子像素电极和所述子公共电极的宽度过细而断线进一步导致显示不良。
[0013]较佳的，所述显示基板还包括公共电极线，所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极，具体的:
[0014]所述栅极和公共电极线同层设置，位于所述衬底基板的上方；
[0015]所述栅绝缘层位于所述栅极和公共电极线的上方；
[0016]所述有源层位于所述栅绝缘层的上方；
[0017]所述源极和漏极位于所述有源层的上方。
[0018]本发明实施中栅极和公共电极线同层设置，可以通过一次工艺和相同的材料形成，有利于简化显不基板的制作工艺，提尚生广效率，降低生广成本。
[0019]较佳的，所述公共电极在正投影方向上与所述数据线不重叠。
[0020]本发明实施中所述公共电极在正投影方向上与所述数据线不重叠，可以降低薄膜晶体管中的耦合电容，提高薄膜晶体管的电学特性。
[0021]较佳的，所述公共电极上设置有第二连接区；
[0022]所述公共电极在正投影方向上与至少部分与所述公共电极线重叠，所述公共电极与所述公共电极线通过所述第二连接区与所述子公共电极线之间的第一过孔实现电连接。
[0023]本发明实施中所述公共电极上设置有第二连接区；且所述公共电极在正投影方向上与至少部分与所述公共电极线重叠，所述公共电极与所述公共电极线通过所述第二连接区与所述公共电极线之间的第一过孔实现电连接，所述公共电极线为所述公共电极提供驱动电压。
[0024]较佳的，所述显示基板还包括设置在所述像素电极和公共电极所在层与所述薄膜晶体管所在层之间的钝化层，所述第一过孔穿过所述第二连接区对应的所述钝化层和所述栅绝缘层。
[0025]所述显示基板还包括设置在所述像素电极和公共电极所在层与所述薄膜晶体管所在层之间的钝化层，用于保护薄膜晶体管免受损坏，同时还可以将所述源极、漏极、数据线所在层与所述公共电极和所述像素电极所在层进行绝缘隔离。
[0026]基于上述同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述的显示基板。
[0027]基于上述同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法，所述方法包括:
[0028]在衬底基板上形成包括公共电极的图形；在所述包括公共电极的图形的基板上形成包括像素电极的图形；或者，
[0029]在衬底基板上形成包括像素电极的图形，在所述包括像素电极的图形的基板上形成包括公共电极的图形；
[0030]其中，所述像素电极和所述公共电极同层绝缘设置，所述像素电极包括多条条状的子像素电极，所述公共电极包括多条条状的子公共电极，所述多条条状的子像素电极与所述多条条状的子公共电极交替分布