1.一种利用开关电容校准片上rc时间常数的电路，其特征在于，该电路包括rc滤波器片上电阻rint、片上可变电容c1和校准电路，该校准电路包括由三个pmos管构成的电流镜，比较器，逻辑控制单元，和由偏置电阻r0与电流镜的第一pmos管m0共同组成的偏置电路，以及开关电容电路；其中，电流镜的三个pmos管的源极分别与偏置电阻r0、片上电阻rint和开关电容电路的一端相连，电流镜的三个pmos管的漏极均与电压vdd相连，电流镜的三个pmos管的栅极相互连接后与偏置电阻r0相连；所述片上电阻rint与电流镜第二pmos管m1相连的一端同时与比较器的正输入端相连，开关电容电路与电流镜的第三pmos管m2相连的一端同时与比较器的负输入端相连，比较器的输出端与逻辑控制单元相连；该逻辑单元输出可变电容控制码，电容控制码连接到待校准的可变电容c1,用于调整电容c1的有效容值；所述偏置电阻r0、片上电阻rint和开关电容电路的另一端均接地。
2.一种利用开关电容校准片上rc时间常数的电路，其特征在于，该电路包括rc滤波器片上电阻rint、片上可变电容c1和校准电路，该校准电路包括由三个pmos管构成的电流镜，比较器，逻辑控制单元，和由偏置电阻r0与电流镜的第一pmos管m0共同组成的偏置电路，以及开关电容电路；其中，电流镜的三个pmos管的源极分别与偏置电阻r0、片上电阻rint和开关电容电路的一端相连，电流镜的三个pmos管的漏极均与电压vdd相连，电流镜的三个pmos管的栅极相互连接后与偏置电阻r0相连；所述片上电阻rint与电流镜第二pmos管m1相连的一端同时与比较器的正输入端相连，开关电容电路与电流镜的第三pmos管m2相连的一端同时与比较器的负输入端相连，比较器的输出端与逻辑控制单元相连；该逻辑单元输出电阻rint的控制码，电阻rint控制码连接到待校准的电阻rint,用于调整电阻rint的有效阻值；所述偏置电阻r0、片上电阻rint和开关电容电路的另一端均接地。
3.如权利要求1或2所述利用开关电容校准片上rc时间常数的电路，其特征在于，所述开关电容电路由由非交叠时钟clk和clkb驱动，该电路包括可变电容c1、去耦电容c2和两个开关，其中，第二开关s2与第一电容c1并联连接，第一开关s1一端与由第二开关s2与可变电容c1并联组成的电路串联，第一开关s1的另一端接地，去耦电容c2一端与由第一电容c1，第一开关s1和第二开关s2共同组成的电路并联后接地，另一端与电流镜相连为开关电容电路的输出端。
4.一种如权利要求1或2所述电路的校准方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)校准开始，上电和电路初始化；
2)使能偏置电路，偏置电路开始工作，pmos管m0开始建立电流，待栅极电压逐渐稳定，电流镜工作点完成建立；载入电容控制字的初始值；使能外部非交叠时钟clk/clkb；电路进入充放电工作状态；
3)比较器对电压v1和v2进行比较，判断结果传递给逻辑控制单元；
4)逻辑控制单元根据比较器的输出结果相应调整电容控制字，更新电容控制字；
5)重复步骤3)到步骤4)，同时累计比较次数和检查收敛情况；
6)根据步骤5)得到的结果，判断是否满足退出校准循环的条件，若是没收敛且没达到设定的最大比较次数，则不满足校准退出条件，转步骤3)继续进行校准循环过程；若收敛或者达到预设的最大比较次数，则满足校准退出条件，校准循环结束；
7)记录并输出校准控制字；
8)校准结束。
5.如权利要求4所述方法，其特征在于，
所述步骤3)具体为：比较器对电压v1和v2进行比较，如果电压v1>v2,比较器输出1；如果电压v1<v2，比较器输出0；
所述步骤4)具体为：如果比较器输出为1，逻辑控制单元根据这个结果调节电容控制码使电容有效值值减小，v2相应增大；如果比较器输出为0，逻辑控制单元通过调节控制码使电容有效值增大，电压v2相应减小，使得电压v1和v2逐渐接近；直到收敛到v1和v2之差小于电容控制字1lsb引起的电压变化；
所述步骤6)具体为：退出条件判定：如果比较器输出结果为1，经过下一次调整电容控制码后，比较器输出变为0，在下一次调节电容控制字，比较器输出又变为1，如此重复说明校准收敛到了1lsb，校准退出条件满足；另一个退出条件是比较次数达到预设最大比较次数，如果比较次数达到最大比较次数，也满足校准退出条件；两个条件有其一满足，校准过程退出，否则，校准过程继续进行，直到满足退出条件。