技术特征：
1.一种低轮廓电解铜箔，其特征在于，其依次包括铜箔层、粗化处理层、防护阻挡层、钝化层、硅烷偶联剂层；所述铜箔层的厚度为6-35μm，单位面积重量为50-305g/m2，单位面积重量偏差＜5％，在25℃的抗拉强度≥350n/mm2，在25℃的延伸率≥4％，抗剥离强度≥0.7kg/cm，光面ra≤0.43μm，毛面rz≤3.5μm。2.根据权利要求1所述低轮廓电解铜箔，其特征在于，所述铜箔层为在含有铜离子的电解液中电解析出得到；所述电解液包括250-350g/l铜盐、70-150g/l无机酸、10-80mg/l氯盐、1.5-45mg/l整平剂。3.根据权利要求2所述低轮廓电解铜箔，其特征在于，所述整平剂包括非离子型纤维素醚和整平剂-1，所述整平剂-1含有氨基和羧基。4.根据权利要求3所述低轮廓电解铜箔，其特征在于，所述非离子型纤维素醚含有甲氧基，所述甲氧基含量为22-30wt％，取代度为1.3-2.5。5.根据权利要求4所述低轮廓电解铜箔，其特征在于，所述非离子型纤维素醚还含有羟乙基，所述羟乙基的含量为2.0-14wt％，取代度为0.06-0.5。6.根据权利要求3所述低轮廓电解铜箔，其特征在于，所述整平剂-1的重均分子量为50000-60000。7.根据权利要求3-6任一项所述低轮廓电解铜箔，其特征在于，所述非离子型纤维素醚和整平剂-1的浓度比为1：(2-5)。8.根据权利要求3-6任一项所述低轮廓电解铜箔，其特征在于，所述防护阻挡层材料选自镍、钛、锡、钨、钼、锌中一种或多种。9.根据权利要求3-6任一项所述低轮廓电解铜箔，其特征在于，所述硅烷偶联剂层材料为硅烷偶联剂，所述硅烷偶联剂选自3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)硅烷、乙烯基苄基氨乙基氨丙基三甲氧基硅烷、3-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷、3-(甲基丙烯酰氧)丙基三乙氧基硅烷或3-(甲基丙烯酰氧)丙基甲基二甲氧基硅烷中一种或多种。10.一种根据权利要求1-9任一项所述低轮廓电解铜箔在高密互联电路板中的应用。