显示装置的制造方法_3

文档序号:9515791阅读:来源:国知局
基本上切割大面积基板以形成多个显示装置单元的制动设备。在下文中,将描述利用这些设备的划线工艺。
[0042]参照图5和图6,设置有薄膜晶体管和有机发光二极管的上述基板105被结合至对基板180。经结合的基板105和对基板180包括多个单元区域C,并且多个单元区域C中的每一个被划分为显示区域Α/Α、非显示区域Ν/Α和焊盘区域Ρ。诸如密封胶的密封剂被涂覆在多个单元区域C中的每一个中的显示区域Ν/Α上,使得基板105和对基板180能够彼此全士么云口口 ο
[0043]利用划线轮沿着经结合的基板105和180的划线线来进行划线。更具体地,划线轮被布置在基板105的上表面上,并且然后执行划线。这里,划线轮的位置对应于单元区域C在基板105的外表面上的边界。具体地,光屏蔽膜LS2和LS3形成在单元区域C的边界上以用作划线线。因此,利用划线轮沿着单元区域C的边界的划线线①在y轴(附图中的垂直方向)上进行划线。然后,利用划线轮沿着划线线①在X轴(附图中的水平方向)上进行划线。然后,利用划线轮沿着划线线②在X轴方向上进行划线,从而执行划线工艺。
[0044]这里,第二光屏蔽膜LS2被设置在划线线①上,并且第三光屏蔽膜LS3被设置在划线线②上,使得利用划线轮在划线工艺期间产生的静电被限制在第二光屏蔽膜LS2和第三光屏蔽膜LS3中。然而,因为第二光屏蔽膜LS2和第三光屏蔽膜LS3与显示区域A/A的第一光屏蔽膜LSI间隔开,所以限制在第二光屏蔽膜LS2和第三光屏蔽膜LS3中的静电未被转移至第一光屏蔽膜LSI。此外,尽管未示出,但是在基板105被反转并且划线轮被布置在对基板180的上表面上之后,另外执彳丁对对基板180进彳丁划线以便暴露基板105的焊盘区域P的工艺,从而制造了最终的显示装置。
[0045]同样地,经历划线工艺的显示装置具有图3和图4所示的上述结构。因此,根据本发明的第一实施方式的显示装置包括形成在显示区域和非显示区域中的第一光屏蔽膜和第二光屏蔽膜。具体地,第一光屏蔽膜和第二光屏蔽膜彼此间隔开,并且第二光屏蔽膜被布置在要划线的基板的边缘处。因此,能够将在对基板进行划线时产生的静电限制在第二光屏蔽膜中,进而能够防止静电转移至显示区域。
[0046]此外,图7是例示了根据本发明的第二实施方式的显示装置的平面图;并且图8是例示了根据本发明的第二实施方式的显示装置中的划线工艺的平面图。在以下描述中,相同的附图标记被用来标明与第一实施方式相同的部件,进而省略其重复描述。
[0047]参照图7,本发明的第二实施方式中阐述的显示装置100由彼此结合的基板105和对基板180组成,并且包括显示区域A/A和除该显示区域A/A之外作为其余区域的非显示区域N/A。为了对显示区域A/A施加驱动信号,安装了驱动芯片并且包括从外部印刷电路板接收信号的多条线的焊盘部PAD被布置在非显示区域N/A中。
[0048]用于阻止外部光的进入的光屏蔽膜LSI和LS2分别被设置在显示区域A/A和非显示区域N/A中。第一光屏蔽膜LSI被设置在至少显示区域A/A的整个区域中,以阻止光进入形成在显示区域A/A中的薄膜晶体管。第二光屏蔽膜LS2被设置为围绕非显示区域N/A的边缘,以阻止静电在划线工艺时转移至显示区域A/A。这里,设置在显示区域A/A中的第一光屏蔽膜LSI和设置在非显示区域中的第二光屏蔽膜LS2彼此间隔开,从而防止静电在划线工艺时沿着光屏蔽膜转移至显示区域A/A。
[0049]第一光屏蔽膜LSI按照板状形成以便覆盖整个显示区域A/A,并且第二光屏蔽膜LS2被设置为围绕基板105的整个边缘。不像以上描述的第一实施方式,例如按照这些线彼此间隔开的形状间断地形成第二光屏蔽膜LS2。例如,如附图所示,形成在基板105的上侧处的第二光屏蔽膜LS2、形成在基板105的下侧处的第二光屏蔽膜LS2、形成在基板105的左侧处的第二光屏蔽膜LS2以及形成在基板105的右侧处的第二光屏蔽膜LS2是全部断开的。
[0050]可以呈现这样的形状,其中形成在基板105的上侧处的第二光屏蔽膜LS2连接至形成在基板105的左侧处的第二光屏蔽膜LS2,但是形成在基板105的上侧处的第二光屏蔽膜LS2与形成在基板105的右侧处的第二光屏蔽膜LS2断开,并且形成在基板105的左侧处的第二光屏蔽膜LS2与形成在基板105的下侧处的第二光屏蔽膜LS2断开。另选地,与此相反,可以呈现这样的形状,其中形成在基板105的上侧处的第二光屏蔽膜LS2连接至形成在基板105的右侧处的第二光屏蔽膜LS2,但是形成在基板105的上侧处的第二光屏蔽膜LS2与形成在基板105的左侧处的第二光屏蔽膜LS2断开,并且形成在基板105的右侧处的第二光屏蔽膜LS2与形成在基板105的下侧处的第二光屏蔽膜LS2断开。
[0051]可以如下对根据第二实施方式的以上描述的显示装置100进行划线。参照图8,设置有薄膜晶体管和有机发光二极管的上述基板105被结合至对基板180。经结合的基板105和对基板180包括多个单元区域C,并且多个单元区域C中的每一个被划分为显示区域A/A、非显示区域N/A和焊盘区域P。诸如密封胶的密封剂被涂覆在多个单元区域C中的每一个中的显示区域N/A上,进而使得基板105和对基板180能够彼此结合。
[0052]利用划线轮沿着经结合的基板105和180的划线线来进行划线。更具体地,划线轮被布置在基板105的上表面上,并且然后执行划线。这里,划线轮的位置对应于单元区域C在基板105的外表面上的边界。具体地,光屏蔽膜LS2和LS3形成在单元区域的边界上以用作划线线。这里,可以按照这些线彼此间隔开的形状形成光屏蔽膜LS2和LS3。例如,如图8所示,形成在基板105的上侧处的第二光屏蔽膜LS2与第三光屏蔽膜LS3、形成在基板105的下侧处的第二光屏蔽膜LS2与第三光屏蔽膜LS3、形成在基板105的左侧处的第二光屏蔽膜LS2与第三光屏蔽膜LS3、以及形成在基板105的右侧处的第二光屏蔽膜LS2与第三光屏蔽膜LS3彼此全部断开。
[0053]利用划线轮沿着单元区域C的边界的划线线①在y轴(附图中的垂直方向)上进行划线。然后,利用划线轮沿着划线线①在X轴(附图中的水平方向)上进行划线。然后,利用划线轮沿着划线线②在X轴方向上进行划线,从而执行了划线工艺。
[0054]这里,第二光屏蔽膜LS2和第三光屏蔽膜LS3被设置在划线线①上,并且第二光屏蔽膜LS2被设置在划线线②上,使得利用划线轮在划线工艺期间产生的静电被限制在第二光屏蔽膜LS2和第三光屏蔽膜LS3中。然而,因为第二光屏蔽膜LS2和第三光屏蔽膜LS3与显示区域A/A的第一光屏蔽膜LSI间隔开,所以限制在第二光屏蔽膜LS2和第三光屏蔽膜LS3中的静电未被转移至第一光屏蔽膜LSI。
[0055]如上所述,根据本发明的第二实施方式的显示装置包括形成在显示区域和非显示区域中的第一光屏蔽膜和第二光屏蔽膜。具体地,第一光屏蔽膜和第二光屏蔽膜彼此间隔开,并且第二光屏蔽膜被布置在要划线的基板的边缘处。因此,能够将在对基板进行划线时产生的静电限制在第二光屏蔽膜中,进而能够防止静电转移至显示区域。
[0056]此外,图9是例示了根据本发明的第三实施方式的显示装置的平面图;并且图10是例示了根据本发明的第三实施方式的显示装置中的划线工艺的平面图。在以下描述中,相同的附图标记被用来标明与第一实施方式和第二实施方式相同的部件,进而省略其重复部
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