带电磁屏蔽膜的5g软硬结合板结构
技术领域
1.本实用新型涉及电路板领域技术，尤其是指一种带电磁屏蔽膜的5g软硬结合板结构。
背景技术：
2.随着信息技术的高速发展,尤其在5g技术运用以来，信号传递的频率越来越高，电子产品的电磁兼容性能尤为重要。目前常规的软硬结合板使用的主要材料为一般型基板材料，在高频状态工作时，其产生的瞬态脉冲包含有能够发射电磁干扰的高频谐波，对其他电子仪器、设备造成干扰与损坏，影响其正常运作和使用寿命，而且也会污染环境，危害人类健康；同时，常规的软硬结合板对所在环境中存在的电磁干扰的抗扰度较差，影响自身的正常工作。因此，有必要对现有技术进行改进。
技术实现要素：
3.有鉴于此，本实用新型针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种带电磁屏蔽膜的5g软硬结合板结构，其能有效解决现有的软硬结合板电磁兼容性能差的问题。
4.为实现上述目的，本实用新型采用如下之技术方案：
5.一种带电磁屏蔽膜的5g软硬结合板结构，包括有软板、第一硬板以及第二硬板；
6.所述软板包括有pi基层、第一铜箔层和第二铜箔层；所述第一铜箔层和第二铜箔层分别覆盖在pi基层的上下表面；所述第一铜箔层的上表面局部覆盖有第一粘结层，所述第一粘结层的表面粘接覆盖有第一pi覆盖膜，所述第一pi覆盖膜的表面覆盖有第一电磁屏蔽膜，所述第二铜箔层的下表面局部覆盖有第二粘结层，所述第二粘结层的表面粘接覆盖有第二pi覆盖膜，所述第二pi覆盖膜的表面覆盖有第二电磁屏蔽膜；
7.所述第一硬板叠合在第一铜箔层的上表面，所述第一粘结层、第一pi覆盖膜和第一电磁屏蔽膜均埋于第一硬板中，所述第一硬板上表面开设有第一窗口，第一窗口向下贯穿至第一电磁屏蔽膜的上表面；
8.所述第二硬板叠合在第二铜箔层的下表面，所述第二粘结层、第二pi覆盖膜和第二电磁屏蔽膜均埋于第二硬板中，所述第二硬板上表面开设有第二窗口，第二窗口向下贯穿至第二电磁屏蔽膜的下表面。
9.作为一种优选方案，所述第一粘结层、第一pi覆盖膜、第一电磁屏蔽膜、第二粘结层、第二pi覆盖膜和第二电磁屏蔽膜上下对应设置，并且第一窗口与第二窗口上下对应设置。
10.作为一种优选方案，所述第一硬板包括有第一pp层、第一fr4层、第三铜箔层、第一镀铜层和第一阻焊层，所述第一pp层叠设于第一铜箔层的上表面，前述第一粘结层、第一pi覆盖膜和第一电磁屏蔽膜均埋于第一pp层内，所述第一fr4层叠设于第一pp层的上表面，所述第三铜箔层叠设于第一fr4层的上表面，所述第一镀铜层叠设于第三铜箔层的上表面，所述第一阻焊层叠设于第一镀铜层的上表面。
11.作为一种优选方案，所述第二硬板包括有第二pp层、第二fr4层、第四铜箔层、第二镀铜层和第二阻焊层，所述第二pp层叠设于第二铜箔层的下表面，前述第二粘结层、第二pi覆盖膜和第二电磁屏蔽膜均埋于第二pp层内，所述第二fr4层叠设于第二pp层的下表面，所述第四铜箔层叠设于第二fr4层的下表面，所述第二镀铜层叠设于第四铜箔层的下表面，所述第二阻焊层叠设于第二镀铜层的下表面。
12.作为一种优选方案，所述第一pi覆盖膜的上表面向下贯穿形成有凹槽，所述凹槽贯穿至第一铜箔层的上表面，所述第一电磁屏蔽膜向下填充至凹槽中并与第一铜箔层接触，且第一电磁屏蔽膜的上下表面凹设有凹位，所述凹位与凹槽上下对应。
13.作为一种优选方案，所述第一电磁屏蔽膜和第二电磁屏蔽膜均采用高导电率材料制成。
14.本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知：
15.通过在软板的两侧均设置有电磁屏蔽膜，电磁屏蔽膜利用屏蔽体在高频磁场的作用下产生反方向的涡流磁场与原磁场抵消而削弱高频磁场的干扰，降低了本产品受到的电磁干扰，提升本产品的使用寿命；同时又因屏蔽体接地而实现电场屏蔽，减少了本产品对其他电子器件的干扰，有效提升了本产品的电磁兼容性能，使得信号的传输更为稳定。
16.为更清楚地阐述本实用新型的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本实用新型进行详细说明。
附图说明
17.图1是本实用新型之较佳实施例的组装立体示意图。
18.附图标识说明：
19.10、软板
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101、凹槽
20.102、凹位
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11、pi基层
21.12、第一铜箔层
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13、第二铜箔层
22.14、第一粘结层
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15、第一pi覆盖膜
23.16、第一电磁屏蔽膜
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17、第二粘结层
24.18、第二pi覆盖膜
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19、第一电磁屏蔽膜
25.20、第一硬板
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201、第一窗口
26.21、第一pp层
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22、第一fr4层
27.23、第三铜箔层
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24、第一镀铜层
28.25、第一阻焊层
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30、第二硬板
29.301、第二窗口
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31、第二pp层
30.32、第二fr4层
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33、第四铜箔层
31.34、第二镀铜层
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35、第二阻焊层。
具体实施方式
32.请参照图1所示，其显示出了本实用新型之较佳实施例的具体结构，包括有软板10、第一硬板20以及第二硬板30。
33.所述软板10包括有pi基层11、第一铜箔层12和第二铜箔层13；所述第一铜箔层12和第二铜箔层13分别覆盖在pi基层11的上下表面；所述第一铜箔层12的上表面局部覆盖有第一粘结层14，所述第一粘结层14的表面粘接覆盖有第一pi覆盖膜15，所述第一pi覆盖膜15的表面覆盖有第一电磁屏蔽膜16，所述第二铜箔层13的下表面局部覆盖有第二粘结层17，所述第二粘结层17的表面粘接覆盖有第二pi覆盖膜18，所述第二pi覆盖膜18的表面覆盖有第二电磁屏蔽膜19。在本实施例中，所述第一粘结层14、第一pi覆盖膜15、第一电磁屏蔽膜16、第二粘结层17、第二pi覆盖膜18和第二电磁屏蔽膜19上下对应设置；所述第一pi覆盖膜15的上表面向下贯穿形成有凹槽101，所述凹槽101贯穿至第一铜箔层12的上表面，所述第一电磁屏蔽膜16向下填充至凹槽101中并与第一铜箔层12接触，且第一电磁屏蔽膜16的上下表面凹设有凹位102，所述凹位102与凹槽101上下对应；所述第一电磁屏蔽膜16和第二电磁屏蔽膜19均采用高导电率材料制成。
34.所述第一硬板20叠合在第一铜箔层12的上表面，所述第一粘结层14、第一pi覆盖膜15和第一电磁屏蔽膜16均埋于第一硬板20中，所述第一硬板20上表面开设有第一窗口201，第一窗口201向下贯穿至第一电磁屏蔽膜16的上表面。在本实施例中，所述第一硬板20包括有第一pp层21、第一fr4层22、第三铜箔层23、第一镀铜层24和第一阻焊层25，所述第一pp层21叠设于第一铜箔层12的上表面，前述第一粘结层14、第一pi覆盖膜15和第一电磁屏蔽膜16均埋于第一pp层21内，所述第一fr4层22叠设于第一pp层21的上表面，所述第三铜箔层23叠设于第一fr4层22的上表面，所述第一镀铜层24叠设于第三铜箔层23的上表面，所述第一阻焊层25叠设于第一镀铜层24的上表面。
35.所述第二硬板30叠合在第二铜箔层13的下表面，所述第二粘结层17、第二pi覆盖膜18和第二电磁屏蔽膜19均埋于第二硬板30中，所述第二硬板30上表面开设有第二窗口301，第二窗口301向下贯穿至第二电磁屏蔽膜19的下表面，前述第一窗口201与第二窗口301上下对应设置。在本实施例中，所述第二硬板30包括有第二pp层31、第二fr4层32、第四铜箔层33、第二镀铜层34和第二阻焊层35，所述第二pp层31叠设于第二铜箔层13的下表面，前述第二粘结层17、第二pi覆盖膜18和第二电磁屏蔽膜19均埋于第二pp层31内，所述第二fr4层32叠设于第二pp层31的下表面，所述第四铜箔层33叠设于第二fr4层32的下表面，所述第二镀铜层34叠设于第四铜箔层33的下表面，所述第二阻焊层35叠设于第二镀铜层34的下表面。
36.详述本实施例的制作方法如下：
37.首先，将第一铜箔层12和第二铜箔层13分别覆盖在pi基层11的上下表面；然后，将第一pi覆盖膜15和第二pi覆盖膜18分别覆盖在第一铜箔层12的上表面和第二铜箔层13的下表面；接着，将第一电磁屏蔽膜16和第二电磁屏蔽膜19分别覆盖在第一pi覆盖膜15上表面和第二pi覆盖膜18的下表面；然后，将第一pp层21、第一fr4层22、第三铜箔层23、第一镀铜层24和第一阻焊层25依次叠合固定在软板10的上表面，并使第一粘结层14、第一pi覆盖膜15和第一电磁屏蔽膜16均埋于第一pp层21内；最后，将第二pp层31、第二fr4层32、第四铜箔层33、第二镀铜层34和第二阻焊层35依次叠合固定在软板10的下表面，并使第二粘结层17、第二pi覆盖膜18和第二电磁屏蔽膜19均埋于第二pp层31内，完成制作。
38.本实用新型的设计重点在于：
39.通过在软板的两侧均设置有电磁屏蔽膜，电磁屏蔽膜利用屏蔽体在高频磁场的作
用下产生反方向的涡流磁场与原磁场抵消而削弱高频磁场的干扰，降低了本产品受到的电磁干扰，提升本产品的使用寿命；同时又因屏蔽体接地而实现电场屏蔽，减少了本产品对其他电子器件的干扰，有效提升了本产品的电磁兼容性能，使得信号的传输更为稳定。
40.以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型的技术范围作任何限制，故凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。