本实用新型涉及一种驱动电路，尤其是涉及一种用TVS保护的半桥拓扑IGBT驱动电路。
背景技术：
对于大部分的IGBT来说，门极驱动电压一般是不允许超过20V的，普通的电阻分压后用普通18V稳压管做保护的方案只能适用于驱动电压较长时间维持在低频18V以上的情况下，但是对于工作时频率一般都在20KHZ以上的IGBT驱动波形来说，如果夹杂了大于20V的高频尖峰电压，普通稳压管会由于响应速度慢无法建立起稳压关系起不到保护作用，而且会受来自下管和地的串扰。
技术实现要素：
本实用新型的目的就是为了解决上述问题，提供一种保护效果较佳的用TVS保护的半桥拓扑IGBT驱动电路。
为了实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：一种用TVS保护的半桥拓扑IGBT驱动电路，包括由二极管D3和二极管D4反相串联而成的第一保护电路以及由二极管D5和二极管D6反相串联而成的第二保护电路，所述第一保护电路一端与电阻R2一端连接，所述第一保护电路另一端与电阻R2另一端连接，所述电阻R2一端通过电阻R1接于变压器的接线脚1，所述电阻R2另一端接于变压器的接线脚2；
所述第二保护电路一端与电阻R4一端连接，所述第二保护电路另一端与电阻R4另一端连接，所述电阻R4一端通过电阻R3接于变压器的接线脚3，另一端接于变压器的接线脚4；
IGBT1的接线脚1接于第一保护电路的一端，IGBT1的接线脚2接于第一保护电路的另一端，IGBT1的接线脚3接于母线，IGBT2的接线脚1接于第二保护电路的一端，IGBT2的接线脚2接于第二保护电路的另一端，IGBT2的接线脚3接于第一保护电路的另一端，电阻R4的另一端接于GND。
作为优选：所述二极管D3和二极管D5是单向瞬变电压抑制二极管。
与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：本实用新型涉及的用TVS保护的半桥拓扑IGBT驱动电路利用瞬变电压抑制二极管(TVS)来保护IGBT的驱动级，它响应速度快的特点可以保证IGBT不会被高频驱动电压中的干扰造成的尖峰高电压损坏，并且用反向串联另一个二极管来阻隔来自下管和地的反向电流和串扰，效果明显且有效。
附图说明
图1为实施例中一种用TVS保护的半桥拓扑IGBT驱动电路图。
具体实施方式
为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。
参见图1，一种用TVS保护的半桥拓扑IGBT驱动电路，包括由二极管D3和二极管D4反相串联而成的第一保护电路以及由二极管D5和二极管D6反相串联而成的第二保护电路，所述第一保护电路一端与电阻R2一端连接，所述第一保护电路另一端与电阻R2另一端连接，所述电阻R2一端通过电阻R1接于变压器的接线脚1，所述电阻R2另一端接于变压器的接线脚2。
所述第二保护电路一端与电阻R4一端连接，所述第二保护电路另一端与电阻R4另一端连接，所述电阻R4一端通过电阻R3接于变压器的接线脚3，另一端接于变压器的接线脚4。
IGBT1的接线脚1接于第一保护电路的一端，IGBT1的接线脚2接于第一保护电路的另一端，IGBT1的接线脚3接于母线，IGBT2的接线脚1接于第二保护电路的一端，IGBT2的接线脚2接于第二保护电路的另一端，IGBT2的接线脚3接于第一保护电路的另一端，电阻R4的另一端接于GND。
具体而言，二极管D3和二极管D5是单向瞬变电压抑制二极管(SMAJ18A单向18V TVS)。
第一保护电路并联在IGBT1的基极与发射极两端，二极管D3正极连接二极管D4的正极，负极连接IGBT1的基极，二极管D4的正极连接二极管D3的正极，负极连接IGBT1的发射极。
第二保护电路并联在IGBT2的基极与发射极两端，二极管D5正极连接二极管D6的正极，负极连接IGBT2的基极，二极管D6的正极连接二极管D5的正极，负极连接IGBT2的发射极。
为保证驱动电压足够，要满足R1＝R3<<R2＝R4，在驱动级设置18V为最大电压，一般IGBT正常工作的驱动不会超过18V，距离门极所能承受的最大驱动电压20V留有2V的裕度，这样一旦有大于18V的高压尖峰驱动加在IGBT1或IGBT2就会被瞬变电压抑制TVS二极管D3和D5所吸收，从而保护IGBT的门极不会被高压损坏。而且反向的IN4148二极管D4和D6保证了IGBT驱动级不会受来自下管，地线的电流串扰。
以上所述仅为本实用新型的优选实施方式，本实用新型的保护范围并不仅限于上述实施方式，凡是属于本实用新型原理的技术方案均属于本实用新型的保护范围。对于本领域的技术人员而言，在不脱离本实用新型的原理的前提下进行的若干改进，这些改进也应视为本实用新型的保护范围。