r>[0021]根据各种实施例，基极区104b可包括单晶硅，或换句话说，可通过在集电极区104c之上外延地生长娃来提供基极区104b。在这个方面中，基极-集电极结104b、104c的至少活性区(其可由双极结型晶体管104的几何和电子结构产生)可包括单晶硅以实现双极结型晶体管104的最佳开关行为。此外，根据各种实施例，基极区104b可包括外延地生长的硅/锗(SiGe)以提供异质结双极晶体管104，其中基极-集电极结104b、104c和发射极-基极结104e、104b可不同于彼此，例如它们可在提供用于相应的结的预先限定带隙(电子结构)的半导体材料方面不同。
[0022]根据各种实施例，双极晶体管结构100可包括横向地电接触基极区104b的基极端子106 (基极电极106)，其中基极端子106可包括多晶硅。根据各种实施例，基极端子106可排他地接触基极区104b，或换句话说，双极晶体管结构100可包括在集电极区104c和基极端子106之间和在发射极区104e和基极端子106之间的电隔离，如例如在图3A中所示的。
[0023]根据各种实施例，衬底102可包括例如布置成在衬底102之上和中横向紧靠彼此的多个BJT 104或HBT 104。在这个方面中，在衬底102之上和中提供的分别横向邻近的双极晶体管结构100可经由介电隔离结构而彼此电分离，介电隔离结构被布置在衬底102中紧靠集电极区104c，介电隔离结构可例如横向围绕集电极区104c。根据各种实施例，介电隔离结构可包括在衬底102中提供的沟槽隔离结构，例如深沟槽隔离(DTI)和/或浅沟槽隔尚(STI)o
[0024]根据各种实施例，双极晶体管结构100可包括pnp型BJT 104或pnp型HBT 104，其中集电极区104c和发射极区104e可包括ρ型掺杂硅，且其中基极区104b可包括η型掺杂硅或η型掺杂SiGe。可替换地，根据各种实施例，双极晶体管结构100可包括npn型BJT104或npn型HBT 104，其中集电极区104c和发射极区104e可包括η型掺杂硅，且其中基极区104b可包括ρ型掺杂硅或ρ型掺杂SiGe。
[0025]根据各种实施例，基极区104b可以是硼掺杂的，例如具有在从大约5*101S At/cm3到大约2*102° At/cm3的范围内的掺杂浓度。根据各种实施例，集电极区104c可以是磷掺杂的，例如具有在从大约5*1017 At/cm3到大约5*10 19 At/cm3的范围内的掺杂浓度。根据各种实施例，发射极区104e可以是磷掺杂的，例如具有在从大约5*10lsAt/cm3到大约2*1021At/cm3的范围内的掺杂浓度。
[0026]根据各种实施例，基极端子106可包括掺杂有与基极区104b相同的掺杂类型的多晶硅(还包括所谓的纳米晶硅)。
[0027]不用说，使用其它适当的半导体材料或材料组合(例如砷化镓或磷化铟作为衬底材料和砷化铝镓/砷化镓或磷化铟/砷化铟镓作为在衬底之上的外延层)来提供双极晶体管结构100。此外，根据各种实施例，双极晶体管结构100可包括氮化镓和/或氮化铟镓。
[0028]根据各种实施例，使用硅和硅锗合金(例如SiGe或掺碳SiGe:C)来制造双极晶体管结构100的HBT 104，在基极区104b中的锗的浓度可被分级，使得基极-集电极结104b、104c的带隙比发射极-基极结104e、104b的带隙窄。
[0029]根据各种实施例，适应HBT 104的这两个结的带隙可增加HBT 104的频率响应。此夕卜，在BJT 104或HBT 104的活性区中的结晶质量(晶体结构)可影响双极晶体管结构100的BJT 104或HBT 104的开关行为(例如频率响应)。
[0030]图2图示在示意性横截面视图中的双极晶体管结构100，其中双极晶体管结构100可包括设置在衬底102和基极端子106之间的介电层结构212。根据各种实施例，介电层结构212可包括单个介电层，例如氧化硅层或氮化硅层。可替换地，介电层结构212可包括层堆叠，其包括例如氧化硅层和氮化硅层。
[0031]此外，如例如在图2中所示的，双极晶体管结构100可包括用于电接触集电极区104c的集电极端子210t。根据各种实施例，集电极端子210t可包括配置成电接触集电极区104c的集电极电极210e和掩埋导电层210b。导电层210b可以是提供在衬底102中的掩埋导电区。
[0032]此外，如例如在图2中所示的，双极晶体管结构100可包括用于电接触发射极区104e的发射极端子208 (发射极电极208)。根据各种实施例，发射极端子208可被设置在发射极区104e之上(例如直接在发射极区104e上)。
[0033]如图2所示，双极晶体管结构100可被配置为垂直BJT或垂直HBT，其中集电极104c、基极104b和集电极104e的端子可被设置在衬底102的相同的侧或表面处(例如在衬底102的主处理表面上)。可替换地，基极104b和发射极104e的端子可被设置在衬底102的上表面处，且集电极104c的端子可被设置在与上表面相对的衬底102的底表面处。
[0034]在下文中描述双极晶体管结构100的各种修改和/或配置以及提及双极晶体管区、端子和到衬底中的集成的细节，其中关于图1和图2描述的特征和/或功能可被类似地包括。此外，在下文中描述的特征和/或功能可被包括在双极晶体管结构100中，或可与双极晶体管结构100组合，如前面关于图1和图2描述的。
[0035]图3A图示根据各种实施例的在示意性横截面视图中的双极晶体管结构100。双极晶体管结构100可包括设置在衬底102和基极端子106之间的介电层结构212 (312a、312b)。介电层结构212的第一层312a可以是氧化物层，例如氧化硅层。介电层结构212的第二层312b可以是氮化物层，例如氮化硅层。根据各种实施例，介电层结构212可包括使基极端子106与衬底102且与集电极区104c电隔离的一个或多个介电层。根据各种实施例，介电层结构212的至少第一层312a可被配置为关于硅蚀刻的蚀刻停止层。
[0036]此外，根据各种实施例，双极晶体管结构100可包括布置在衬底102中紧靠集电极区104c的介电隔离结构314 (例如STI)。介电隔离结构314可包括填充有至少一种介电材料的沟槽。介电隔离结构314可使双极晶体管结构100与在衬底102上和中的邻近电子结构电隔离。
[0037]此外，根据各种实施例，双极晶体管结构100可包括设置在基极区104b之上(例如设置在发射极区104e和基极区104b之间)的一个或多个介电隔离物结构316 (例如L形隔离物结构316)。L形隔离物结构316可限定在基极区104b和发射极区104e之间的接触区，或换句话说，L形隔离物结构316可影响双极晶体管结构100的BJT 104或HBT 104的电子性质(例如活性区的大小和位置)。此外，根据各种实施例，L形隔离物结构316可使发射极区104e与基极端子106电分离。根据各种实施例，L形隔离物结构316可包括氮化硅和/或氧化硅。
[0038]如图3A所示，多晶硅基极端子106可横向接触基极区104b，其中基极区104b可包括单晶硅。在处理期间，基极端子106和基极区104b可通过将硅沉积到所提供的基极窗口内来彼此连接，如例如在图6A到图6K中所示的。因此，基极端子106的多晶硅可以不生长到基极区104b中至集电极区104c。换句话说，可以用外延生长硅(例如用单晶硅)完全覆盖集电极区104c，如前面已经描述的。基极区104b的外延生长硅可具有与在集电极区104c中的衬底102的单晶硅的预先限定的结晶关系。
[0039]图3B图示如关于图3A描述的双极晶体管结构100，其中集电极区104c经由集电极端子210t进行电接触(见例如图2)。
[0040]根据各种实施例，介电层结构212的第一层312a和介电隔离结构314可包括相同的介电材料，例如氧化硅。
[0041]根据各种实施例，基极区104b和集电极区104c可具有例如在从大约100 nm到大约100 Mm的范围内的基本上相同的宽度(横向延伸)。根据各种实施例，基极区104b可具有在从大约10 nm到500 nm的范围内的高度(厚度)。根据各种实