保护膜覆盖方法和保护膜覆盖装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及在半导体晶片等被加工物的加工面上覆盖保护膜的保护膜覆盖方法和保护膜覆盖装置。
【背景技术】
[0002]在半导体器件制造工序中，在大致圆板形状的半导体晶片的表面上利用呈格子状排列的被称为间隔道的分割预定线划分出多个区域，在该划分出的区域内形成IC (integrated circuit:集成电路)、LSI (large-scale integrat1n:大规模集成电路)等器件。然后，通过将半导体晶片沿间隔道切断，来对形成有器件的区域进行分割，从而制造出一个个器件。
[0003]作为将这样的半导体晶片或光器件晶片等晶片沿分割预定线分割的方法，提出有以下方法:通过沿着形成于晶片的分割预定线照射脉冲激光光线来形成激光加工槽，并沿着该激光加工槽利用机械破断装置进行切断。(例如，参照专利文献1)
[0004]可是，当沿晶片的分割预定线照射激光光线时，会产生如下所述的新的问题:热能集中于被照射的区域从而产生碎肩，该碎肩附着在器件的表面上从而使器件的质量降低。
[0005]为了消除由上述碎肩引起的问题，提出了如下所述的加工方法:在晶片的表面上覆盖聚乙烯醇(PVA)等的保护膜，穿过保护膜对晶片照射激光光线，由此使飞散的碎肩不会附着在器件上(例如，参照专利文献2)。
[0006]专利文献1:日本特开平6-120334号公报
[0007]专利文献2:日本特开2004-188475号公报
[0008]作为在晶片的表面覆盖聚乙烯醇(PVA)等的保护膜的方法，采用了如下所述的技术:将晶片抽吸保持在旋转工作台上，一边使旋转工作台旋转一边将聚乙烯醇等液态树脂供给至晶片的中心部进行旋转涂覆。
[0009]可是，在通过旋转涂覆在晶片的表面形成保护膜的方法中，存在这样的问题:难以在晶片的整个表面上均匀地形成保护膜，并且，被供给的液态树脂的大部分由于离心力而飞散，因此，要使用相当大的量的液态树脂，不够经济。
【发明内容】
[0010]本发明是鉴于上述情况而完成的，其主要的技术课题在于提供一种保护膜覆盖方法和保护膜覆盖装置，其中，在通过旋转涂覆在晶片的表面形成保护膜的方法中，即使减少形成保护膜的液态树脂的供给量，也能够在晶片的表面形成均匀的保护膜。
[0011]为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种保护膜覆盖方法，其是在待进行激光加工的晶片的正面上覆盖液态树脂而形成保护膜的方法，其特征在于，该保护膜覆盖方法包括:晶片保持工序，将晶片以该晶片的正面成为上侧的方式保持在旋转工作台上；液态树脂滴下工序，将液态树脂滴下至被保持在旋转工作台上的晶片的正面中央区域处；水层形成工序，对于在正面中央区域滴下有液态树脂的晶片供给水，在晶片的整个正面上形成水层；液态树脂扩散工序，使旋转工作台旋转，随着晶片的旋转，作用于水层的离心力使得水层飞散，由此使液态树脂扩散而在晶片的整个正面上形成薄的保护膜层；液态树脂供给工序，使旋转工作台以比该液态树脂扩散工序慢的速度旋转，并向晶片的整个正面供给比该液态树脂滴下工序多的量的液态树脂；以及保护膜形成工序，使旋转工作台以比该液态树脂供给工序快的速度旋转，随着晶片旋转，作用于液态树脂的离心力使液态树脂扩张，从而在晶片的整个正面上形成保护膜。
[0012]另外，在本发明中，提供一种保护膜覆盖装置，其是在晶片的正面上覆盖液态树脂而形成保护膜的装置，其特征在于，所述保护膜覆盖装置具备:旋转工作台，其在将晶片粘贴在保护带上的状态下保持该晶片，所述保护带安装在环状框架上；旋转驱动构件，其驱动该旋转工作台旋转；供水机构，其向粘贴在保护带上的晶片供给水，所述保护带安装在该旋转工作台所保持的环状框架上；液态树脂供给机构，其向粘贴在保护带上的晶片供给液态树脂，所述保护带安装在该旋转工作台所保持的环状框架上；以及控制单元，其控制该旋转驱动构件、该供水机构和该液态树脂供给机构，该控制单元执行以下工序:液态树脂滴下工序，使该液态树脂供给机构工作而将液态树脂滴下至被保持在该旋转工作台上的晶片的正面中央区域处；水层形成工序，在实施了该液态树脂滴下工序之后，使该供水机构工作，对于在正面中央区域滴下有液态树脂的晶片供给水，在晶片的整个正面上形成水层；液态树脂扩散工序，在实施了该水层形成工序之后，使该旋转驱动构件工作而使旋转工作台旋转，随着晶片的旋转，作用于水层的离心力使得水层飞散，由此使液态树脂扩散而在晶片的整个正面上形成薄的保护膜层；液态树脂供给工序，在实施了该液态树脂扩散工序之后，使该旋转驱动构件工作而使旋转工作台以比该液态树脂扩散工序慢的速度旋转，并且使该液态树脂供给机构工作而向晶片的整个正面供给比该液态树脂滴下工序多的量的液态树脂；以及保护膜形成工序，在实施了该液态树脂供给工序之后，使该旋转驱动构件工作而使旋转工作台以比该液态树脂供给工序快的速度旋转，随着晶片的旋转，作用于液态树脂的离心力使液态树脂扩张，从而在晶片的整个正面上形成保护膜。
[0013]本发明的保护膜覆盖方法包括:液态树脂滴下工序，将液态树脂滴下至被保持在旋转工作台上的晶片的正面中央区域处；水层形成工序，对于在正面中央区域滴下有液态树脂的晶片供给水，在晶片的整个正面上形成水层；液态树脂扩散工序，使旋转工作台旋转，随着晶片的旋转，作用于水层的离心力使得水层飞散，由此使液态树脂扩散而在晶片的整个正面上形成薄的保护膜层；液态树脂供给工序，使旋转工作台以比该液态树脂扩散工序慢的速度旋转，并向晶片的整个正面供给比该液态树脂滴下工序多的量的液态树脂；以及保护膜形成工序，使旋转工作台以比该液态树脂供给工序快的速度旋转，随着晶片旋转，作用于液态树脂的离心力使液态树脂扩张，从而在晶片的整个正面上形成保护膜，因此，利用水层使液态树脂在晶片的整个表面上扩散而形成薄的保护膜层，然后，当向晶片的整个表面供给液态树脂时，能够与薄的保护膜层融合而在晶片的整个表面上均匀地覆盖保护膜。另外，由于液态树脂与薄的保护膜层良好地融合，因此液态树脂的流动性变得良好，因此，能够以较少的液态树脂量在树脂膜的整个表面上形成均匀厚度的保护膜。
【附图说明】
[0014]图1是装备有根据本发明构成的保护膜覆盖兼清洗装置的激光加工机的立体图。
[0015]图2是被加工物即作为晶片的半导体晶片的立体图。
[0016]图3是将安装在图1所示的激光加工机中的保护膜覆盖兼清洗装置的一部分剖切后示出的立体图。
[0017]图4是示出将图3所示的保护膜覆盖兼清洗装置的旋转工作台定位于被加工物搬入搬出位置的状态的说明图。
[0018]图5是示出将图3所示的保护膜覆盖兼清洗装置的旋转工作台定位于作业位置的状态的说明图。
[0019]图6是示出构成图3所示的保护膜覆盖兼清洗装置的控制单元的结构框图。
[0020]图7是本发明的保护膜覆盖方法中的液态树脂滴下工序的说明图。
[0021]图8是本发明的保护膜覆盖方法中的水层形成工序的说明图。
[0022]图9是本发明的保护膜覆盖方法中的液态树脂扩散工序的说明图。
[0023]图10是本发明的保护膜覆盖方法中的液态树脂供给工序的说明图。
[0024]图11是本发明的保护膜覆盖方法中的保护膜形成工序的说明图。
[0025]图12是本发明的保护膜覆盖方法中的干燥工序的说明图。
[0026]图13是示出使用图1所示的激光加工机实施的激光加工工序的说明图。
[0027]图14是通过图13所示的激光加工工序形成有激光加工槽的半导体晶片的重要部分的放大剖视图。
[0028]标号说明
[0029]2:装置壳体；
[0030]3:卡盘工作台；
[0031]4:激光光线照射构件；
[0032]41:激光光线振荡构件；
[0033]42:聚光器；
[0034]5:摄像构件；
[0035]6:显示构件；
[0036]7:保护膜覆盖兼清洗构件；
[0037]71:旋转工作台机构；
[0038]711:旋转工作台；
[0039]712:电动马达；
[0040]72:清洗液接收构件；
[0041]74:液态树脂供给机构；
[0042]740:液态树脂供给构件；
[0043]741:树脂供给喷嘴；
[0044]75:供水机构；
[0045]750:供水构件；
[0046]751:供水喷嘴；
[0047]76:空气供给机构；
[0048]760:空气供给构件；
[0049]761:空气供给喷嘴；
[0050]10:半导体晶片；
[0051]11:盒；
[0052]12:位置对准构件；
[0053]13:晶片搬出搬入构件；
[005