MOS继电器的接线结构的制作方法

技术总结
本实用新型提供了一种MOS继电器的接线结构，涉及控制电路技术领域，包括：多个MOS开关组成的MOS开关阵列以及耦合在MOS开关阵列中的多个接线端子，接线端子均匀分布在阵列中，以均衡每个MOS开关通过的电流；其中，MOS开关数量与接线端子数量的比值为3。避免了单个端子接线发热严重的情况。

技术研发人员：胡广华;刘伟信;郭明星;李子航
受保护的技术使用者：天津隆华瑞达科技有限公司
技术研发日：2018.09.18
技术公布日：2019.04.09