06的实施例中，互连结构120的部分也可以连接至通孔106 (未示出)。
[0045]在一些实施例中，互连结构120包括多个绝缘材料层126。绝缘材料层126包括聚合物或其他绝缘材料。多个导电线128和多个导电通孔130设置在绝缘材料层126内。在一些实施例中，互连结构120可以包括一个或多个导电线128的层和一个或多个通孔130的层。
[0046]UBM结构132形成在绝缘材料层126上方和/或该绝缘材料层内。UBM结构132连接至导电线128和/或导电通孔130。图1仅示出了一个UBM结构132 ;但是，多个UBM结构132形成在互连结构120的表面上。例如，互连结构120的导电部件包括导电线128、通孔130，并且UBM结构132可以包括诸如Cu、Al、W、其它的金属或它们的合金、组合或多层的导电材料。互连结构120的导电部件包括导电线128、通孔130，并且每个UBM结构132都形成在封装的半导体器件100的导电部件层中。互连结构120也可以包括其他类型的导电部件并且可以由其他材料组成。
[0047]在一些实施例中，连接件122 (图1中的虚像所示)连接至UBM结构132。例如，在一些实施例中，多个连接件122连接至互连结构120的多个UBM结构132。在一些实施例中，封装的半导体器件100中不包括连接件122。例如，连接件122包括共晶材料并且可以包括形成在球栅阵列(BGA)布置或其他配置中的连接件。
[0048]图2是根据一些实施例的图1中所示的封装的半导体器件100的部分的顶视图。保护图案111沿着封装的半导体器件100的一侧的封装边缘142在周边区域110内延伸。在一些实施例中，封装的半导体器件100的封装件包括多侧，并且保护图案111的多个导电部件112沿着封装件的多侧的封装边缘142延伸。例如，图15示出了封装的半导体器件100的两侧。在一些实施例中，在顶视图中(未示出)，封装的半导体器件100包括正方形或矩形形状，并且作为另一实例，保护图案的导电部件112沿着封装件的四个侧的封装边缘142在周边区域110内延伸。
[0049]再次参考图2，还示出了互连结构120的导电部件的顶视图。示出了在绝缘材料126中的导电线128、UBM结构132、开口 118a和开口 118b的部分。例如，没有示出绝缘材料126的其他部分，所以可以示出导电线128和UBM结构132的一些部分。在一些实施例中，尺寸A包括导电线128的宽度，其中，尺寸A包括约5 μπι至约10 μm。在一些实施例中，尺寸B包括相邻导电线128之间的间隔，其中，尺寸B包括约30 μ m至约50 μ m。在一些实施例中，尺寸C包括诸如导电线128和封装边缘142的导电部件之间的距离，其中，尺寸C包括约20 μ m或更大。尺寸A、尺寸B和尺寸C也可以包括其他数值。
[0050]图3是根据本发明的一些实施例的封装的半导体器件100的部分的截面图，其中保护图案111形成在封装件的周边区域110中的互连结构120(在图3中未示出，参照图1)的导电部件层中。例如，在图3示出的实施例中，导电部件112a和导电部件112b形成在互连结构120的每一个导电部件层中。在其他的实施例中，导电部件112a和/或导电部件112b形成在互连结构120的一个或多个导电部件层中。
[0051]在互连结构120中，导电部件112a和/或导电部件112b与导电线128和通孔130形成在相同的绝缘材料层126中。模塑料116设置在形成在绝缘材料层126中的保护图案111下方。
[0052]图3中还示出了保护图案111的一些尺寸。在一些实施例中，尺寸a包括在互连结构120的导电线128的层中形成的保护图案111的导电部件112a的宽度，其中，尺寸a包括约50 μ m或更小。在一些实施例中，尺寸a与互连结构120 (参照图2)中的导电线128的尺寸A基本相同。在一些实施例中，尺寸a也可以大于或小于尺寸A。
[0053]在一些实施例中，尺寸b包括在导电部件112a或导电部件112b与切割路径113之间的距离，其中，尺寸b包括约5 μπι至约10 μ m。例如，在一些实施例中，尺寸b足够大，以防止在沿着切割路径113的切割工艺期间损坏保护图案111。在其他的实施例中，尺寸b可以约为0。尺寸b也可以包括其他数值。
[0054]尺寸W包括周边区域110的宽度，该周边区域包括保护图案111的保护区域面积。尺寸W等于(尺寸a+尺寸b)。在一些实施例中，尺寸W包括约5 μ m至约60 μ m。
[0055]在一些实施例中，尺寸w包括在互连结构120的通孔130的层中形成的保护图案111的导电部件112b的宽度，其中，尺寸w包括约5μπι至约ΙΟμπι。在一些实施例中，尺寸w的宽度与在互连结构120的通孔130的层中形成的通孔130的宽度基本相同。在一些实施例中，尺寸w也可以大于或小于通孔130的宽度。
[0056]在一些实施例中，尺寸d包括在互连结构120的通孔130的层中形成的保护图案111的相邻的导电部件112b之间的距离，其中，尺寸d包括约ΙΟμπι或更大。在一些实施例中，尺寸d与在互连结构120的通孔130的层中形成的通孔130之间的间隔相同。在一些实施例中，尺寸d也可以与通孔130之间的间隔不同。
[0057]尺寸e包括在互连结构120的通孔130的层中形成的保护图案111的导电部件112b与封装边缘142之间的距离，其中，尺寸e包括约5 μ m或更大。例如，尺寸e也可以包括导电部件112b与互连结构120的导电线128的层中形成的导电部件112a的边缘之间的距离。
[0058]根据本发明的一些实施例，尺寸a、b、W、w、d和e也可以包括其他数值。
[0059]图4是根据一些实施例的图3中所示的封装的半导体器件100的部分的顶视图。保护图案111充分地沿着封装边缘142延伸，以在切割工艺和其他工艺期间为封装的半导体器件100提供保护。在示出的实施例中，保护图案111的形成在互连结构120的通孔130的层中的导电部件112b包括连续的通孔条。在一些实施例中，如图6所示，导电部件112b也可以包括不连续的通孔条，或导电部件112b可以包括多个正方形、矩形、圆形或其他形状的导电部件112b (未不出)。
[0060]在图3和图4所示的实施例中，在互连结构120的导电线128的层中形成的导电部件112a包括基本相同的宽度。例如，保护图案111的多个导电部件112a设置在互连结构120的多个导电线128的层中，并且设置在多个导电线128的层的两个不同的层中的多个导电部件112a中的两个包括基本相同的宽度。在其他的实施例中，如图5所示，设置在多个导电线128的层的两个不同层中的多个导电部件112a中的两个包括不同的宽度，其中该图是根据本发明的一些实施例的封装的半导体器件100的部分的截面图。如图3和图4中示出的实施例中所示，保护图案111形成在封装件的周边区域110中的互连结构120的导电线128的层中。然而，导电部件112a在各个导电线128的层中包括不同的宽度。
[0061]例如，在图5中，尺寸包括最上部导电部件112a的宽度，并且尺寸a 2包括下部导电部件112a的宽度。尺寸和尺寸a 2包括与本文关于尺寸a所述相似的尺寸。在所示出的实例中，尺寸％不同于(例如，大于)尺寸a2。尺寸与尺寸a2不同导致尺寸h与尺寸b2不同。尺寸b i和尺寸b 2包括与本文关于描述尺寸b所述相似的尺寸。
[0062]同样地，图5中还示出了互连结构120中各个通孔130的层中的导电部件112b可以包括不同的宽度。例如，在图5中，尺寸Wl包括最上部导电部件112b的宽度，并且尺寸w2包括最下部导电部件112b的宽度。尺寸Wl和尺寸w2包括与本文关于尺寸w所述相似的尺寸。在所示出的实例中，尺寸％不同于(例如，小于)尺寸w2。
[0063]在本发明的实施例中，如图3所示，其中，保护图案111的多个导电部件112b设置在互连结构120的多个通孔130的层中，设置在多个通孔130的层的两个不同的层中的多个导电部件112b中的两个可以基本对准。例如，最上部导电部件112b与最下部导电部件112b对准。在其他的实施例中，如图5所示，设置在多个通孔130的层的两个不同的层中的多个导电部件112b中的两个可以不对准。例如，在图5中，最上部导电部件112b与最下部导电部件112b不对准。
[0064]图5中还示出了，导电部件112a和导电部件112b的各个宽度和不对准导致了尺+ ei和尺寸e2不同。尺寸ei和尺寸e2包括与本文关于尺寸e的描述相似的尺寸。图6是根据一些实施例的图5中示出的封装的半导体器件100的部分的顶视图。顶视图中示出了图5中的保护图案111的本文描述的各个尺寸。图6还示出了根据一些实施例的包括与互连结构120的通孔130的层中的通孔130形成在相同的材料层中的不连续通孔条部分的导电部件112b。
[0065]图7是根据本发明的一些实施例的封装的半导体器件100的部分的截面图，其中，保护图案111的部分形成在封装件的通孔层中。图8是根据一些实施例的图7中示出的封装的半导体器件100的部分的顶视图。保护图案111的部分可以包括与形成在封装件的其他区域中(互连结构120的下方)的通孔106基本相同的尺寸。
[0066]例如，如图7和图8所示，多个通孔106 (参照图1)可以设置在模塑料116内，并且保护图案111的部分可以包括设置在模塑料116内的导电部件112c。多个通孔106的每一个都可以包括第一规格，并且设置在模塑料116内的导电部件112c包括第二规格，第二规格与第一规格基本相同。
[0067]图7示出了仅有一个导电部件112c设置在模塑料116内；然而，保护图案111可以包括设置在模塑料116中的多个导电部件112c。在一些实施例中，保护图案111的导电部件112c包括具有尺寸Av的规格或宽度，其中，尺寸A v包括约ΙΟΟμπι或更大。在一些实施例中，通过包括大小为bv的尺寸将导电部件112c与切割路径113间隔开，其中，尺寸bv包括约5 μ m至约10 μ m。尺寸Av和尺寸b v可以包括其他数值。
[0068]在图7和图8所示的实施例中，导电部件112c的部分可以延伸穿过封装的半导体器件的封装边缘142至设置在互连结构120下方的区域内。在其他的实施例中，导电部件112c的部分可以不延伸穿过封装的半导体器件的封装边缘142至设置在互连结构120下方的区域内(未示出)。
[0069]图9是根据一些实施例的封装的半导体器件100的部分的顶视图，示出了形成在封装件的角区134中的保护图案111的部分。在一些实施例中，利用互连结构120(例如，在互连结构120的含有非导电部件的区域中)的空白面积中的附加导电材料来加强封装件的角区134。例如，在图9中，每个导电部件112a都包括第一导电构件。两个第一导电构件112a在角区134中连接在一起。两个第一导电构件112a基本上成直角连接在一起。因此，在一些实施例中，两个第一导电构件112a基本互相垂直。
[0070]保护图案111还包括设置在封装件的角区134中的两个第一导电构件112a之间的第二导电构件112d。在顶视图中，两个第一导电构件112a和第二导电构件112d基本构成一个三角形。
[0071]在一些实施例中，两个第一导电构件112a的长度包括尺寸X。在一些实施例中，尺寸X包括[2* (尺寸C的最小值)]。例如，在一些实施例中，尺寸X包括约40 μ m。例如，在实施例中，尺寸X包括约40 μ m，其中，尺寸C的最小值包括约20 μ m。尺寸x也可以包括其他数值。
[0072]例如，在图9至图13中示出的一些实施例中，保护图案111的导电部件的部分(例如，第二导电构件112d)延伸穿过封装件的封装边缘142至设置在互连结构120下方或靠近该互连结构的区域内。
[0073]图10、图11、图12和图13是根据一些实施例的封装的半导体器件100的角区134的顶视图，示出了保护图案111的一些示例性形状和布置。多个第三导电构件112e、112f和/或112g连接在第二导电构