芯片接合切割片材的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及制造半导体装置时可适宜使用的芯片接合切割片材。
【背景技术】
[0002] 传统上，半导体芯片和引线框架等支撑部件的接合主要使用银浆。但是，伴随近 年的半导体芯片的小型化及高性能化，对于使用的导线框架也提出了小型化及细密化的要 求。对于所述要求，在为进行所述接合而使用银浆时，趋于发生由浆体溢出或半导体的倾斜 引起的引线接合时的故障。另外，基于难以控制粘合剂层的膜厚、并且粘合剂层中易于发生 空隙等原因，使用银浆来应对所述要求也是有限度的。
[0003] 因此近年来，人们开始用以单片贴附方式或晶片背面贴附方式使用薄膜状粘合剂 及薄膜状接合材料等具有粘合性的薄膜部件的接合方法来代替银浆。
[0004] 以所述单片贴附的方式制造半导体装置时，其代表性的制造工序包括下述（1)~ (3)〇
[0005] (1)首先通过切割或冲切，从卷状（卷筒状）的粘合薄膜上切出该粘合薄膜的单 片。接着，将所述单片贴附在引线框架上。
[0006] (2)在得到的附有粘合薄膜的引线框架上，放置预先以切割工序而切断分离（切 割（dicing))的元件小片（半导体芯片）。接着，通过将它们进行接合（芯片接合（die bond))，制作附有半导体芯片的引线框架。
[0007] (3)实施引线接合工序及封装工序等。
[0008] 但是，在该方法中，要从卷状的粘合薄膜上切出粘合薄膜的单片，进一步地，将切 出粘合薄膜的单片粘合在引线框架上，因此需要专门的装配装置。因此，相比使用银浆的方 法，在制造成本相对较高的方面值得改善。
[0009] 另一方面，以所述晶片背面贴附方式制造半导体装置时，其代表性的制造工序包 括下述⑴~（4)。
[0010] (1)在半导体晶片的背面贴附粘合薄膜，进一步地在粘合薄膜之上贴合切割胶带。 [0011] (2)实施切割工序，在附有粘合薄膜的状态下，对半导体晶片进行单片化。
[0012] (3)拾取得到的附有粘合薄膜的半导体芯片的各个单片，将其贴附在引线框架上。
[0013] (4)然后，实施通过加热固化粘合薄膜的固化工序、引线接合工序及封装工序等。
[0014] 这样的方法中，粘合薄膜和半导体晶片同时进行单片化，制作附有粘合薄膜的半 导体芯片，因此，不需要独立的对粘合薄膜进行单片化的装置。因此，可以直接使用传统的 使用银浆时所用的装配装置，或在装配装置上附加发热盘等、仅对所述装置进行部分改进 即可，可以控制制造成本相对较低。但是，该方法到切割工序为止，需要进行粘合薄膜的贴 附和之后的切割胶带的贴附这两道贴附工序。
[0015] 因此，人们进行了不需要两次贴附工序，仅一次贴附工序即可完成的具有粘合性 的薄膜部件的开发。作为像这样的薄膜部件的一个例子，已知的有预先贴合粘合薄膜和切 割胶带的"芯片接合切割片材"、或可以用于切割工序和接合工序的两者的片材等。
[0016] 作为一个例子，举例有具有基材/粘附剂层/粘合剂层/剥离性片材的4层结构 的芯片接合切割片材（例如，专利文献1)。专利文献1中，如图1(a)及（b)所示，通过在 剥离性片材10之上形成有盘状的粘合剂层（接合材料）12,在其上积层比所述粘合剂层12 大一圈的盘状的粘附剂层13,进一步地，积层具有与粘附剂层13相同的尺寸和形状的基材 14,制作所述片材。此外，专利文献1中公开了，通过由辐射固化型粘附剂构成所述粘附剂 层13,并维持辐射固化后的弹性模量在规定的范围内，改善了切割工序后的扩展性以及拾 取性。此外，已知的还有，具有基材/粘合剂层/剥离性片材的3层结构的芯片接合切割片 材。
[0017] 传统上，切割工序中，使用被称为刀片（7''F)的刀具实施晶片的单片化。但 是，伴随晶片的薄型化和芯片的小型化，近年来，逐渐使用通过切割胶带的拉伸进行芯片的 单片化的隐形切割法。所述隐形切割法，如图2所示，代表性地具有以下的工序。另外，图 2的例示与所述使用3层结构的芯片接合切割片材的情况相对应。
[0018] (1)在通常的半导体晶片30上照射激光，在晶片内部形成改质部30a(图2(a))。
[0019] (2)剥离芯片接合切割片材的剥离性片材10,使粘合剂层12露出（图2(b))。
[0020] (3)在粘合剂层12的所述露出面上，贴合具有改质部30a的晶片30及切割用环 40(图 2(c))。
[0021] (4)通过使用扩展夹具50拉伸基材14以及粘附剂层13 (切割胶带），扩展切断晶 片，使芯片单片化（图2(d))。
[0022] 现有技术文献
[0023] 专利文献
[0024] [专利文献1]日本专利特开平7-045557号公报
【发明内容】
[0025] 发明要解决的课题
[0026] 所述经由隐形切割法的切割工序中，使用4层结构的芯片接合切割片材（参考图 1)时，如图3所示，代表性地，可以通过以下的工序制造半导体装置。
[0027] (1)剥离芯片接合切割片材的剥离性片材10,使粘合剂层12及粘附剂层13的一 部分露出（图3(a))。另外，所述粘附剂层13的露出部具有带状圆环形状，其为切割用环的 放置区域。
[0028] (2)接着，在所述粘附剂层13的露出部之上放置切割用环40,在环内侧的规定的 位置（接着剂层12之上）上，放置预先通过激光形成改质部30a的半导体晶片30 (图3 (b) 及（c))〇
[0029] (3)接着，通过使用扩展夹具50拉伸基材14及粘附剂层13 (切割胶带），同时切 断半导体晶片30和粘合剂层12,制作附有粘合剂层的半导体芯片（12b及30b)(图3 (d))。
[0030] (4)从粘附剂层13的表面上拾取所述附有粘合剂层的半导体芯片，放置于引线框 架之上，进行加热及接合（芯片接合（diebond))。接着进行引线接合处理，使用封装材料 封装半导体芯片（未图示）。
[0031] 但是，所述制造方法中，对于在薄膜状的粘合剂层上贴附的半导体晶片（参考图 3(c)及（d))实施扩展切断，同时对粘合剂层和晶片进行单片化的工序时，有时产生粘合 剂层的一部分发生剥离，附着在半导体晶片的上表面的问题。这被称为DAF(DieAttach Film，芯片粘合膜）飞散。更详细地，如图4所示，DAF飞散是指，位于半导体晶片30的外 侦叭不与半导体晶片接触的粘合剂层的部分12c(图4 (a))，由于扩展切断时的冲击，从粘附 剂层13上剥离及飞散，附着在所述半导体晶片切断后得到的半导体芯片30b的上表面的现 象（（图4(b))。图4(b)中，参考符号12c'显示了飞散附着在芯片上表面的粘合剂层。像这 样地，因为附着有飞散的粘合剂层的芯片变得不能拾取，生产性降低，因此期望进行改善。
[0032] 鉴于这样的状况，本发明的目的是提供一种可以改善诸如扩展时粘合剂层从粘附 剂层上剥离、以及所述粘合剂层的飞散、进一步改善地附着在半导体芯片上的问题的芯片 接合切割片材。
[0033] 解决课题的手段
[0034] 为完成所述目的，本发明人进行了种种研究，结果发现，通过将粘合剂层的尺寸设 定为与半导体晶片相同、或者与半导体晶片相近的尺寸，可以防止扩展切断时的粘合剂层 的飞散，完成了本发明。本申请涉及以下事项。
[0035] (1) -种芯片接合切割片材，贴附在半导体元件搭载用支撑部件上使用，其具有： 剥离性的第1基材、设置于所述第1基材的一侧表面之上的粘合剂层、覆盖所述粘合剂层的 整个上表面并且具有不与所述粘合剂层重合的周缘部的粘附剂层、以及设置于所述粘附剂 层的上表面的第2基材，所述粘合剂层的平面外形大于所述半导体元件搭载用支撑部件的 平面外形，并且，所述粘合剂层的端部与所述支撑部件的端部之间的间隔为1mm以上、12mm 以下。
[0036] (2)所述（1)所述的芯片接合切割片材，其中，所述半导体元件搭载用支撑部件为 半导体晶片。
[0037] (3)所述⑴或⑵所述的芯片接合切割片材，其中，所述第1基材具有长条形状， 在所述长条形状的第1基材的上表面上，配置有多个岛状的积层体，该积层体包含所述粘 合剂层、所述粘附剂层、所述第2基材，并且，所述芯片接合切割片材以所述第1基材的上表 面作为内侧，沿长轴方向卷取为卷状而成。
[0038] (4)所述⑴~⑶中任意1项所述的芯片接合切割片材，其中，所述第2基材为 在通过依隐形切割法实施的扩展进行切断时不发生断裂的切割片材基材。
[0039] (5) -种制造方法，使用所述⑴~（4)中任意1项所述的芯片接合切割片材作为 上述芯片接合切割片材，其为包含通过依隐形切割法实施的扩展进行的切断工序的半导体 装置的制造方法，所述切断工序包括：
[0040] (i)工序：在所述半导体元件搭载用支撑部件上照射激光，形成改质层，
[0041] (ii)工序：是将所述半导体元件搭载用支撑部件与依次含有剥离性的第1基材、 粘合剂层、粘附剂层和第2基材的芯片接合切割片材贴合的工序，通过剥离所述芯片接合 切割片材的所述第1基材使所述粘合剂层露出，接着将所述粘合剂层与所