第1基材之上形成的粘合层与在第2基材之上形成的粘附剂 层相互贴合而制造。
[0082] 本发明的第2方式涉及使用本发明的芯片接合切割片材的半导体装置的制造方 法。所述制造方法包括，在半导体晶片的背面贴附所述芯片接合切割片材的粘合剂层的工 序，将所述半导体晶片和所述芯片接合切割片材的粘合剂层同时进行单片化的切断工序， 拾取单片化的附有粘合剂层的半导体晶片（芯片）、将其固定于引线框架上的工序，引线接 合工序和封装工序。所述切断工序中，可以使用本技术领域公知的分断方法，但优选通过扩 展进行的切断方法。特别地，优选使用基于依照隐形切割法实施的扩展的方法。
[0083] 本发明优选的一个实施方式涉及半导体装置的制造方法，其包括通过依照隐形切 割法实施的扩展进行的切断工序，在所述分断工序中使用作为本发明的第1方式的芯片接 合切割片材。依照这样的实施方式，可以抑制扩展时的DAF飞散，因此可以以较高的成品率 获得半导体芯片，也可以良好地实施半导体芯片的拾取操作。由此，可以高效率地实施半导 体装置的制造。
[0084] 所述制造方法的一个实施方式中，优选切断工序具有，
[0085] (i)工序：在所述半导体元件搭载用支撑部件上照射激光，形成改质层，
[0086] (ii)工序：是将所述半导体元件搭载用支撑部件与依次含有剥离性的第1基材、 粘合剂层、粘附剂层和第2基材的芯片接合切割片材贴合的工序，通过剥离所述芯片接合 切割片材的所述第1基材，使所述粘合剂层露出，接着，使所述粘合剂层与所述半导体元件 搭载用支撑部件贴合，然后
[0087] (iii)工序：通过扩展所述芯片接合切割片材的所述第2基材与所述粘附剂层，同 时切断所述半导体元件搭载用支撑部件与所述粘合剂层，获得单片化的附有粘合剂层的所 述半导体元件搭载用支撑部件。
[0088] 此处，所述工序（iii)优选在扩展时所述第2基材及所述粘附剂层不被切断的条 件下实施。通常，切割片材具有切割片材基材和其上设置的粘附剂层。工序（iii)中，通过 扩展施加外力，拉伸切割片材（第2基材及粘附剂层）。从易于同时切断半导体晶片和粘 合剂层的角度，优选所述切割片材的拉伸量较大。另一方面，拉伸量过分增大的话，切割片 材本身容易发生断裂。虽没有特别限定，但作为切割片材基材，使用含有离聚物树脂的厚度 为100μm的切割片材基材的情况下，优选在-15°C~10°C的温度、10_/秒的扩展速度以 及10~15mm的扩展量的条件下，实施扩展。扩展可以使用本技术领域公知的扩展夹具进 行实施。
[0089] 依据本发明的半导体装置的制造方法，在所述切断工序之外，根据需要，也可根据 (iv)粘附剂层的特性，具有照射紫外线等活性能量的工序。在所述粘附剂层包含通过活性 能量的照射而固化的成分时，通过固化所述粘附剂层，可以降低所述粘合剂层和所述粘附 剂层之间的粘合力。
[0090] 本发明的制造方法的一个实施方式包含使用所述切断工序中得到的半导体芯片， 制造半导体装置的其他的工序。具体地，在包括所述（i)~（iv)的切断工序之后，可以通 过实施（v)将各个半导体芯片以附有粘合剂层的状态，从粘附剂层上剥离以及拾取，接着， 将该附有粘合剂层的半导体芯片放置在引线框架等的支撑部件之上，进行加热及粘合的工 序，（vi)引线接合工序，（vii)使用封装材料封装所述半导体芯片的工序，制造半导体装 置。
[0091] 实施例
[0092] 以下基于实施例以及比较例，更具体地说明本发明，但本发明并不被下述实施例 限定。
[0093] (实施例1)
[0094] 准备厚度100μm、直径300mm的半导体晶片。通过向所述半导体晶片照射激光，形 成10mmX10mm的格状的改质部。此外，准备在剥离性的第1基材之上，具有厚度60μπι的 粘合剂层、厚度20μm的粘附剂层及厚度150μm的第2基材的直径305mm的芯片接合切割 片材。调节此时的粘合剂与保护薄膜之上的粘附剂层的界面中的UV照射前的剥离强度，使 其在90°剥离试验方法中为1. 3N/25mm。
[0095] 更为具体地，作为所述第1基材，使用PET薄膜。所述粘合剂层使用以重量比 10 : 5 : 5 : 8的比例混合环氧树脂、苯酚固化剂、丙烯酸树脂、以及无机填料而得到的热 固性材料形成。上述粘附剂层使用含有UV反应性成分的丙烯酸树脂形成。作为所述第2 基材，使用离聚物树脂制薄膜。上述剥离强度，例如，可以通过改变UV反应性成分的使用量 进行调节。
[0096] 剥离所述芯片接合切割片材的第1基材，使粘合剂层露出。对于所述晶片，在 12mm/秒、70°C的条件下，贴附所述芯片接合切割片材的粘合剂层面。接着，将所述附有片材 的晶片在-15°C的条件下，以100mm/秒的速度进行扩展，上推切割胶带至上方12mm，从而进 行晶片的切断。
[0097] 在进行扩展切断、将上推夹具返回至上推之前的位置的时间点，对于晶片周边的 粘合剂层的剥离，及在晶片上表面的粘合剂层的附着，按照以下的标准进行评价。结果表示 于表1中。表中的"A"、"B"和"C"的个数，与所评价的晶片的枚数相对应。
[0098] (评价标准）
[0099] A:粘合剂层未从粘附剂层上剥离。并且，粘合剂层没有载于晶片上表面。
[0100] B:部分粘合剂层从粘附剂层上剥离。但是，剥离的粘合剂层未到达晶片上表面。 [0101]C:粘合剂层从粘附剂层上剥离。并且，剥离的粘合剂层到达晶片的上表面（飞散 及附着有）。
[0102] (实施例2)
[0103] 除将芯片接合切割片材中的粘合剂层的外部尺寸变更为直径312mm之外，全部与 实施例1同样地制作芯片接合切割片材。接着，使用得到的芯片接合切割片材，与实施例1 同样地进行晶片的切断，进行各评价。结果表示于表1中。
[0104] (比较例1)
[0105] 除将芯片接合切割片材中的粘合剂层的外部尺寸变更为直径320mm之外，全部与 实施例1同样地制作芯片接合切割片材。接着，使用得到的芯片接合切割片材，与实施例1 同样地进行晶片的切断，进行各评价。结果表示于表1中。
[0106] (实施例3)
[0107] 除将芯片接合切割片材中的粘合剂层的外部尺寸变更为直径308mm之外，全部与 实施例1同样地制作芯片接合切割片材。接着，使用得到的芯片接合切割片材，与实施例1 同样地进行晶片的切断，进行各评价。结果表示于表1中。
[0108] (实施例4)
[0109] 除将芯片接合切割片材中的粘合剂层的外部尺寸变更为直径303mm之外，全部与 实施例1同样地制作芯片接合切割片材。接着，使用得到的芯片接合切割片材，与实施例1 同样地进行晶片的切断，进行各评价。结果表示于表1中。
[0110] [表 1]
[0111]
【主权项】
1. 一种芯片接合切割片材，贴附在半导体元件搭载用支撑部件上使用，其具有：剥离 性的第1基材、 设置于所述第1基材的一侧表面之上的粘合剂层、 覆盖所述粘合剂层的整个上表面并且具有不与所述粘合剂层重合的周缘部的粘附剂 层、以及 设置于所述粘附剂层的上表面的第2基材， 所述粘合剂层的平面外形大于所述半导体元件搭载用支撑部件的平面外形，并且，所 述粘合剂层的端部与所述支撑部件的端部之间的间隔为1_以上、12_以下。2. 根据权利要求1所述的芯片接合切割片材，其中，所述半导体元件搭载用支撑部件 为半导体晶片。3. 根据权利要求1所述的芯片接合切割片材，其中，所述第1基材具有长条形状，在所 述长条形状的第1基材的上表面上，配置有多个岛状的积层体，该积层体包含所述粘合剂 层、所述粘附剂层、所述第2基材，并且，所述芯片接合切割片材以所述第1基材的上表面作 为内侧沿长轴方向卷取为卷状而成。4. 根据权利要求1~3中任意一项所述的芯片接合切割片材，其中，所述第2基材为在 通过依隐形切割法实施的扩展进行切断时不发生断裂的切割片材基材。
【专利摘要】本实用新型的课题是提供一种芯片接合切割片材，其可在根据隐形切割法的半导体装置的制造中，改善扩展时粘合剂层从粘附剂层的剥离及飞散、进一步改善向半导体芯片的附着。解决上述课题的手段是，一种贴附在半导体元件搭载用支撑部件上使用的芯片接合切割片材，其具有如下构成：剥离性的第1基材、设置于所述第1基材的一侧表面之上的粘合剂层、覆盖所述粘合剂层的整个上表面并且具有不与所述粘合剂层重合的周缘部的粘附剂层、以及设置于所述粘附剂层的上表面的第2基材，所述粘合剂层的平面外形大于所述半导体元件搭载用支撑部件的平面外形，并且，所述粘合剂层的端部与所述支撑部件的端部之间的间隔为1mm以上、12mm以下。
【IPC分类】H01L21/683, H01L21/78
【公开号】CN205004316
【申请号】CN201520339021
【发明人】古谷涼士, 铃村浩二, 岩永有辉启, 中村祐树
【申请人】日立化成株式会社
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年5月22日
【公告号】CN105140165A, WO2015178369A1