式中，计算设备800可以是对数据进行处理的任意其它电子设备。
[0063]实例
[0064]根据各个实施例，本公开内容描述了堆叠式半导体器件封装件。堆叠式半导体器件封装件(封装件)的实例I可以包括具有第一侧以及与第一侧相对的第二侧的衬底，其中第一侧具有多个焊盘并且第二侧具有包括第二侧扇出区域中的焊盘的多个焊盘，其中衬底具有被配置为使第一侧上的多个焊盘中的焊盘与包括第二侧扇出区域的焊盘的第二侧上的多个焊盘中的焊盘电耦合的电布线特征；具有与衬底的第一侧上的多个焊盘中的焊盘耦合的第一器件焊盘侧的第一半导体器件；具有与衬底的第二侧上的多个焊盘中的焊盘耦合的第二器件焊盘侧的第二半导体器件，第一半导体器件和第二半导体器件通过衬底由电布线特征电耦合在一起；以及具有与衬底的第二侧耦合的第一侧并且包封第二半导体器件的介电层，其中介电层具有与第二侧扇出区域中的焊盘电耦合的多个导电过孔，并且被配置为对介电层的第一侧与介电层的第二侧(介电层的第二侧与介电层的第一侧相对)之间的第一半导体器件和第二半导体器件的电信号进行传送。
[0065]实例2可以包括实例I的封装件，其中第一半导体器件是倒装芯片管芯。
[0066]实例3可以包括实例I的封装件，其中第一半导体器件和衬底是包括一个或多个半导体管芯的组合的半导体封装件。
[0067]实例4可以包括实例3的封装件，其中组合的半导体封装件包括晶圆级芯片尺寸封装件、嵌入式扇出晶圆级封装件或者扇入晶圆级封装件。
[0068]实例5可以包括实例I的封装件，还包括一个或多个附加的半导体器件中的至少一个，每个都具有耦合到衬底的第一侧上的多个焊盘中的焊盘的多个焊盘；以及一个或多个附加的半导体器件，每个具有耦合到衬底的第二侧上的多个焊盘中的焊盘的多个焊盘，介电层包封一个或多个附加的半导体器件。
[0069]实例6可以包括实例I的封装件，还包括包封第一半导体器件的模塑化合物。
[0070]实例7可以包括实例1-6中的任意一个的封装件，其中第二半导体器件是倒装芯片管芯、晶圆级芯片尺寸封装件、晶圆级封装件、嵌入式晶圆级封装件或者面板级封装件。
[0071]实例8可以包括实例I的封装件，还包括具有与介电层的第二侧耦合的第一侧的重新分布层，其中重新分布层具有使多个导电过孔电耦合到重新分布层的第二侧上的多个焊盘的多个导电通路，重新分布层的第二侧与重新分布层的第一侧相对，重新分布层的第二侧上的多个焊盘包括第二半导体器件的区域下方的焊盘。
[0072]实例9可以包括实例8的封装件，还包括以下中的至少一个:一个或多个附加的半导体器件，每个具有耦合到重新分布层的第二侧上的多个焊盘中的焊盘的多个焊盘；以及一个或多个第二组附加的半导体器件，每个具有多个焊盘，焊盘中的至少一个耦合到第一半导体器件的第二侧上的多个焊盘中的焊盘，第二侧与第一器件焊盘侧相对，第一半导体器件的第二侧上的多个焊盘通过第一器件多个导电通路耦合到衬底。
[0073]实例10可以包括实例I的封装件，其中第一半导体器件和第二半导体器件每个都是从以下器件所构成的组中选择的一个或多个器件:半导体管芯、无源半导体器件、有源半导体器件、半导体封装件、半导体模块、表面安装半导体器件和集成无源器件及其组合。
[0074]实例11可以包括实例I的封装件，其中介电层由一层或多层聚合物材料或者一层或多层聚合物复合材料构成。
[0075]实例12可以包括实例11的封装件，其中聚合物材料或聚合物复合材料是从以下材料构成的组中选择的:味之素增强膜(ABF)、阻燃剂FR2、阻燃剂FR4、涂胶脂铜(RCC)箔、聚酰亚胺、钝化膜、聚苯并噻唑(PBZT)、聚苯并噁唑(PBO)和模塑化合物及其组合。
[0076]制造堆叠式半导体器件封装件的方法(方法)的实例13可以包括提供具有第一侧以及与第一侧相对的第二侧的衬底，第一侧具有多个焊盘、第二侧具有多个焊盘，并且具有第一器件焊盘侧的第一半导体器件具有耦合到衬底的第一侧上的多个焊盘的焊盘，具有第二器件焊盘侧的第二半导体器件具有耦合到衬底的第二侧上的多个焊盘的焊盘；并且在衬底的第二侧上形成介电层，介电层包封第二半导体器件，形成还包括一个或多个聚合物材料或者一个或多个聚合物复合材料的层叠、涂覆或者层叠和涂覆的组合。
[0077]实例14可以包括实例13的方法，其中聚合物材料或聚合物复合材料是从以下材料构成的组中选择的:味之素增强膜(ABF)、阻燃剂FR2、阻燃剂FR4、涂胶脂铜(RCC)箔、聚酰亚胺、钝化膜、聚苯并噻唑(PBZT)、聚苯并噁唑(PBO)和模塑化合物及其组合。
[0078]实例15可以包括实例13的方法，其中介电层的第一侧与衬底的第二侧耦合，该方法还包括通过介电层来形成导电过孔，以使得衬底的第二侧上的多个焊盘中的至少一个连接到介电层的第二侧上的多个焊盘中的至少一个，介电层的第二侧与介电层的第一侧相对。
[0079]实例16可以包括实例13的方法，还包括形成耦合到介电层的第二侧的重新分布层。
[0080]实例17可以包括实例13的方法，还包括以下中的至少一个:使每个都具有焊盘侧的一个或多个附加的半导体器件耦合到重新分布层上的多个焊盘中的焊盘；并且使每个都具有多个焊盘的一个或多个第二组附加的半导体器件耦合，焊盘中的至少一个耦合到第一半导体器件的第二侧上的多个焊盘中的焊盘，第二侧与第一器件焊盘侧相对，第一半导体器件的第二侧上的多个焊盘通过第一器件多个导电通路耦合到衬底。
[0081]计算设备(设备)的实例18可以包括电路板；以及包括具有第一侧以及与第一侧相对的第二侧的衬底的堆叠式半导体器件封装件，其中第一侧具有多个焊盘，第二侧具有包括第二侧扇出区域中的焊盘的多个焊盘，其中衬底具有被配置为使第一侧上的多个焊盘中的焊盘与包括第二侧扇出区域的焊盘的第二侧上的多个焊盘中的焊盘电耦合的电布线特征；具有与衬底的第一侧上的多个焊盘中的焊盘耦合的第一器件焊盘侧的第一半导体器件；具有与衬底的第二侧上的多个焊盘中的焊盘耦合的第二器件焊盘侧的第二半导体器件，第一半导体器件和第二半导体器件通过衬底由电布线特征耦合在一起；具有与衬底的第二侧耦合的第一侧并且包封第二半导体器件的介电层，其中介电层具有与第二侧扇出区域中的焊盘电耦合的多个导电过孔，并且被配置为对介电层的第一侧与介电层的第二侧之间的第一半导体器件和第二半导体器件的电信号进行传送，介电层的第二侧与介电层的第一侧相对；以及具有与介电层的第二侧耦合的第一侧的重新分布层，其中重新分布层具有使多个导电过孔电耦合到重新分布层的第二侧上的多个焊盘的多个导电通路，重新分布层的第二侧与重新分布层的第一侧相对，重新分布层的第二侧电耦合到电路板，重新分布层的第二侧上的多个焊盘包括第二半导体器件的区域下方的焊盘。
[0082]实例19可以包括实例18的设备，其中第一半导体器件是包封在模塑化合物中的倒装芯片管芯。
[0083]实例20可以包括实例18的设备，其中第一半导体器件和衬底是包括一个或多个半导体管芯的组合的半导体封装件。
[0084]实例21可以包括实例20的设备，其中组合的半导体封装件包括晶圆级芯片尺寸封装件、嵌入式扇出晶圆级封装件或者扇入晶圆级封装件。
[0085]实例22可以包括实例18的设备，还包括以下中的至少一个:一个或多个附加的半导体器件，每个具有多个焊盘，焊盘中的至少一个耦合到衬底的第一侧上的多个焊盘中的焊盘；以及一个或多个附加的半导体器件，每个具有多个焊盘，焊盘中的至少一个耦合到衬底的第二侧上的多个焊盘中的焊盘，介电层包封一个或多个附加的半导体器件。
[0086]实例23可以包括实例18的设备，还包括包封第一半导体器件的模塑化合物。
[0087]实例24可以包括实例18-23中的任意一个的设备，其中第二半导体器件是倒装芯片管芯、晶圆级芯片尺寸封装件、晶圆级封装件、嵌入式晶圆级封装件或者面板级封装件。
[0088]实例25可以包括实例18的设备，还包括以下中的至少一个:一个或多个附加的半导体器件，每个具有多个焊盘，焊盘中的至少一个耦合到重新分布层的第二侧上的多个焊盘中的焊盘；以及一个或多个第二组附加的半导体器件，每个具有多个焊盘，焊盘中的至少一个耦合到第一半导体器件的第二侧上的多个焊盘中的焊盘，第二侧与第一器件焊盘侧相对，第一半导体器件的第二侧上的多个焊盘通过第一器件多个导电通路耦合到衬底。
[0089]实例26可以包括实例18的设备，其中第一半导体器件和第二半导体器件每个都是从以下器件所构成的组中选择的一个或多个器件:半导体管芯、无源半导体器件、有源半导体器件、半导体封装件、半导体模块、表面安装半导体器件和集成无源器件及其组合。
[0090]实例27可以包括实例18的设备，其中介电层由一层或多层聚合物材料或者一层或多层聚合物复合材料构成。
[0091]实例28可以包括实例27的设备，其中该材料是从以下材料构成的组中选择的:味之素增强膜(ABF)、阻燃剂FR2、阻燃剂FR4、涂胶脂铜(RCC)箔、聚酰亚胺、钝化膜、聚苯并噻唑(PBZT)、聚苯并噁唑(PBO)和模塑化合物及其组合。
[0092]实例29可以包括实例18的设备，其中计算设备是穿戴式设备或者移动计算设备，穿戴式设备或者移动计算设备包括与电路板耦合的以下设备中的一个或多个:天线、显示器、触屏显示器、触屏控制器、电池、音频编解码器、视频编解码器、功率放大器、全球定位系统(GPS)设备、指南针、盖革计数器、加速计、陀螺仪、扬声器或者照相机。
[0093]实例30可以包括实例18的设备，其中电路板由柔性材料构成。
【主权项】
1.一种堆叠式半导体器件封装件，包括: 衬底，所述衬底具有第一侧以及与所述第一侧相对的第二侧，其中，所述第一侧具有多个焊盘，并且所述第二侧具有包括第二侧扇出区域中的焊盘的多个焊盘，其中，所述衬底具有电布线特征，该电布线特征被配置为使所述第一侧上的所述多个焊盘中的焊盘与包括所述第二侧扇出区域的所述焊盘的所述第二侧上的所述多个焊盘中的焊盘电耦合； 第一半导体器件，所述第一半导体器件具有与所述衬底的所述第一侧上的所述多个焊盘中的焊盘耦合的第一器件焊盘侧； 第二半导体器件，所述第二半导体器件具有与所述衬底的所述第二侧上的所述多个焊盘中的焊盘耦合的第二器件焊盘侧，所述第一半导体器件和所述第二半导体器件借