116中，且物理上并电学上连接到球衬垫133的相应者。半导体裸片562安置在半导体衬底结构100E的顶部表面上，并电连接到接合垫131，以便电连接到导电结构106的第一导电表面122。
[0044]在此实施例中，半导体裸片562的背面粘着在阻焊层137上，且半导体裸片562的有源表面经由接合线668电连接到半导体衬底结构100E的第一导电表面122上的表面处理层138。模塑料564遮盖半导体裸片562、接合线668、表面处理层138以及阻焊层137。
[0045]图13说明根据本实用新型的另一实施例的半导体封装200D的横截面图。此实施例的半导体封装200D类似于图10中所说明的半导体封装200A，且差异描述如下。半导体封装200D包括半导体衬底结构100F(图6)、一或多个焊料凸块560、半导体裸片562以及模塑料564。半导体衬底结构100F包含一或多个导电柱128，如参看图6所描述。导电柱128从第一导电表面122突出，且安置在接合垫131的相应者上。半导体裸片562的导电柱580上的焊料539物理上并电学上连接到半导体衬底结构100F的导电柱128。
[0046]图14说明根据本实用新型的另一实施例的半导体封装200E的横截面图。此实施例的半导体封装200E类似于图13中所说明的半导体封装200D，且差异描述如下。半导体封装200E包括半导体衬底结构100H(图8)、一或多个焊料凸块560、半导体裸片562以及模塑料564。半导体衬底结构100H包含阻焊层139和一或多个第一金属凸块228，如参看图8所描述。第一金属凸块228安置在球衬垫133的相应者的上表面上。第一金属凸块228可提高球衬垫133的强度。因此，在提供模塑料564以遮盖半导体衬底上的半导体裸片562的过程期间，球衬垫133发生开裂或其它损坏的风险减小。阻焊层139遮盖第一金属凸块228，且具有开口 1391以暴露导电柱128。
[0047]图15说明根据本实用新型的另一实施例的半导体封装200F的横截面图。半导体封装200F包括半导体衬底结构100G(图7)、一或多个焊料凸块560、半导体裸片562、一或多个接合线668以及模塑料564。焊料凸块560安置在电介质结构104的电介质开口 116中，且物理上并电学上连接到球衬垫133的相应者。半导体衬底结构10G包含一或多个表面处理层236和阻焊层139，如参看图7所描述。
[0048]半导体裸片562安置在半导体衬底结构100G的上表面上，并电连接到接合垫131，以便电连接到导电结构106的第一导电表面122。在此实施例中，半导体裸片562的背面粘着在阻焊层139上，且半导体裸片562的有源表面经由接合线668电连接到导电柱128上的表面处理层236。模塑料564遮盖半导体裸片562、接合线668、所述一或多个表面处理层236以及阻焊层139。
[0049]图16A、图 16B、图 16C、图 16D、图 16E、图 16F、图 16G、图 16H、图 161、图 16J、图 16K和图16L说明根据本实用新型的实施例制造半导体封装的方法。
[0050]参看图16A，提供第一载体982。第一载体982具有第一表面984和与第一表面984相对的第二表面986。在一个实施例中，第一载体982包含双马来酰亚胺三嗪(BT);然而，本实用新型并不限于此。导电膜988和晶种层990安置在第一表面984和第二表面986上。接着，光阻层992安置在晶种层990上。在一个实施例中，导电膜988为具有约18 μm厚度的铜箔，晶种层990为具有约3 μπι厚度的铜箔，且光阻层992为层压干膜；然而，本实用新型并不限于此。
[0051]参看图16Β，图案化光阻层992。图案化方法可包含曝光和显影，以便界定光阻层992中的图案开口 994并暴露晶种层990。
[0052]参看图16C，第一图案化导电层118形成于从光阻层992的图案开口 994暴露的晶种层990上。在一个实施例中，通过电镀形成第一图案化导电层118。在一个实施例中，第一图案化导电层118的厚度为约20 μ m，且第一图案化导电层118的材料为铜；然而，本实用新型并不限于此，且可使用(例如)其它金属或金属合金。在图16C的实施例中，第一图案化导电层118的导电迹线(例如，图1的第一导电迹线134)可经制造成细间距(例如，小于或等于15 μ m)。在此实施例中，第一图案化导电层118具有第一导电表面122和与第一导电表面122相对的第二导电表面124。第一导电表面122是在晶种层990处，且第二导电表面124由光阻层992暴露。
[0053]参看图16D，去除如图16C中所示的光阻层992。
[0054]参看图16E，电介质结构104经形成以遮盖晶种层990和第一图案化导电层118。在一些实施例中，电介质结构104为电介质层，其材料为包含基体树脂(例如，丙烯酸树脂或环氧树脂)和光引发剂的光敏树脂。在一些实施例中，光敏树脂为来自太阳油墨制造有限公司的CA-40AUS320。电介质结构104具有第一电介质表面112和与第一电介质表面112相对的第二电介质表面114。第一导电表面122实质上与第一电介质表面112共面。
[0055]接着，预先固化电介质结构104。举例来说，光束施加到光敏树脂，使得通过将光引发剂与基体树脂反应而将光敏树脂部分地固化到B阶段状态。
[0056]参看图16F，电介质结构104经图案化以界定第二电介质表面114上的一或多个电介质开口 116以暴露第二导电表面124的一部分。图案化可包含(例如)暴露并显影电介质结构104。电介质开口 116是由侧壁130界定。
[0057]参看图16G，晶种层990与导电膜988分隔，使得两个衬底结构(上部衬底结构和下部衬底结构)与第一载体982分隔。
[0058]参看图16H，第二载体981经提供在第二电介质表面114上。在一些实施例中，第二载体981包括核心板983、第一金属层985和第二金属层987。在一个实施例中，核心板983包含双马来酰亚胺三嗪(BT)，且第一金属层985和第二金属层987为安置在核心板983两侧的铜箔。电介质结构104的第二电介质表面114附著或黏附到第一金属层985。
[0059]如上文所提，电介质结构104为当前在B阶段中的光敏树脂，使得电介质结构104可紧密地粘附到第二载体981。在一些实施例中，电介质结构104通过热按压而粘附到第二载体981，因此，光敏树脂经进一步热固化，使得光敏树脂发展到C阶段状态，并具有互穿聚合物网络(IPN)结构。界定电介质开口 116的侧壁130归因于在第二载体981上按压的电介质结构104中的光敏树脂(在B阶段状态中)而弯曲(如针对图1A的实施例说明):侧壁130的中间部分依靠压力挤压到电介质开口 116中，且当固化到C阶段状态时保持所得曲状。
[0060]参看图161，可完全或部分地去除如图16H中所示的晶种层990。在一个实施例中，通过快速蚀刻(Flash Etching)去除晶种层990。在此时刻之后，获得半导体衬底结构100A(图1)。第二载体981在后续囊封期间提高半导体衬底结构100A的刚性。在一个实施例中，在完全去除晶种层990之后，第一导电表面122可经进一步蚀刻，使得第一导电表面122从第一电介质表面112凹进，如针对图2的实施例所展不。
[0061]参看图16J，半导体裸片562安置在半导体衬底结构100A的第一衬底表面566 (包含在此实施例中实质上彼此共面的第一电介质表面112和第一导电表面122)上，且电连接到接合垫131，以便电连接到导电结构106的第一导电表面122。在此实施例中，半导体裸片562包含在其有源表面上的一或多个UBM 578和安置在UBM 578的相应者上的一或多个导电柱580。半导体裸片562的导电柱580包含焊料539，且半导体裸片562经由焊料539电学上并物理上连接到半导体衬底结构100A的第一导电表面122。
[0062]参看图16K，模塑料564经施加以遮盖半导体裸片562和半导体衬底结构100A的第一衬底表面566。在此实施例中，模塑料564遮盖半导体裸片562、导电柱580、焊料539以及半导体衬底结构100A的第一衬底表面566的一部分。在此实施例中，导电柱580形成充分大空间，使得模塑料564可遮盖半导体裸片562的有源表面上的组件。因此，不需要昂贵的底部填充，借此减少制造成本。
[0063]参看图16L，去除第二载体981。在一些实施例中，电介质结构104与第一金属层985分隔，使得上部结构直接与第二载体981分隔。在其它实施例中，第一金属层985为包含外部金属层和内部金属层的双层结构，其中内部金属层安置于外部金属层与核心板983之间。电介质结构104粘附到外部金属层(图16H)。接着(图16L)，外部金属层通过剥离与内部金属层分隔，使得上部结构(包含外部金属层)与第二载体981分隔。接着(同样图16L)，通过蚀刻去除外部金属层。同时，用于外部金属层的蚀刻剂将进入电介质开口 116以蚀刻球衬垫133的暴露表面以产生凹部132(如图3中)。
[0064]焊料凸块可安置在电介质结构104的电介质开口 116中，以物理上并电学上连接到球衬垫133的相应者。焊料凸块可从电介质结构104的第二电介质表面114突出(例如，针对包含半导体衬底结构100A的半导体封装200A所展示，如图10中所示)。
[0065]图17A、图17B、图17C、图17D、图17E、图17F、图17G和图17H说明根据本实用新型的另一实施例的制造半导体封装的方法。此实施例的初始步骤与图16A到图16H相同，且以下步骤是在图16H之后。