半导体衬底结构、半导体封装的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种半导体衬底结构、半导体封装及其制造方法，且更确切地说，涉及一种包含光敏树脂的半导体衬底结构、包含所述半导体衬底结构的半导体封装以及其制造方法。
【背景技术】
[0002]半导体工业中的设计趋势包含半导体产品的重量减少以及小型化。然而，重量减轻以及小型化的技术可导致制造问题。举例来说，具有一个嵌入导电迹线层的薄半导体衬底可导致制造期间的低良率，这是因为可能难以处置薄半导体衬底结构。
[0003]因此，需要提供一种改良的半导体衬底结构、半导体封装及其制造方法。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的一个方面涉及一种半导体衬底结构。在一个实施例中，所述半导体衬底结构包括导电结构和电介质结构。导电结构具有第一导电表面和与第一导电表面相对的第二导电表面。电介质结构遮盖导电结构的至少一部分，且具有第一电介质表面和与第一电介质表面相对的第二电介质表面。第一导电表面并非自第一电介质表面突出，且第二导电表面自第二电介质表面凹进。电介质结构包含固化光敏树脂或由其形成，且电介质结构界定第二电介质表面中的电介质开口以暴露第二导电表面的一部分。
[0005]本实用新型的另一方面涉及一种半导体封装。在一个实施例中，所述半导体封装包括半导体衬底结构、半导体裸片以及模塑料。半导体衬底结构包括导电结构和电介质结构。导电结构具有第一导电表面和与第一导电表面相对的第二导电表面。电介质结构遮盖导电结构的至少一部分，且具有第一电介质表面和与第一电介质表面相对的第二电介质表面。第一导电表面并非自第一电介质表面突出，且第二导电表面自第二电介质表面凹进。电介质结构包含固化光敏树脂或由其形成，且电介质结构界定第二电介质表面中的电介质开口以暴露第二导电表面的一部分。半导体裸片电连接到第一导电表面。模塑料遮盖半导体裸片和半导体衬底结构的一部分。
[0006]本实用新型的另一方面涉及一种用于制造半导体衬底结构的方法。在一个实施例中，所述方法包括:(a)提供第一载体；(b)在第一载体上形成导电结构，其中导电结构具有第一导电表面和与第一导电表面相对的第二导电表面，且第一导电表面安置于第一载体上；(C)形成电介质结构以遮盖导电结构，其中电介质结构具有第一电介质表面和与第一电介质表面相对的第二电介质表面，电介质结构包含光敏树脂，且第一导电表面实质上与第一电介质表面共面；(d)在电介质结构的第二电介质表面中形成电介质开口以暴露第二导电表面的一部分；(e)去除第一载体，其中第一导电表面从第一电介质表面暴露；以及(f)在第二电介质表面上提供第二载体。
【附图说明】
[0007]图1说明根据本实用新型的实施例的半导体衬底结构的横截面图。
[0008]图1A说明图1的半导体衬底结构的区域A的部分放大视图。
[0009]图2说明根据本实用新型的另一实施例的半导体衬底结构的横截面图。
[0010]图3说明根据本实用新型的另一实施例的半导体衬底结构的横截面图。
[0011]图4说明根据本实用新型的另一实施例的半导体衬底结构的横截面图。
[0012]图5说明根据本实用新型的另一实施例的半导体衬底结构的横截面图。
[0013]图6说明根据本实用新型的另一实施例的半导体衬底结构的横截面图。
[0014]图7说明根据本实用新型的另一实施例的半导体衬底结构的横截面图。
[0015]图8说明根据本实用新型的另一实施例的半导体衬底结构的横截面图。
[0016]图9说明根据本实用新型的另一实施例的半导体衬底结构的横截面图。
[0017]图10说明根据本实用新型的实施例的半导体封装的横截面图。
[0018]图11说明根据本实用新型的另一实施例的半导体封装的横截面图。
[0019]图12说明根据本实用新型的另一实施例的半导体封装的横截面图。
[0020]图13说明根据本实用新型的另一实施例的半导体封装的横截面图。
[0021]图14说明根据本实用新型的另一实施例的半导体封装的横截面图。
[0022]图15说明根据本实用新型的另一实施例的半导体封装的横截面图。
[0023]图16A、图 16B、图 16C、图 16D、图 16E、图 16F、图 16G、图 16H、图 161、图 16J、图 16K和图16L说明根据本实用新型的实施例制造半导体封装的方法。
[0024]图17A、图17B、图17C、图17D、图17E、图17F、图17G和图17H说明根据本实用新型的另一实施例的制造半导体封装的方法。
【具体实施方式】
[0025]如说明书中所描述和各图中所展示，相对于某一元件或元件的某一平面指定空间描述，例如，“在…上方”、“在…下方”、“向上”、“左”、“右”、“向下”、“顶部”、“底部”、“垂直”、“水平”、“侧面”、“较高”、“下部”、“上部”、“在…之上”、“在…之下”，等等。此外，应理解本文中所使用的空间描述仅出于说明的目的，且本文中所描述的结构的实际实施方案可以任何定向或方式在空间上布置，其限制条件为本实用新型的实施例的优点不因此布置而有偏差。
[0026]图1说明根据本实用新型的实施例的半导体衬底结构100A的横截面图。半导体衬底结构100A的厚度可在约20微米(μ m)到约60 μ m的范围内；举例来说，在约20 μ m到约50 μ m范围内，在约20 μ m到约40 μ m范围内，或在约20 μ m到约30 μ m范围内。半导体衬底结构100A包含电介质结构104和一或多个导电结构106。在此实施例中，电介质结构104为电介质层110，且具有第一电介质表面112、与第一电介质表面112相对的第二电介质表面114，以及在第二电介质表面114中的一或多个电介质开口 116。电介质层110的材料包含具有互穿聚合物网络(IPN)结构的固化光敏树脂或由其形成。光敏树脂包含基体树脂(例如，丙烯酸树脂或环氧树脂)和光引发剂。在一些实施例中，光敏树脂为来自太阳油墨制造有限公司(Taiyo Ink Mfg.C0., Ltd)的 CA-40AUS320。
[0027]在此实施例中，导电结构106为单层金属层结构，并包括第一图案化导电层118。第一图案化导电层118包括一或多个接合垫131(例如，用于倒装芯片接合的凸块衬垫或用于线接合的手指衬垫)、一或多个球衬垫133以及第一导电迹线134。第一图案化导电层118具有第一导电表面122和与第一导电表面122相对的第二导电表面124。电介质结构104 (电介质层110)遮盖导电结构106的至少一部分(第一图案化导电层118)。第一导电表面122并非从第一电介质表面112突出，这意味着第一导电表面122的部分或全部可实质上与第一电介质表面112共面，或从第一电介质表面112凹进。第二导电表面124从第二电介质表面114凹进。电介质开口 116暴露第二导电表面124的部分。球衬垫133是第二导电表面124的暴露部分。
[0028]如针对图1的实施例所说明，第一导电表面122实质上与电介质层110的第一电介质表面112共面。接合垫131 (例如，凸块衬垫或手指衬垫)各自具有沿第一导电表面122的上表面和沿第二导电表面124的下表面。接合垫131中的每一者的上表面从第一电介质表面112暴露，且接合垫131中的每一者的下表面由电介质结构104(电介质层110)遮盖。球衬垫133各自具有沿第一导电表面122的上表面和沿第二导电表面124的下表面。球衬垫133中的每一者的上表面从第一电介质表面112暴露，且球衬垫133中的每一者的下表面在电介质开口 116中暴露。如所说明，第一导电迹线134连接接合垫131与球衬垫133。在此实施例中，第一导电迹线134可为细间距，例如，迹线中心之间的小于或等于约15μπι，或小于或等于约10 μm的间距。
[0029]图1A说明图1的半导体衬底结构100A的区域A的部分放大视图。界定电介质开口 116的侧壁130为曲狀的。S卩，电介质开口 116具有在第二电介质表面114处的第一宽度WjP在电介质开口 116的中间部分处的第二宽度W2，且第一宽度W1大于第二宽度W2。举例来说，第一宽度W1与第二宽度W2之间的差可为至少约2 μ m，例如，至少约3 μ m、至少约4 μm、至少约5μηι或至少约10 μm。作为另一实例，第一宽度W1与第二宽度W 2的比率可为至少约1.05、至少约1.1、至少约1.2、至少约1.3、至少约1.4、至少约1.5或至少约2。参看图16H描述曲狀侧壁130的形成的实例。
[0030]图2说明根据本实用新型的另一实施例的半导体衬底结构100B的横截面图。除图2的实施例的第一导电表面122从第一电介质表面112凹进以外，此实施例的半导体衬底结构100B类似于图1中所说明的半导体衬底结构100A。在其它实施例中，第一导电表面122的部分从第一电介质表面112凹进，而第一导电表面122的其它部分实质上与第一电介质表面112共面。
[0031]图3说明根据本实用新型的另一实施例的半导体衬底结构100C的横截面图。除球衬垫133中的每一者包含在暴露于电介质开口 116中的球衬垫133的下表面上的凹部132以外，此实施例的半导体衬底结构100C类似于图1中所说明的半导体衬底结构100A。参看图16H描述凹部132的形成的实例。
[0032]图4说明根据本实用新型的另一实施例的半导体衬底结构100D的横截面图。除阻焊层136安置在第一导电表面122和第一电介质表面112上以外，此实施例的半导体衬底结构100D类似于图1中所说明的半导体衬底结构10