MOS继电器的接线结构的制作方法

本实用新型涉及控制电路技术领域，具体而言，涉及一种MOS继电器的接线结构。

背景技术：

申请人在实现本实用新型的过程中发现，MOS继电器在长时间使用过程中出现比较明显的发热过量问题，经检查目前市面上的MOS继电器接线方式是在MOS开关两端各用一个端子进行连接，使得MOS开关中的MOS管过电流会不均衡，离接线端子近的MOS管会通过较大的电流，从而MOS管过热甚至损坏MOS管。

技术实现要素：

本实用新型旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一，公开了一种MOS继电器的接线结构，降低了MOS继电器中MOS管的发热情况。

本实用新型公开了一种MOS继电器的接线结构，包括：多个MOS开关组成的MOS开关阵列以及耦合在MOS开关阵列中的多个接线端子，接线端子均匀分布在阵列中，以均衡每个MOS开关通过的电流；其中，MOS开关数量与接线端子数量的比值为3。

根据本实用新型公开的MOS继电器的接线结构，优选地，MOS开关阵列包括18个MOS开关；每个接线端子连接三个MOS开关。

本实用新型的有益效果至少包括：通过增加接线端子的方式，避免了单个端子接线发热的情况；接线端子均匀分布在MOS开关中间，可以使每个MOS开关通过的电流比较均衡，避免了单个MOS过电流太大的情况。

附图说明

图1示出了根据本实用新型的实施例的MOS继电器的接线结构示意图。

图中：1.接线端子、2.MOS开关。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本实用新型的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进行进一步的详细描述。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，但是，本实用新型还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本实用新型并不限于下面公开的具体实施例的限制。

如图所示，本实用新型的实施例公开了一种MOS继电器的接线结构，包括：多个MOS开关2组成的MOS开关阵列以及耦合在MOS开关阵列中的多个接线端子1，接线端子1均匀分布在阵列中，以均衡每个MOS开关2通过的电流；其中，MOS开关数量与接线端子数量的比值为3。

根据上述实施例，优选地，MOS开关阵列包括18个MOS开关；每3个MOS管中间加一个接线端子，代替传统的单个接线端子。

在该实施例中，MOS开关阵列包括18个N型MOS开关2，分成两组，每组中的9个为并联连接，组与组之间的连接关系为：MOS开关的漏极相连。

相较于传统的MOS继电器，本实用新型将多个接线端子连接在MOS开关的两端，将大电流均衡的分布在各个端子上，降低了单个端子的发热情况，并且端子均匀分布在MOS开关中，可以使每个MOS开关通过的电流基本均衡，降低了MOS开关的发热情况。采用多端接线的方式代替传统的单端接线的方式，解决了MOS过电流不均衡、接线端子过热的问题。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。