显示装置的制造方法
【专利说明】曰??士罢业不表直
[0001]本申请基于2014年6月11日提交的在先的日本专利申请N0.2014-120438，并且要求其优先权，其全部内容在此引为参考。
技术领域
[0002]本发明涉及显示装置。特别是涉及与设置有发光元件的基板相对的相对基板侧的膜构造。
【背景技术】
[0003]近年，在移动用途的发光显示装置中，对于高精细化、低耗电化的要求变强。作为移动用途的显示装置，采用液晶显示装置(IXD:Liquid Crystal Display Device)、有机EL显示装置等利用了自发光元件(0LED:Organic Light-Emitting D1de)的显示装置、电子纸等。
[0004]其中，有机EL显示装置、电子纸不需要在液晶显示装置中所需的背光源或偏振片。而且，由于发光元件的驱动电压低，所以作为低耗电且薄型的发光显示装置非常受到瞩目。此外，由于能够仅由薄膜形成显示装置，所以例如如日本特开2007 — 183605号公报所示，能够实现能够折弯的显示装置(柔性显示器)。而且，这些显示装置由于没有使用玻璃基板，所以能够实现轻且不易损坏的显示装置，非常受到瞩目。
【发明内容】
[0005]发明要解决的问题
[0006]但是，作为有机EL显示装置的一个技术问题，例如在有机EL显示装置的各像素中配置的有机EL元件等的发光元件中使用的发光材料，已知当暴露于氧或水分中时容易发生劣化而导致发光效率降低。特别是在柔性显示器中，作为柔性基板使用树脂材料非常薄的基板，因此，来自外部的氧或水分容易透过该柔性基板到达发光材料，产生发光元件劣化的问题。
[0007]用于解决问题的技术手段
[0008]本发明的一实施方式的显示装置包括:第一基板；配置在第一基板上的发光元件；具有防湿性的与第一基板相对的第二基板；配置在第二基板上、具有比第二基板的防湿性高的防湿性的第一阻挡层；配置在第一阻挡层上的与发光元件相对的位置的有机层；和配置在有机层上、具有比第二基板的防湿性高的第三防湿性的第二阻挡层。
[0009]根据本发明，能够提供抑制发光元件的劣化的显示装置。
【附图说明】
[0010]图1是表示本发明的一实施方式的显示装置的层结构的截面图。
[0011]图2是表示本发明的一实施方式的显示装置的立体图。
[0012]图3是表示本发明的一实施方式的显示装置的俯视图的图。
[0013]图4A是表示本发明的一实施方式的显示装置的A-B截面图的图。
[0014]图4B是表示本发明的一实施方式的显示装置的A-B截面图的图。
[0015]图5是表示在本发明的一实施方式的显示装置的制造方法中，在第一支承基板上形成第一基板、发光元件和保护膜的工序的图。
[0016]图6是表示在本发明的一实施方式的显示装置的制造方法中在第二支承基板上形成第二基板和第一阻挡层的工序的图。
[0017]图7是表示在本发明的一实施方式的显示装置的制造方法中形成滤色片和遮光层的工序的图。
[0018]图8是表示在本发明的一实施方式的显示装置的制造方法中形成第二阻挡层的工序的图。
[0019]图9是表示在本发明的一实施方式的显示装置的制造方法中将第一支承基板与第二支承基板粘合的工序的图。
[0020]图10是表示在本发明的一实施方式的显示装置的制造方法中剥离第一支承基板和第二支承基板的工序的图。
[0021]图11是表示本发明的一实施方式的显示装置的第一阻挡层的层结构的截面图的图。
[0022]图12是表示本发明的一实施方式的显示装置的第二阻挡层的层结构的截面图的图。
【具体实施方式】
[0023]以下，参照【附图说明】本发明的各实施方式。而且，公开只是一个例子，对于本领域技术人员，容易想到的在保持发明的主旨的情况下的适当变更，当然也包含于本发明的范围中。此外，附图为了使说明更明确，有时与实际上的方式相比，示意性地表示各部分的宽度、厚度、形状等，以下各实施方式仅是一个例子，不限定本发明的解释。此外，在本说明书和各图中，对附图中出现的相同要素添加相同的符号，并适当省略详细的说明。
[0024]〈实施方式1〉
[0025]使用图1说明本发明的实施方式1的显示装置的层结构。在实施方式1中，说明具有发光元件的顶部发光型的柔性显示装置的层结构。
[0026][显示装置的层结构]
[0027]图1是表示本发明的实施方式1的显示装置的层结构的截面图。如图1所示，显示装置10包括第一基板100和配置在第一基板100上的发光元件110。此外，显示装置10包括:具有防湿性的第二基板200 ;第一阻挡层210，其配置在第二基板200上，具有比第二基板200的防湿性高的防湿性；配置在第一阻挡层210上的有机层220 ;和第二阻挡层230，其配置在有机层220上，具有比第二基板200的防湿性高的防湿性。而且，第一基板100和第二基板200以各自的上表面相对的方式隔着填充件300粘合。此处，第一基板100的上表面是第一基板100的第二基板200侧的面，第二基板200的上表面是第二基板200的第一基板100侧的面。此处，防湿性高是指透湿率低、水蒸气难以透过的材料。此外，换言之，防湿性尚也是指对水分的阻挡能力尚的材料。
[0028]第一基板100和第二基板200能够使用柔性的材料。具体而言，第一基板100和第二基板200能够使用聚酰亚胺树脂或者丙烯酸树脂等。该情况下，第一基板100的厚度优选为3 μπι以上50 μm以下。进一步优选第一基板100的厚度为5 μπι以上20 μm以下。此外，如实施方式1在顶部发光型的显示装置中，从发光元件110发出的光从第二基板200侧射出，因此第一基板100不必具有高的透光性。例如，为了提高对晶体管形成工序中的热处理的耐性，可以对第一基板100导入杂质。其结果是，可以使第一基板100的透光性变低。相反，第二基板200优选透光性高的材料。另一方面，在底部发光型的显示装置的情况下，从发光元件110发出的光从第一基板100侧射出，则第一基板100优选透光性高的材料。
[0029]发光元件110具有晶体管层和发光层。晶体管层具有晶体管元件和配线。晶体管元件能够使用非晶硅晶体管元件、多晶硅晶体管元件、单晶硅晶体管元件、氧化物半导体晶体管元件、有机半导体晶体管元件等。但是，发光元件110也不必具有晶体管元件，例如，也可以如无源型发光装置，在第一基板100上配置有配线和发光层的构造。此外，作为发光层，能够使用有机EL、无机EL等。此外，代替上述那样的自发光的发光层，也可以使用电子纸那样的反射型的显示层。
[0030]此处，发光元件110在第一基板100与晶体管层之间也可以具有基底阻挡层。基底阻挡层抑制来自第一基板100的杂质或者从第一基板100侧浸入的水分扩散到晶体管层和发光层。作为基底阻挡层，能够使用氮化硅膜(SiNj莫)、氧化硅膜(S1 J莫)、氮氧化硅膜(SiNx0y膜)、氧氮化硅膜(S1 xNy膜)、氮化铝膜(AIN JI)、氧化铝膜(A10 JI)、氮氧化铝膜(A10xNy膜)、氧氮化铝膜(A10xNy膜)等0^、7为任意值)。此外，作为基底阻挡层，还可以使用将这些膜层叠而成的结构。此处，氮氧化硅膜是含有氧比氮少的氮化硅膜，氧氮化硅膜是含有的氮比氧少的氧化硅膜。
[0031]第一阻挡层210可以是单膜构造，也可以是层叠膜构造。此外，第一阻挡层210包含第一防湿膜，该第一防湿膜含有硅和氮，具有比第二基板200的防湿性高的防湿性。第一阻挡层210是单膜构造的情况，是指第一防湿膜为第一阻挡层210。此外，第一阻挡层210是层叠膜构造的情况，是指第一阻挡层210的至少一层使用第一防湿膜。作为第一防湿膜，能够使用SiNj莫、SiNx0y膜或者在这些膜中混入有杂质的膜。此外，上述的膜以外，作为第一防湿膜还能够使用A1NJ莫、AIN x0y膜、其他的氮化金属膜、氮化氧化金属膜。
[0032]第二阻挡层230可以是单膜构造，也可以是层叠膜构造。此外，第二阻挡层230包含第二防湿膜，该第二防湿膜含有硅和氮，具有比第二基板200的防