技术特征：
1.一种集成采样电阻的充电芯片，包括高边驱动电路hsd、低边驱动电路lsd、开关电路sw、参考电阻r
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，其特征在于：所述充电芯片还包括采样电阻r
sense
，所述采样电阻r
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用于为芯片提供恒定的输出电流；所述充电芯片开关控制sw引脚区域的版图布置为：所述高边驱动电路hsd位于所述区域的左上方，所述低边驱动电路lsd位于所述区域的左下方与所述高边驱动电路hsd对称设置；所述开关电路sw位于所述区域的中部；所述参考电阻r
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位于所述开关电路sw、高边驱动电路hsd以及低边驱动电路lsd的右侧；所述采样电阻r
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与所述参考电阻r
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临接，且位于所述参考电阻r
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的右侧。2.根据权利要求1中所述的一种集成采样电阻的充电芯片，其特征在于：所述采样电阻r
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包括多个十欧姆量级的走线电阻或poly电阻，多个所述电阻首尾并联，且每个水平放置，整体纵向排列，每一电阻左右两侧各包括两个外部电极。3.根据权利要求2中所述的一种集成采样电阻的充电芯片，其特征在于：所述参考电阻r
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包括多个十欧姆量级的走线电阻或poly电阻，多个所述电阻由上至下依次串联，且每个水平放置，整体纵向排列，每一电阻左右两侧各包括两个外部电极。4.根据权利要求3中所述的一种集成采样电阻的充电芯片，其特征在于：所述参考电阻r
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与所述采样电阻r
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等宽等长、类型相同、数量相等；所述参考电阻r
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与所述采样电阻r
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并列平行放置，并设置于开关控制sw引脚内侧。5.根据权利要求4中所述的一种集成采样电阻的充电芯片，其特征在于：所述输入电压vdd引脚开窗位于所述区域的上方，所述地电位gnd引脚开窗位于所述区域的下方，所述开关控制sw引脚开窗位于所述区域的右侧，与并联电阻相邻，以便于连接所述并联电阻。6.根据权利要求5中所述的一种集成采样电阻的充电芯片，其特征在于：所述充电芯片开关控制sw引脚区域的版图布置中，从左到右，高边驱动电路hsd和低边驱动电路lsd所占面积逐渐减小，开关电路sw所占面积逐渐增加。7.根据权利要求4中所述的一种集成采样电阻的充电芯片，其特征在于：以所述参考电阻r
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与所述采样电阻r
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的间隔、所述参考电阻r
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与所述采样电阻r
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中每一电阻的间隔最小为原则实现版图布置。8.根据权利要求1中所述的一种集成采样电阻的充电芯片，其特征在于：所述充电芯片开关控制sw引脚的恒流输出电流为：其中，r
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为芯片内部电路所连接的部分参考电阻的电阻值；r
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为开关控制sw引脚所连接的部分采样电阻的电阻值；v
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为芯片内部电路输出的参考电压；r
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为片外恒流值设置电阻。
技术总结
一种集成采样电阻的充电芯片，包括高边驱动电路HSD、低边驱动电路LSD、开关电路SW、参考电阻R
技术研发人员：白玉芳
受保护的技术使用者：圣邦微电子（北京）股份有限公司
技术研发日：2020.12.30
技术公布日：2022/6/30