光屏蔽膜LSI和设置在非显示区域中的第二光屏蔽膜LS2彼此间隔开，从而防止静电在划线工艺时沿着光屏蔽膜转移至显示区域A/A。
[0029]更具体地，将参照图4描述形成在显示区域A/A和非显示区域N/A中的第一光屏蔽膜LSI和第二光屏蔽膜LS2。在以下描述中，举例说明了单个子像素以描述显示区域A/A。
[0030]第一光屏蔽膜LSI被设置在基板105上的显示区域A/A中，并且第二光屏蔽膜LS2被设置在基板105上的非显示区域N/A中。基板105由玻璃、塑料或金属形成。第一光屏蔽膜LSI和第二光屏蔽膜LS2用于阻止外部光进入显示面板的内部，并且由能够阻止光的材料形成。第一光屏蔽膜LSI和第二光屏蔽膜LS2由具有低电导率和低反射率的材料形成，并且可以由例如基于半导体的材料(诸如非晶硅(a-si)、锗(Ge)、钽氧化物(TaOx)或铜氧化物(CuOx))形成。
[0031]缓冲层110被布置在设置有第一光屏蔽膜LSI和第二光屏蔽膜LS2的基板105上方。缓冲层110被形成为保护将在后续工艺中形成的薄膜晶体管不受从基板105流出的杂质(诸如碱离子)的影响。缓冲层110由硅氧化物(S1x)、硅氮化物(SiNx)等形成。有源层115形成在缓冲层110上。有源层115可以由基于非晶氧化锌的复合半导体形成。具体地，在α-1GZO半导体的情况下，可以通过利用镓氧化物(Ga203)、铟氧化物(Ιη203)和氧化锌(ZnO)的复合靶的溅射来形成有源层115。此外，可以采用诸如化学气相沉积或原子层沉积(ALD)的化学沉积方法。这里，在本发明的实施方式中，可以利用以1:1:1、2:2:1、3:2:1或4:2:1的原子比包含镓、铟和锌的复合氧化物靶来沉积基于非晶氧化锌的复合半导体。这里，在复合氧化物靶以2:2:1的原子比包含镓、铟和锌的情况下，镓、铟和锌的当量比可以是2.8:2.8:1。尽管未示出，但是通过掺杂杂质在有源层115的两面处设置了源区域和漏区域，并且沟道区域被设置在该源区域与该漏区域之间。
[0032]栅绝缘膜200被布置在有源层115上。栅绝缘膜120由硅氧化物膜(S1x)、硅氮化物膜(SiNx)或其多层形成。在栅绝缘膜120上，栅电极125被布置在显示区域A/A中，并且连接至栅电极125的选通线GL被布置在非显示区域N/A中。栅电极125由从包括铜(Cu)、钼(Mo)、铝(A1)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、钽(Ta)和钨(W)或其合金的单层或多层的组中选择的任何一种形成。栅电极125被布置为对应于有源层115的沟道区域。
[0033]层间绝缘膜130被布置在设置有栅电极125的基板105上方。层间绝缘膜130由硅氧化物(S1x)膜、硅氮化物(SiNx)膜或其多层形成。另外，暴露有源层115的两面处的源区域和漏区域的接触孔135a和135b被设置在层间绝缘膜130和栅绝缘膜120中。
[0034]源电极140a和漏电极140b被布置在层间绝缘膜130上。源电极140a和漏电极140b可以被形成为单层或多层。在源电极140a和漏电极140b被形成为单层的情况下，这些电极可以由从钼(Mo)、招(A1)、络(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)和铜(Cu)或其合金中选择的任何一种形成。另选地，在源电极140a和漏电极140b被形成为多层的情况下，这些电极可以由钼/招-钕、钼/招或钛/招的双层或钼/招-钕/钼、钼/招/钼或钛/招/钛的三层形成。源电极140a和漏电极140b通过形成在层间绝缘膜130和栅绝缘膜120中的接触孔135a和135b分别连接至有源层120的源区域和漏区域。
[0035]有机绝缘膜145被布置在设置有源电极140a和漏电极140b的基板105上方。有机绝缘膜145可以由诸如光丙烯、聚酰亚胺、苯并环丁烯树脂和丙烯酸脂的有机材料形成。暴露薄膜晶体管TFT的漏电极140b的通孔147形成在有机绝缘膜145中。
[0036]像素电极150被布置在有机绝缘膜145上。像素电极150可以由透明导电膜形成。该透明导电膜可以是具有透明度和导电性的材料，诸如铟锡氧化物(ΙΤ0)或铟锌氧化物(ΙΖ0)。这里，在按照顶部发射型结构制造有机发光显示器的情况下，具有高反射率的反射金属膜(诸如铝(A1)、铝-钕(Al-Nd)、银(Ag)或银合金)可以形成在透明导电膜下方，并且反射膜可以具有透明导电膜/反射金属膜/透明导电膜的结构。优选地，像素电极150可以具有例如IT0/Ag/IT0的结构。像素电极150通过设置在有机绝缘膜145中的通孔147连接至漏电极140b。
[0037]暴露像素电极150的堤层155形成在像素电极150上。堤层155限定像素并且使像素电极150绝缘，并且由诸如聚酰亚胺、基于苯并环丁烯的树脂或丙烯酸脂的有机材料形成。有机发光层160形成在像素电极150和堤层155上。有机发光层160包括至少一个发射层，并且还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层或电子注入层。对电极165被布置在有机发光层160上。对电极165可以由具有低功函数的金属材料(诸如银(Ag)、镁(Mg)或钙(Ca))形成。因此，构造了由像素电极150、有机发光层160和对电极165组成的有机发光二极管。设置有薄膜晶体管和有机发光二极管的基板通过对基板180来密封，从而构造本发明的显示装置。
[0038]此外，形成在基板105上方的第一光屏蔽膜LSI和第二光屏蔽膜LS2被分别设置在显示区域A/A和非显示区域N/A中。第一光屏蔽膜LSI被设置在显示区域A/A的至少整个区域中，以阻止光进入形成在显示区域A/A中的薄膜晶体管。第二光屏蔽膜LS2被设置为围绕非显示区域N/A的边缘，以阻止静电在划线工艺时转移至显示区域A/A。第一光屏蔽膜LSI按照板状形成以便覆盖整个显示区域A/A，并且在没有断开的情况下连续地形成第二光屏蔽膜LS2以便围绕基板105的整个边缘。第二光屏蔽膜LS2作为一个整体形成在框架中。
[0039]设置在显示区域A/A中的第一光屏蔽膜LSI和设置在非显示区域中的第二光屏蔽膜LS2彼此间隔开，从而防止静电在划线工艺时沿着光屏蔽膜转移至显示区域A/A。这里，第一光屏蔽膜LSI与第二光屏蔽膜LS2之间的间隔距离(d)是至少ΙμπκΙΟΟμπι或更多，或者优选地1000 μπι或更多。第二光屏蔽膜LS2防止静电转移至第一光屏蔽膜LSI。另外，第二光屏蔽膜LS2从基板105的侧表面起具有预定宽度(w)。第二光屏蔽膜LS2的宽度(w)是至少0.1 μ m、10 μ m或更多，或者优选地1000 μ m或更多，进而提供对于划线轮来说足以在第二光屏蔽膜LS2内划线的宽度。第二光屏蔽膜LS2的宽度(w)是10，000 μπι或更少，使得第二光屏蔽膜LS2不能够到达显示区域Α/Α。
[0040]图5是例示了根据本发明的第一实施方式的显示装置中的划线工艺的平面图；并且图6是沿着图5的线ΙΙΙ-ΙΙΙ’切割的截面图。
[0041]对上面划分有多个单元区域的大面积基板执行用于显示装置的划线工艺，以便在显示装置的制造期间改进生产率。也就是说，基板105和对基板80这二者对应于大面积基板。因此，在多个单元形成在大面积基板上之后，基板彼此结合并且然后按照相应的单元面积切割，从而获得用于显示装置的多个单元。用于划线工艺的设备被划分为利用划线轮以做出直划痕来按照单元面积对大面积基板进行划线的划线设备以及