技术总结
本发明提供了一种新型线路结构的制作工艺及新型线路结构，该制作工艺如下步骤：S11：通过迭层法形成线路层和覆盖所述线路层的绝缘层；S12：在所述绝缘层上形成沟槽；S13：进行等离子清洗，并溅射底铜或化学沉铜；S14：贴膜并进行曝光显影；S15：进行图形电镀；S16：褪膜处理；S17：蚀刻底铜。本发明的新型线路结构的制作工艺提高了线路结构的精细度、增强了线路与基板的结合力和线路的导通性能，并且制作工艺更加简单。艺更加简单。艺更加简单。
技术研发人员：吴勇军
受保护的技术使用者：深圳明阳芯蕊半导体有限公司
技术研发日：2021.02.07
技术公布日：2021/6/28