储电容Cst的充电率；由于不需要增大薄膜晶体管的尺寸，因此不但可以提高像素的开口率，还可以保证薄膜晶体管具有良好的性能，从而提高显示面板的显示质量。此外，当所述像素电极包括多条条状的子像素电极，所述公共电极包括多条条状的子公共电极，所述多条条状的子像素电极与所述多条条状的子公共电极交替分布，每一条所述子像素电极和与之相邻的子公共电极之间的间隔宽度为1-5 μ??时，可以产生均匀的驱动电场，从而驱动液晶分子发生偏转以实现图像实现，进一步提高液晶显示面板的显示品质。
[0067]进一步的，所述子像素电极104和所述子公共电极105之间的间隔宽度为1-2 μπι。
[0068]本发明实施例中，可以将所述子像素电极和所述子公共电极之间的间隔宽度控制在1-2 μπι范围内，通过将所述子像素电极和所述子公共电极之间的间隔宽度控制在1-2 μ m范围内可以进一步提高驱动电场的均匀性，避免因间距过大而造成驱动电场内电场强度分布不均所导致的显示不良，进一步提高液晶显示面板的显示品质。
[0069]从图3中还可以看出，所述公共电极还包括用于所述多条条状的子公共电极105电连接的第一连接区116，所述第一连接区116与所述多条条状的子公共电极105形成闭合区域，环绕所述像素电极104分布。所述子像素电极104和所述子公共电极105所采用的材料制作相同，其制作材料可以为氧化铟锡等透明导电材料。
[0070]所述公共电极环绕所述像素电极分布，使得所述公共电极和像素电极均可以分别通过一个过孔接收外部所施加的驱动电压，有利于简化制作工艺，提高生产效率。
[0071]进一步的，所述子像素电极104和所述子公共电极105的宽度均为2-10 μ m。
[0072]本发明实施例中所述子像素电极和所述子公共电极的宽度均为2-10 μπι，该宽度范围利用现有制作工艺可以制作，所述子像素电极和所述子公共电极之间可以形成均匀的驱动电场，且可以避免因所述子像素电极和所述子公共电极的宽度过细而断线进一步导致显示不良。
[0073]所述显示基板进行工作时，需要对所述公共电极施加恒定的电压信号，相应的薄膜晶体管导通，并通过数据线对像素电极提供不同电压信号，使得公共电极和像素电极之间产生电场进而驱动液晶分子发生旋转，以实现图像显示。因此，所述显示基板中还设置有为所述公共电极传输电压信号的公共电极线106。
[0074]本发明实施例中，所述薄膜晶体管自下而上依次包括栅极107、栅绝缘层108、有源层109、源极110和漏极111。
[0075]此外，所述显示基板还包括设置在所述像素电极和公共电极所在层与所述薄膜晶体管所在层之间的钝化层112。
[0076]所述显示基板还包括设置在所述像素电极和公共电极所在层与所述薄膜晶体管所在层之间的钝化层，用于保护薄膜晶体管免受损坏，同时还可以将所述源极、漏极、数据线所在层与所述公共电极和所述像素电极所在层进行绝缘隔离，以便形成公共电极和像素电极。
[0077]因此，本发明实施例一所述显示基板的具体结构包括:
[0078]位于所述衬底基板101的上方的同层设置的所述栅极107和公共电极线106 ;
[0079]位于所述栅极107和公共电极线106所在层上方的栅绝缘层108 ;
[0080]位于所述栅绝缘层108上方的有源层109 ;
[0081]位于所述有源层109上方的所述数据线103、源极110和漏极111 ;
[0082]位于所述数据线103、源极110和漏极111所在层上方的钝化层112 ；
[0083]位于所述钝化层112上方的像素电极和公共电极；所述像素电极和所述公共电极同层绝缘设置，所述像素电极包括多条条状的子像素电极104，所述公共电极包括多条条状的子公共电极105，所述多条条状的子像素电极104与所述多条条状的子公共电极105交替分布，每一条所述子像素电极104和与之相邻的子公共电极105之间的间隔宽度为1-5 μπι。
[0084]其中，由于所述栅极和公共电极线同层设置，因此可以通过一次工艺和相同的材料形成，有利于简化显示基板的制作工艺，提高生产效率，降低生产成本。
[0085]进一步的，所述公共电极在正投影方向上与所述数据线103不重叠。
[0086]本发明实施中所述公共电极在正投影方向上与所述数据线不重叠，可以降低薄膜晶体管中的耦合电容，提高薄膜晶体管的电学特性。
[0087]进一步的，参见图4，所述公共电极上还设置有第二连接区113 ;所述公共电极在正投影方向上与至少部分与所述公共电极线106重叠，所述公共电极与所述公共电极线106通过所述第二连接区113与所述公共电极线106之间的第一过孔114实现电连接。所述第一过孔114贯穿所述栅绝缘层108和钝化层112。此外，所述显示面板还包括设置在像贯穿所述钝化层112的第二过孔115，通过所述第二过孔115使得所述子像素电极104与所述漏极111电连接。
[0088]本发明实施例二还提供了一种显示基板，参见图5 ;本发明实施例二提供的显示基板的结构与本发明实施例一提供的显示基板的结构基本相同；二者不同之处在于，本发明实施例一提供的显示基板中子公共电极105和子像素电极104的平行于栅线102的方向分布，而本发明实施例二提供的显示基板中子公共电极105和子像素电极104的平行于数据线103的方向分布；具体结构此处不再赘述。
[0089]本发明实施例三还提供了一种显示基板，参见图6 ;本发明实施例三提供的显示基板的结构与本发明实施例一提供的显示基板的结构基本相同；二者不同之处在于，本发明实施例一提供的显示基板中薄膜晶体管为底栅薄膜晶体管，而本发明实施例三提供的显示基板中薄膜晶体管为顶栅栅薄膜晶体管；具体区别之处在于:
[0090]所述源极110和漏极111位于所述衬底基板101上方；
[0091]所述有源层109位于所述源极110和漏极111所在层的上方；
[0092]所述栅绝缘层108位于所述有源层109的上方；
[0093]所述栅极107和公共电极线106位于所述栅绝缘层108的上方；
[0094]所述钝化层112位于所述栅极107和公共电极线106所在层的上方；
[0095]所述子像素电极104和子公共电极105位于所述钝化层112的上方。
[0096]该显示面板中用于电连接所述子公共电极105与公共电极线106的第一过孔114'贯穿所述钝化层112 ;用于电连接所述漏极111和所述子像素电极105的第二过孔115'贯穿所述栅绝缘层108和所述钝化层112。
[0097]本发明实施例四提供了一种显示基板的制作方法，所述方法包括:
[0098]在衬底基板上形成包括公共电极的图形；在所述包括公共电极的图形的基板上形成包括像素电极的图形；或者，
[0099]在衬底基板上形成包括像素电极的图形，在所述包括像素电极的图形的基板上形成包括公共电极的图形；
[0100]其中，所述像素电极和所述公共电极同层绝缘设置，所述像素电极包括多条条状的子像素电极，所述公共电极包括多条条状的子公共电极，所述多条条状的子像素电极与所述多条条状的子公共电极交替分布，每一条所述子像素电极和与之相邻的子公共电极之间的间隔宽度为1-5 μπι。
[0101]通过本发明实施例四提供的方法制作的显示基板，包括同层绝缘设置的像素电极和所述公共电极，所述像素电极包括多条条状的子像素电极，所述公共电极包括多条条状的子公共电极，所述多条条状的子像素电极与所述多条条状的子公共电极交替分布，每一条所述子像素电极和与之相邻的子公共电极之间的间隔宽度为1-5 μ m。通过将所述像素电极和所述公共电极同层绝缘设置，可以减小大尺寸液晶显示面板中存储电容Cst，从而在不增大薄膜晶体管尺寸的前提下保证存储电容Cst的充电率；由于不需要增大薄膜晶体管的尺寸，因此不但可以提高像素的开口率，还可以保证薄膜晶体管具有良好的性能，从而提高显示面板的显示质量。此外，当所述像素电极包括多条条状的子像素