技术特征：
1.一种内嵌焊盘式刚挠结合板的工艺方法，其特征在于：先分别进行挠性基板、纯胶、纯pi保护膜、core板的制作，然后将在制得的挠性基板的两面分别依次叠放纯pi保护膜、纯胶和core板进行压合处理，制得压合后的刚挠结合板，然后对刚挠结合板进行外层制作完成刚挠结合板的完整制作，其中，在所述挠性基板的制作时，线路工序在挠性板区同步蚀刻出内嵌式焊盘，然后进行aoi检查，并在aoi检查后对带有内嵌式焊盘的挠性基板外层铜层进行阻焊印刷，使位于刚挠交界线位置上的铜皮印有阻焊油墨，挠性基板制作完成后，在内嵌式焊盘区域贴合纯pi保护膜；在core板的制作时，cores板一面设计为全铜，另一面只在挠性板区进行挡铜设计，且挡铜区域延伸进刚性板，而在core板线路制作时，在挠性板区只做设计有挡铜的一面，另一面采用干膜曝光保护；在刚挠结合板的外层制作时，采用co2镭射控深开盖方式进行挠性板区的揭盖，co2镭射时，不击穿挡铜层，所述挡铜层在后工序酸性蚀刻时蚀刻去除，其中top面和bot面的揭盖分别单独制作。2.根据权利要求1所述的内嵌焊盘式刚挠结合板的工艺方法，其特征在于，所述挠性基板的制作包括挠性板和挠性板外层的制作，其中，所述挠性板的制作为在双面含铜fccl板的两面均依次叠放纯胶和单面含铜fccl板，然后进行第一次压合处理，得到未制作外层的挠性板，其中，所述单面含铜fccl板无铜层的一面贴合在纯胶层上，所述单面含铜fccl板含铜层的一面远离纯胶层；所述挠性板外层的制作为在挠性基板外层线路制作时在所述挠性基板外层铜层上采用蚀刻工序在挠性区蚀刻出内嵌式焊盘，然后进行aoi检查，并在aoi检查后对带有内嵌式焊盘的挠性基板外层铜层进行阻焊印刷，使位于刚挠交界线位置上的铜皮印有阻焊油墨。3.根据权利要求2所述的内嵌焊盘式刚挠结合板的工艺方法，其特征在于，所述挠性板外层流程在线路制作前还包括打靶—裁边—第一次棕化—co2镭射—沉铜—填孔电镀，在阻焊印刷工序后还包括后固化—贴抗镀干膜—沉金—退膜—打t孔—第二次棕化—贴纯胶—快压—撕pet膜。4.根据权利要求1所述的内嵌焊盘式刚挠结合板的工艺方法，其特征在于，所述纯胶的制作：流程为裁切—将备在pet膜上的纯胶打t孔—cnc切型—备pet膜，其中，cnc切型工序将对应刚性板次内层焊盘及挠性板开盖区域进行捞空，形成有捞空区域的纯胶，备pet膜工序为在纯胶捞空后，纯胶无pet膜的一面贴合在备pet膜上，然后揭掉捞空后残缺的pet膜，使纯胶一面有pet膜，另一面无pet膜，在后续贴纯胶工序，将纯胶无pet膜的一面贴合在挠性基板上。5.根据权利要求1所述的内嵌焊盘式刚挠结合板的工艺方法，其特征在于，所述纯pi保护膜的制作：流程为裁切—将备在pet膜上的纯pi打t孔—esi镭射控深切型—备pet膜，其中，裁切工序为将纯pi保护膜裁切成片状，且纯pi保护膜片状尺寸小于刚挠结合板的挠性板区尺寸，用于贴合在挠性板区的内嵌式焊盘上；esi镭射控深切型工序为将pet膜对应刚性板次内层焊盘除外的区域的纯pi保护膜全镭，对pet膜进行半镭，保证pet膜不镭断，然后将全镭后的纯pi保护膜无pet膜的一面贴合在备pet膜上，再将纯pi保护膜上另一面半镭后的残缺pet膜揭掉，使纯pi保护膜一面有pet膜，另一面无pet膜，贴合时，将出pi保护膜无
pet膜的一面贴在内嵌式焊盘上。6.根据权利要求1所述的内嵌焊盘式刚挠结合板的工艺方法，其特征在于，所述core板的制作：流程为开料—钻孔—曝光/显影，将挡铜位置显影出来—选镀—线路—打t孔—棕化，制得一面为全铜面，一面为只有挡铜区域含铜其它区域为底板的core板。7.根据权利要求6所述的内嵌焊盘式刚挠结合板的工艺方法，其特征在于，所述挡铜设计的挡铜延伸进刚性板0.15mm，所述core板为单面线路设计，所述挡铜设计的一面仅在挡铜区域进行线路设计，所述core板设计挡铜的一面与纯胶和纯pi保护膜贴合。8.根据权利要求1所述的内嵌焊盘式刚挠结合板的工艺方法，其特征在于，所述刚挠结合板的外层制作流程为打靶—裁边—棕化—co2镭射—压膜/曝光/显影—沉铜—填孔电镀—线路—aoi—阻焊印刷—后固化—co2镭射控深开盖—等离子除胶—喷砂前处理—压膜/曝光/显影—酸性蚀刻—aoi—cnc切开盖槽—喷砂前处理—镍钯金—压膜/曝光—cnc成型—退膜—切型—成品水洗—整平烘烤—包装。9.根据权利要求8所述的内嵌焊盘式刚挠结合板的工艺方法，其特征在于，所述co2镭射控深开盖在挠性板区的开盖区设计co2镭射路径，co2镭射路径外缘与两侧的刚挠交界线重合。10.根据权利要求9所述的内嵌焊盘式刚挠结合板的工艺方法，其特征在于，所述co2镭射的光斑大小为0.15mm，相邻光斑相交，相交重合区域为光斑大小的3/4。