技术特征：
1.一种全差分的电平移位器，包括输入信号处理模块，所述输入信号处理模块用于将输入信号进行处理获得第一控制信号和第二控制信号，所述第一控制信号与所述输入信号同相，所述第二控制信号与所述输入信号反相；所述输入信号处理模块还用于在所述输入信号的上升沿产生一个电流脉冲信号作为上升沿电流脉冲信号和在所述输入信号的下降沿产生一个电流脉冲信号作为下降沿电流脉冲信号；其特征在于，所述电平移位器还包括钳位模块、第三nmos管、第四nmos管、第七nmos管、第八nmos管、第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管、第五pmos管、第六pmos管、第七pmos管、第八pmos管、第一与非门和第二与非门；第三nmos管的栅极连接所述第一控制信号，其漏极连接第五pmos管的漏极，其源极连接低侧电源地；第四nmos管的栅极连接所述第二控制信号，其漏极连接第六pmos管的漏极，其源极连接低侧电源地；第三pmos管的栅极连接第一pmos管的漏极、第二pmos管的栅极、第五pmos管的源极和所述上升沿电流脉冲信号并作为第一节点，其漏极连接第七pmos管的漏极、第七nmos管的漏极、第八pmos管的栅极、第八nmos管的栅极和第二与非门的第一输入端，其源极连接高侧电源电压；第四pmos管的栅极连接第一pmos管的栅极、第二pmos管的漏极、第六pmos管的源极和所述下降沿电流脉冲信号并作为第二节点，其漏极连接第七pmos管的栅极、第七nmos管的栅极、第八pmos管的漏极、第八nmos管的漏极和第一与非门的第一输入端，其源极连接高侧电源电压；当所述输入信号上升沿来临时所述上升沿电流脉冲信号将所述第一节点拉低，当所述输入信号下降沿来临时所述下降沿电流脉冲信号将所述第二节点拉低；第一与非门的第二输入端连接第二与非门的输出端，其输出端连接第二与非门的第二输入端并作为所述电平移位器的输出端；第一pmos管的源极、第二pmos管的源极、第七pmos管的源极和第八pmos管的源极连接高侧电源电压；第五pmos管的栅极、第六pmos管的栅极、第七nmos管的源极和第八nmos管的源极连接高侧电源地；所述钳位模块用于钳位所述第一节点的电位和第二节点的电位均不低于高侧电源地。2.根据权利要求1所述的全差分的电平移位器，其特征在于，所述输入信号处理模块包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、第一延迟单元、第二延迟单元、第一与门、第二与门、第一nmos管和第二nmos管，第一反相器的输入端连接所述输入信号，其输出端产生所述第二控制信号并连接第二反相器的输入端、第二延迟单元的输入端和第二与门的第一输入端；第二反相器的输出端产生所述第一控制信号并连接第一延迟单元的输入端和第一与门的第一输入端；第三反相器的输入端连接第一延迟单元的输出端，其输出端连接第一与门的第二输入端；第四反相器的输入端连接第二延迟单元的输出端，其输出端连接第二与门的第二输入端；
第一nmos管的栅极连接第一与门的输出端，其源极连接低侧电源地，其漏极产生所述上升沿电流脉冲信号；第二nmos管的栅极连接第二与门的输出端，其源极连接低侧电源地，其漏极产生所述下降沿电流脉冲信号。3.根据权利要求1或2所述的全差分的电平移位器，其特征在于，所述钳位模块包括第五nmos管和第六nmos管，第五nmos管的栅极和衬底连接高侧电源地，其漏极连接高侧电源电压，其源极连所述第一节点；第六nmos管的栅极和衬底连接高侧电源地，其漏极连接高侧电源电压，其源极连所述第二节点。
技术总结
一种全差分的电平移位器，利用输入信号处理模块在输入信号的上升沿产生上升沿电流脉冲信号、在输入信号的下降沿产生下降沿电流脉冲信号；输入信号处理模块结合第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管和第六PMOS管构成全差分结构，实现电流产生后到比较点的路径相同，从而实现当高侧电源电压和高侧电源地有快速变化时也能保持输出信号不变，提高抗共模干扰能力；同时利用第七NMOS管、第八NMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第一与非门和第二与非门构成锁存结构，保证电平移位器在输入信号不变时电路中没有静态电流，减小了电路的静态功耗。耗。耗。
技术研发人员：韩颖杰 肖哲飞
受保护的技术使用者：上海南芯半导体科技股份有限公司
技术研发日：2021.03.15
技术公布日：2022/9/19