一种用TVS保护的半桥拓扑IGBT驱动电路的制作方法

文档序号:12774945阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种用TVS保护的半桥拓扑IGBT驱动电路,其特征在于,包括由二极管D3和二极管D4反相串联而成的第一保护电路以及由二极管D5和二极管D6反相串联而成的第二保护电路,所述第一保护电路一端与电阻R2一端连接,所述第一保护电路另一端与电阻R2另一端连接,所述电阻R2一端通过电阻R1接于变压器的接线脚1,所述电阻R2另一端接于变压器的接线脚2;

所述第二保护电路一端与电阻R4一端连接,所述第二保护电路另一端与电阻R4另一端连接,所述电阻R4一端通过电阻R3接于变压器的接线脚3,另一端接于变压器的接线脚4;

IGBT1的接线脚1接于第一保护电路的一端,IGBT1的接线脚2接于第一保护电路的另一端,IGBT1的接线脚3接于母线,IGBT2的接线脚1接于第二保护电路的一端,IGBT2的接线脚2接于第二保护电路的另一端,IGBT2的接线脚3接于第一保护电路的另一端,电阻R4的另一端接于GND。

2.根据权利要求1所述的一种用TVS保护的半桥拓扑IGBT驱动电路,其特征在于:所述二极管D3和二极管D5是单向瞬变电压抑制二极管。

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