多层陶瓷电子组件及其制造方法
【专利说明】
[0001] 本申请要求于2014年11月5日在韩国知识产权局提交的第10-2014-0153100号 韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
[0002] 本公开设及一种多层陶瓷电子组件及其制造方法。
【背景技术】
[0003] 通常，由陶瓷材料制成的电子组件（诸如电容器、电感器、压电元件、压敏电阻器、 热敏电阻器等）包括由陶瓷材料形成的陶瓷主体、形成在陶瓷主体内的内电极W及设置在 陶瓷主体的表面上W连接到内电极的外电极。
[0004] 随着需要高可靠性领域中的各种功能的数字化W及对其的需求的增加，在多层陶 瓷电子组件中也需要高可靠性。
[0005] 阻碍高可靠性的因素包括裂纹的产生、剥落、耐受电压特性等。此外，多层陶瓷电 子组件的陶瓷主体中的残留碳也会对多层陶瓷电子组件的可靠性造成影响。因此，为了改 善多层陶瓷电子组件的可靠性，需要减少陶瓷主体内残留碳的量。
【发明内容】
[0006] 本公开的一方面可提供一种多层陶瓷电子组件及其制造方法。
[0007] 根据本公开的一方面，一种多层陶瓷电子组件可包括：内层部，包括交替设置的介 电层和内电极；覆盖部，设置在内层部的上表面和下表面上，其中，覆盖部包含儀金属。
[0008] 在一个示例中，W覆盖部的总重量为基准，覆盖部可包含0. 18wt%至19wt%的儀 金属。
[0009] 在另一示例中，W覆盖部的总重量为基准，覆盖部可包含1. 8wt%至9. 5wt%的儀 金属。
[0010] 在包括内层部和覆盖部的陶瓷主体的在宽度方向-厚度方向的截面中，Aa/Ac可 满足0. 2142《Aa/Ac《0. 4911，其中，Ac为陶瓷主体的面积，Aa为内电极的重叠的面积。
[0011] 此外，C/M可满足1.826《C/M《4. 686,其中，C为每个覆盖部的厚度，M为内层 部的在宽度方向上的边缘的尺寸。
[0012] 根据本公开的另一方面，一种制造多层陶瓷电子组件的方法可包括W下步骤：使 用第一电介质浆料制备多个第一生片；使用包含氧化儀颗粒的第二电介质浆料制备多个第 二生片；在第一生片上形成内电极图案；堆叠第一生片和第二生片W制备生片多层主体； 对生片多层主体进行烧结W制备多层主体，其中，所述多层主体包括第一介电层和内电极 交替地设置的内层部W及设置在内层部的上表面和下表面上的覆盖部。
[0013] 覆盖部可包含在生片多层主体的烧结过程中通过第二生片中包含的氧化儀颗粒 的还原而形成的儀金属。
[0014] 在一个示例中，W第二电介质浆料的总重量为基准，第二电介质浆料可包含 0.1 wt %至IOwt %的氧化儀颗粒。
[0015] 在另一示例中，W第二电介质浆料的总重量为基准，第二电介质浆料可包含Iwt% 至5wt %的氧化儀颗粒。
[0016] 在一个示例中，氧化儀颗粒可具有50nm至200nm的颗粒尺寸。
[0017] 在另一示例中，氧化儀颗粒可具有IOOnm至150nm的颗粒尺寸。
[0018] 覆盖部可包含儀金属，所述儀金属通过第二生片中所包含的氧化儀颗粒在生片多 层主体的烧结过程中的还原而形成。
【附图说明】
[0019] 通过下面结合附图进行的详细描述，本公开的W上和其它方面、特征和优点将被 更清楚地理解。
[0020] 图1是示意性地示出根据示例性实施例的多层陶瓷电子组件的局部剖视透视图。
[0021] 图2是沿图1的A-A'线截取的剖视图。
[0022] 图3是沿图1的B-B '线截取的剖视图。
[0023] 图4是示出根据另一示例性实施例的制造多层陶瓷电子组件的方法的流程图。
【具体实施方式】
[0024] 在下文中，将参照附图详细描述本公开的实施例。
[00巧]然而，本公开可按照很多不同的形式来实现，并不应该被解释为局限于在此阐述 的具体实施例。确切地说，运些实施例被提供为使得本公开将是彻底的和完整的，且将本公 开的范围充分地传达给本领域技术人员。
[0026] 在附图中，为了清晰起见，会夸大元件的形状和尺寸，并将始终使用相同的附图标 记来表示相同或相似的元件。
[0027] 《房翩瓷由子紀件
[002引图1是示意性地示出根据示例性实施例的多层陶瓷电子组件的局部剖视透视图， 图2是沿图1的A-A'线截取的剖视图。
[0029] 参照图1，根据示例性实施例的多层陶瓷电子组件100可包括陶瓷主体110 W及外 电极131和132。
[0030] 根据示例性实施例，图1和图2中示出的T方向指的是陶瓷主体110的厚度方向， 图1和图2中示出的L方向指的是陶瓷主体110的长度方向，图1和图2中示出的W方向 指的是陶瓷主体110的宽度方向。
[003。 厚度灯）方向指的是内电极和介电层堆叠的方向。
[0032] 参照图1和图2,陶瓷主体110可具有沿厚度方向彼此背对的上表面和下表面、沿 宽度方向彼此背对的第一表面和第二表面W及沿长度方向彼此背对的第=表面和第四表 面。陶瓷主体110的形状不受具体限制。例如，陶瓷主体110可呈大致的六面体形状，而不 是具有完全直线的六面体形状。
[0033] 陶瓷主体110可包括内层部115 W及覆盖部112和113。
[0034] 内层部115可包括多个第一介电层111 W及内电极121和122。根据示例性实施 例，第一介电层111 W及内电极121和122可沿如图2所示的陶瓷主体的厚度（T)方向堆 畳。
[0035] 根据示例性实施例，内层部115可包括第一介电层111，覆盖部可包含儀金属颗 粒。通过使包含在用于形成覆盖部的生片中的氧化儀的还原，可形成覆盖部中所包含的儀 金属颗粒。用于形成覆盖部的生片中所包含的氧化儀可用于在陶瓷主体的烧结过程中供应 氧气，并且氧化儀被还原为儀颗粒，从而被包含在覆盖部中。
[0036] 在下文中，将更详细地描述多层陶瓷电子组件的构造。
[0037] 陶瓷主体可包括：内层部115,堆叠了其上设置有内电极121和122的多个第一介 电层111 ;覆盖部112和113,分别设置在内层部115的上表面和下表面上。
[0038] 除非特别地描述，否则陶瓷主体的上表面（或部分）和下表面（或部分）不受具 体限定，而是可根据多层陶瓷电子组件的方位，被限定为陶瓷主体的在厚度方向上的任意 表面。
[0039] 第一介电层111可包含具有高介电常数的陶瓷材料，诸如，铁酸领度aTi〇3)基粉 末或铁酸锁基（SrTi化）粉末。然而，第一介电层的材料不限于此，只要可获得足够的电容 即可。
[0040] 此外，第一介电层111可由第一电介质浆料形成，如果需要，还可将陶瓷添加剂、 有机溶剂、塑化剂、粘结剂、分散剂等与陶瓷粉末一起添加到第一电介质浆料。
[0041] 陶瓷添加剂可包括过渡族金属氧化物或碳化物、稀±元素、儀（Mg)、侣（Al)等，但 陶瓷添加剂不限于此。
[0042] 在运种情况下，第一介电层111的厚度可根据多层陶瓷电子组件100的目标电容 而选择性地改变。
[0043] 内电极可包括第一内电极121和第二内电极122。第一内电极121和第二内电极 122可选择性地设置有置于它们之间的至少一个第一介电层111。第一内电极121和第二 内电极122可通过置于它们之间的第一介电层111而彼此电绝缘。
[0044] 施加有不同极